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图S6光电化学性质测量单个TiO 2,Si和Nio薄膜。(a)在切碎的光照明下的LSV曲线,(b)在光线和黑暗条件下在轻度启用周期下为0.89 v RHE的计时度测量,(c)OCP与时间情节,以及(d)Nyquist在FTO/TIO/TIO/TIO/TIO/TIO/TIO/TIO/TIO/TIO和FTO/SI和FTO/FTO/NIO nio photoanodes中的光和黑暗条件下。
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