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World File Search System探测率
自重构低噪声系数和高射频输入功率过驱动 LNA 的原始设计程序：应用于 X 波段 GaN MMIC
摘要 — 本文提出了一种基于宽带隙 RF 技术设计低噪声放大器的原创方法。这些 LNA 能够承受高电磁信号（如电子战中使用的信号），同时提供高探测率。该研究介绍了基于相同策略的单级 LNA 和两级 LNA 的原始设计程序。这些自重构 LNA 可以从高探测率模式（低 NF）切换到高线性模式（高输入压缩模式 IP 1dB ）。该设计策略与稳健的 LNA 设计进行了比较，后者使用更大的晶体管尺寸来提高线性度，但代价是 NF 略有下降。在放大器输入端，RF 步进应力结果已达到 30 dBm，没有任何破坏，并提供稳定的 S 参数和噪声系数。
一项关于自动驾驶占用感知的调查
抽象2D铁电/石墨烯异质结构是通过机械去角质制造的，横穿异质结构界面的载体动力学已通过拉曼，光致发光和瞬态吸收测量值进行了系统地研究。由于有效的界面照片激发电子传递和捕获孔的光吸收效果，异质结构设备显示出卓越的性能，最大响应性为2.12×10 4 A/W，在λ= 532 nm laseer Illumuminention下，探测率为1.73×10 14 jones和快速响应时间（241 µS）。此外，还研究了受铁电化场影响的照片反应。我们的工作确认铁电β-inse/石墨烯异质结构是敏感光电应用的出色材料平台。
异质结双层作为电荷传输中间层降低有机短波中的暗电流并增强光电倍增
光电倍增探测器有望克服有机短波红外光电探测器的低响应度。然而，最近的光电倍增探测器通常会同时增加响应度和暗电流，从而抵消对探测率的影响。为了抑制光电倍增装置中的暗电流，我们提出了一种新的夹层结构，即一种克服信号和噪声之间权衡的 pn 结组合。与使用典型单极电荷传输材料的设备相比，我们的双层设计具有降低暗电流和出色外部量子效率的优势。我们将这种新的夹层设计融入上转换成像器中，使上转换效率和图像对比度翻倍。这种夹层可推广到不同的有机半导体，这尤其有用，因为这里的设计将适用于尚未发现的未来红外材料。
基于IMU的在线多灯校准
现代自主系统通常使用多个传感器进行感知。为了获得最佳性能，需要准确且可靠的外部校准。在这项研究中，我们提出了一种可靠的技术，用于对车辆上几个激光痛的外在校准，而无需进行探测率估计或纤维标记。首先，我们的方法通过将共同置于每个LiDAR的IMU的原始信号匹配，从而生成了对外部产品的初始猜测。然后在ICP和点云特征匹配中使用了此初始猜测，从而重新发现并验证了此估计值。此外，我们可以使用可观察性标准选择具有最高互信息的IMU测量值的子集，而不是比较所有读数。我们使用从Scania测试车中收集的数据成功验证了我们的方法。
为超敏光检测的单晶紫磷制造
紫罗兰色磷（VP）因其独特的物理化学特性和光电应用中的潜力而引起了很多关注。尽管VP具有类似于其他2D半导体的范德华（VDW）结构，但在底物上直接合成VP仍然具有挑战性。此外，尚未证明由无转移VP akes组成的光电设备。在此，一种二辅助蒸气相传输技术旨在直接在SIO 2 /Si底物上生长均匀的单晶VP Akes。晶体VP平均的大小比以前的液体脱落样品大的数量级。用VP Akes制造的光电探测器显示出12.5 A W - 1的高响应性，响应/恢复时间为3.82/3.03 ms，暴露于532 nm光线后。此外，光电探测器显示出对高敏化光检测有益的小黑电流（<1 pa）。结果，探测率为1.38×10 13琼斯，与VDW P – N异质结探测器的检测率相当。结果揭示了VP在光电设备中的巨大潜力以及单晶半导体薄膜生长的CVT技术。
基于纳米厚窄带隙半导体PbS薄膜的紫外光电探测器
摘要：紫外光电探测器（UVPD）在军事和民用应用中发挥着重要作用，通常采用宽带隙半导体（WBS）作为构造模块来制造。遗憾的是，基于 WBS 的 UVPD 商业化往往受到其相对较高的制造成本的限制，因为需要使用非常复杂的生长仪器。在本文中，我们提出了一种基于具有相对较小带隙的非 WBS 硫化铅（PbS）的灵敏 UVPD。器件分析表明，由 48.5 nm PbS 纳米薄膜制成的 UVPD 对 365 nm 的紫外线照射高度敏感。具体而言，在 365 nm 照射下的响应度和特定探测率分别为 22.25 AW − 1 和 4.97 × 10 12 Jones，与大多数传统的基于 WBS 的 UVPD 相当或更好。基于 PbS 纳米薄膜的 UVPD 还表现出优异的环境稳定性。实验结果和基于技术计算机辅助设计软件的模拟证实，PbS 纳米薄膜的异常特性与相对较薄的厚度和波长相关的吸收系数有关。这些结果为窄带隙半导体在未来光电设备和系统中实现低成本敏感 UVPD 提供了机会。关键词：紫外光电探测器、窄带隙半导体、PbS、高响应度、技术计算机辅助设计 ■ 介绍
高检测性UV敏感的2D MOS2光晶体管通过硅量子点增强
摘要：二维（2D）半导体最近由于其独特的光学和电子特性而引起了光传递的极大兴趣。然而，对于单层光晶体管，可检测到的光谱范围和光吸收效率通常非常有限。在这里，我们演示了基于零差（0D）硅量子点（SIQDS）和二硫化钼（MOS 2）形成的范德华异质结构（VDWH）（VDWH）（VDWH）（VDWH），尤其是在Ultraviolet（UV）的光谱范围内，该光谱（MOS 2）表现出很高的检测和响应率。与单独基于单层MOS 2的光晶体管相比，SIQD/MONOLAYER MOS 2 VDWH光晶体管的探测率提高了100倍（从1.0×10 12到1.0×10 12到1.0×10 14 cm×Hz 1/2/w），响应率提高了89倍，响应率提高了66.7秒66.7至66.7 s/f。对于SIQD/几层MOS 2 VDWH，还观察到增强的检测和响应性。分析和对照实验表明，跨SIQD/MOS 2 VDWH的电荷转移导致光子效应和光量。高性能SIQD/MOS 2 VDWH光晶体管对超敏化光检测，基于紫外线的光学通信，神经形态视觉传感和发射速度计算应用具有巨大的希望。关键字：0d/2d van der waals异质结构，Si Quantum Dot，MOS 2，光晶体管，高检测性，高响应率■简介
Surface plasmon assisted high-performance photodetectors based on hybrid TiO 2 @GaO x N y -Ag heterostructure
摘要：在这项工作中，我们报告了基于TIO 2 @GaO x n y -ag异质结构的基于高性能的紫外线可见（UV-VIS）光电探测器。Ag颗粒被引入TIO 2 @GaO X n y，以增强异质结设备的可见光检测性能。在380 nm处，TIO 2 @gao x n y -ag的响应率和探测率分别为0.94 A/W和4.79×10 9 Jones，它们在580 nm处增加到2.86 A/W和7.96×10 10 Jones。响应的上升和下降时间分别为0.19/0.23和0.50/0.57 s。唯一的，在580 nm处，制造的设备的响应性比基于Tio 2，Ga 2 O 3和其他异质界的光电探测器高1-4个数量级。TiO 2 @gao x n y -ag杂结型装置的出色光电特性主要归因于金属 - 高中 - 微米 - 金属中的异质结的类型结构的协同效应，而不是有效地促进了成立式的ag级，而不是有效地促进了ag的等化速率。它被有限的差异时间域法（FDTD）模拟和光电测量所照亮。具有高效率检测的TiO 2 @GaO X N Y -AG阵列是适合在节能通信，成像和传感网络中应用的候选者。
实现高度稳定的钙钛矿光电探测器，其寿命很长，可以通过全效沉积过程
摘要：混合有机 - 无机金属卤化物钙钛矿（HOIP）由于其出色的光电特性，已成为一种有希望的可见光感应材料。尽管有优势，但克服商业化的稳定问题仍然是一个挑战。在此，通过全瓦库姆工艺证明了一个极为稳定的光电探测器，并用CS 0.06 fa 0.94 pb（I 0.68 BR 0.32）3 per-Ovskite制造。在标准的一个太阳太阳照明下，光电探测器达到的电流密度高达1.793×10-2 a cm -2，同时在零偏置电压下保持电流密度低至8.627×10-10 - 10 a cm -2。线性动态范围（LDR）和瞬态电压响应与基于硅的光电探测器（Newport 818-SL）相当。最重要的是，该设备在一个太阳太阳照明下不断暴露后，保持了95％的初始性能的95％。这些出色的结果的成就促成了全面的沉积过程，从而提供了具有很高稳定性和良好均匀性的薄膜，从而延迟了退化过程。通过阻抗光谱法进一步研究了降解机制，以揭示在不同暴露时间下光电探测器中的电荷动力学。关键词：钙钛矿，光电探测器，稳定性，特定探测率，热蒸发</div
金属半导体性能增强... - DR-NTU
AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 结构具有出色的电气和材料特性，使其成为制造高性能紫外光电探测器 (UV PD) 的理想选择，尤其是使用金属-半导体-金属 (MSM) 配置时。然而，MSM 设计的金属布局和多堆栈 HEMT 中的晶体缺陷会降低光电流并降低器件性能。具有不同纳米特征的 AlGaN/GaN 表面纳米结构化是一种很有前途的方法，可以提高光吸收效率并增加器件响应。在这项工作中，我们展示了通过使用周期性纳米孔阵列设计表面来增强性能参数的 AlGaN/GaN HEMT MSM 紫外光电探测器。光学模拟用于优化纳米孔周期性和深度的设计。我们制造了具有不同纳米孔深度的无图案化和纳米孔图案化器件，并且随着纳米孔的加入，它们的性能得到了显着增强。具有 40 nm 深纳米孔和 230 nm 阵列周期的器件在光电流 (0.15 mA)、响应度 (1.4 × 10 5 AW − 1 )、紫外/可见光抑制比 (≈ 10 3 ) 和比探测率 (4.9 × 10 14 Jones) 方面表现出最高的性能。这些发现提出了一种与 HEMT 兼容的策略来增强紫外光电探测器在电力光电应用中的性能，突出表明纳米孔图案化对于紫外光电检测技术的进步具有良好的前景。