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World File Search System发射性能
准定量合并的小信号分析，以预测DC-DC
摘要：本文提出了一种准量化的小信号模拟方法，以预测DC-DC降压转换器的低频辐射发射。通过小信号分析有效地替换瞬态分析的模拟方法，并讨论了对低频辐射发射的环境影响。通过为TPS54560类型开关IC进行的评估板上执行的测量和模拟来提出该方法的效率和准确性。模拟结果非常适合DC-DC转换器模块的辐射发射性能。使用拟议的方法，可以在不使用时间消耗瞬态分析的情况下实现快速准确的参数结果。关键字：电磁兼容性，模拟，辐射发射，DC-DC转换器
表面的电荷注入和能量转移...
摘要：表面钝化是防止表面氧化和改善纳米晶体量子点 (QD) 发射性能的关键方面。最近的研究表明，表面配体在确定基于 QD 的发光二极管 (QD-LED) 的性能方面起着关键作用。本文研究了 InP/ZnSe/ZnS QD 的封端配体影响 QD-LED 亮度和寿命的潜在机制。电化学结果表明，高发光 InP/ZnSe/ZnS QD 表现出取决于表面配体链长度的调制电荷注入：配体上的短烷基链有利于电荷向 QD 传输。此外，光谱和 XRD 分析之间的相关性表明，配体链的长度可调节配体-配体耦合强度，从而控制 QD 间能量传递动力学。本研究的结果为表面配体在 InP/ZnSe/ZnS QD-LED 应用中的关键作用提供了新的见解。
通过调整像素密度优化同轴平面栅极氧化锌纳米线场发射阵列的性能
摘要：门控ZnO纳米线场发射阵列在平板X射线源、光电探测器等大面积真空微电子器件中有着重要的应用。由于应用需要高像素密度的场发射阵列，因此需要研究像素密度对门控ZnO纳米线场发射性能的影响。本文模拟了在保持横向几何参数成比例的情况下不同像素尺寸下同轴平面门控ZnO纳米线场发射阵列的性能，获得了发射电流和栅极调制随像素尺寸的变化曲线。利用所获得的器件参数，制备了同轴平面门控ZnO纳米线场发射阵列。场发射测量结果表明，当栅极电压为140 V时，制备的ZnO纳米线场发射阵列的电流密度为3.2 mA/cm 2，跨导为253 nS，表明栅极控制有效。性能的提高归因于优化的栅极调制。
多功能灯笼金属聚合物：用于不同应用的自我修复和照片刺激性双发光
表现出照片刺激性响应特性的光致发光金属聚合物正在成为有前途的材料，并具有多功能的应用，可在照片可扎的图案，可穿戴的紫外线传感器和光学加密反击中。但是，将这些材料集成到需要快速响应时间，轻质质量，疲劳抵抗力和多种加密功能的实用应用中，会带来挑战。在这项研究中，具有快速自我修复特性的发光光致变色型金属聚合物是通过通过LN-TPY共同构成键和聚合物链之间的LN-TPY共构键和螺旋杆菌（SP）的交联型tpy（TPY）（TPY）和螺旋杆（SP）的。所得的产品具有一系列有趣的特征：i）使用螺旋桨单体没有其他掺杂剂； ii）由于LN-TPY和开放环螺旋形部分，在UV-Light下的双重发射性能； iii）来自聚合物链的令人满意的机械性能和自我修复能力； iv）通过光刺激或进料比调整，用于发光颜色的多个控制开关。利用这些属性，开发的材料为轻巧应用，高级信息加密，紫外线感应可穿戴设备以及对未来设计多功能智能材料的洞察力引入了新的机会。
多晶阴极非均匀热电子发射的物理模型
开发了一种新的基于物理的模型，该模型可以准确预测从温度限制 (TL) 到全空间电荷限制 (FSCL) 区域的热电子发射发射电流。对热电子发射的实验观测表明，发射电流密度与温度 (J − T) (Miram) 曲线和发射电流密度与电压 (J − V) 曲线的 TL 和 FSCL 区域之间存在平滑过渡。了解 TL-FSCL 转变的温度和形状对于评估阴极的热电子发射性能（包括预测寿命）非常重要。然而，还没有基于第一原理物理的模型可以预测真实热电子阴极的平滑 TL-FSCL 转变区域，而无需应用物理上难以证明的先验假设或经验现象方程。先前对非均匀热电子发射的详细描述发现，3-D空间电荷、贴片场（基于局部功函数值的阴极表面静电势不均匀性）和肖特基势垒降低的影响会导致从具有棋盘格空间分布功函数值的模型热电子阴极表面到平滑的TL-FSCL过渡区域。在这项工作中，我们首次为商用分配器阴极构建了基于物理的非均匀发射模型。该发射模型是通过结合通过电子背散射衍射（EBSD）获得的阴极表面晶粒取向和来自密度泛函理论（DFT）计算的面取向特定的功函数值获得的。该模型可以构建阴极表面的二维发射电流密度图和相应的 J-T 和 J-V 曲线。预测的发射曲线与实验结果非常吻合，不仅在 TL 和 FSCL 区域，而且在 TL-FSCL 过渡区域也是如此。该模型提供了一种从商用阴极微结构预测热电子发射的方法，并提高了对热电子发射与阴极微结构之间关系的理解，这对真空电子设备的设计大有裨益。
高度稳定和全色光吸收 Cs2OsX6 ...
通过在所有位点（A、B 和 X）进行阴离子/阳离子工程可调节性质，使该类材料对下一代器件具有吸引力。据报道，VOP 有许多不同的离子组合，其中 i）A 位主要含有 Cs + 、Rb + 、K + 或铵有机阳离子，ii）B 位含有 Sn 4 + 、Ti 4 + 、Zr 4 + 、Te 4 + 、Sb 4 + 、Pt 4 + 、Ru 4 + 或 Pd 4 + 以及 iii) X 位含有 Cl − 、Br − 或 I −。[11,15–19] 值得注意的是，只有 Pt 4 + 和 Pd 4 + 样品在水介质中是稳定的。[11,12,15] 但是，可以利用在这些化合物中采用的策略来调节所需的性质。在钛基钙钛矿 Cs 2 TiI x Br 6-x 中，通过将 x 值从 0 变为 6 来系统地调整混合卤化物材料，可使光学带隙从 1.38 eV 变为 1.78 eV。[18] 类似地，在钯基纳米粒子钙钛矿中，随着卤素从溴化物变为碘化物，带隙变窄，这些材料已成功用于光催化。[20] 在我们最近的一项工作中，提出了阴离子交换法来创建核壳异质结构，其中核和壳具有不同的卤素。[15] 这些结构已被证明可以增强光生载流子分离。同样，Cs 2 Sn 1 − x Te x I 6 中的 Sn/Te 比已被证明会影响电导率、载流子迁移率和载流子浓度。 [21] Cs 2 SbBr 6 中混合价数（III 和 V）的存在为调整光电性能提供了另一个机会。[22] 用 Te 4 + 取代 Cs 2 ZrCl 6 已显示出光致发光量子产率的显著提高。[23,24] 类似地，据报道混合 Sn/Pt 空位有序钙钛矿的发射性能有所增强。[25] 在大多数已报道的钙钛矿中，