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PTSE 2吸引了相当大的关注，这是一种高迁移率二维材料，并在微电子，光电检测和旋转三位型中进行了设想的应用。高质量PTSE在具有晶圆尺度均匀性的绝缘基板上的生长是电子运输调查和设备中实际用途的先决条件。在这里，我们报告了由分子束外延在ZnO（0001）上高度定向的几层PTSE 2的生长。膜的晶体结构具有电子和X射线衍射，原子力显微镜和透射电子显微镜。与石墨烯，蓝宝石，云母，SIO 2和PT（111）上生长的PTSE 2层的比较表明，在绝缘底物中，ZnO（0001）产生了具有优质结构质量的膜。在室温下，在室温下，在室温下，在200 cm 2 v -1 s -1超过200 cm 2 v -1 s -1的外部ZnO/PTSE 2上进行的HALL测量值显示出明确的半导体行为，低温下的较高迁移率在低温下。
单晶PTSE2中的高载体移动性...
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