通过在所有位点（A、B 和 X）进行阴离子/阳离子工程可调节性质，使该类材料对下一代器件具有吸引力。据报道，VOP 有许多不同的离子组合，其中 i）A 位主要含有 Cs + 、Rb + 、K + 或铵有机阳离子，ii）B 位含有 Sn 4 + 、Ti 4 + 、Zr 4 + 、Te 4 + 、Sb 4 + 、Pt 4 + 、Ru 4 + 或 Pd 4 + 以及 iii) X 位含有 Cl − 、Br − 或 I −。[11,15–19] 值得注意的是，只有 Pt 4 + 和 Pd 4 + 样品在水介质中是稳定的。[11,12,15] 但是，可以利用在这些化合物中采用的策略来调节所需的性质。在钛基钙钛矿 Cs 2 TiI x Br 6-x 中，通过将 x 值从 0 变为 6 来系统地调整混合卤化物材料，可使光学带隙从 1.38 eV 变为 1.78 eV。[18] 类似地，在钯基纳米粒子钙钛矿中，随着卤素从溴化物变为碘化物，带隙变窄，这些材料已成功用于光催化。[20] 在我们最近的一项工作中，提出了阴离子交换法来创建核壳异质结构，其中核和壳具有不同的卤素。[15] 这些结构已被证明可以增强光生载流子分离。同样，Cs 2 Sn 1 − x Te x I 6 中的 Sn/Te 比已被证明会影响电导率、载流子迁移率和载流子浓度。 [21] Cs 2 SbBr 6 中混合价数（III 和 V）的存在为调整光电性能提供了另一个机会。[22] 用 Te 4 + 取代 Cs 2 ZrCl 6 已显示出光致发光量子产率的显著提高。[23,24] 类似地，据报道混合 Sn/Pt 空位有序钙钛矿的发射性能有所增强。[25] 在大多数已报道的钙钛矿中，