机构名称：
¥ 3.0
图1：（a）Cu 2 Agbii 6的晶体结构，边缘共享八面体层以紫色突出显示。Ag +，Bi 3+和Cu +位点的部分占有率通过每个离子位点的圆的分数填充显示。（b）温度依赖性的光致发光和紫外可见的吸收测量值在4 - 295 K之间进行4-295 K之间的薄膜。PL峰值蓝移，温度升高。1.59 - 1.71 eV之间的阴影区域表示进行了TCSPC测量的高能量区域（如（c）所示），并从中测量了峰值计数（如图S3（c）所示）。使用Elliott的理论（黑色虚线），插图显示了在295 K处的光谱，阴影区域为60，表明了激子（蓝色）和连续性贡献，而没有（棕色），以及（绿色）库仑（绿色）库仑。请参阅更多温度和提取的参数γ的支持信息。（c）使用TCSPC在200 NJCM-2的功能下测量的时间分解PL衰变。在高温下，衰减是非常异构的（非指数），并且在低温下寿命更长。灰色实线在4和295 k处拟合到拉伸指数上。有关所有瞬态和提取参数的拟合信息，请参见支持信息。（d）使用Elliott拟合在每个温度提取的带隙能E G的值。（e）使用Elliott拟合在每个温度提取的激子结合能E B的值。
电荷载体移动性和半导体的本地化...
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