紫罗兰色磷(VP)因其独特的物理化学特性和光电应用中的潜力而引起了很多关注。尽管VP具有类似于其他2D半导体的范德华(VDW)结构,但在底物上直接合成VP仍然具有挑战性。此外,尚未证明由无转移VP akes组成的光电设备。在此,一种二辅助蒸气相传输技术旨在直接在SIO 2 /Si底物上生长均匀的单晶VP Akes。晶体VP平均的大小比以前的液体脱落样品大的数量级。用VP Akes制造的光电探测器显示出12.5 A W - 1的高响应性,响应/恢复时间为3.82/3.03 ms,暴露于532 nm光线后。此外,光电探测器显示出对高敏化光检测有益的小黑电流(<1 pa)。结果,探测率为1.38×10 13琼斯,与VDW P – N异质结探测器的检测率相当。结果揭示了VP在光电设备中的巨大潜力以及单晶半导体薄膜生长的CVT技术。
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