在环理论中,构建一个包含另一个环的更大环非常有用,这被称为环扩展 [1-2, 11-15]。最近,人们研究使用 Turiyam 环 [16] 处理四向数据分析,并研究其广泛的性质 [17-19] 来解决各种决策问题。然而,需要对一些猜想和方程进行基本的证明,以理解数学代数的可用性 [20]。为了实现这一目标,本文重点研究了一些丢番图方程的可逆性条件及其对 Turiyam 环的扩展。
几十年来。 [1] 目前商业化锂离子电池的能量密度受到层状结构正极材料(如 LiCoO 2 和 LiNixMnyCo1−x−yO2)的限制,由于材料晶格中 Li+ 主位点有限,只能提供小于 220 mAh g−1 的比容量。 [2] 此外,锂离子电池市场的快速扩张导致钴和镍价格飙升(2022 年钴金属价格高达 90 美元/千克)。因此,迫切需要探索高能量密度、低成本的无钴、无镍正极材料。转化型材料通常由 Fe、Cu、O 和 S 等价格较便宜且环境友好的元素组成,其容量比插层型电极材料高得多。 [3] 在各种转化化合物中,过渡金属氟化物(MF x )既提供> 2.0 V 的高氧化还原电位(由于金属氟化物键的高离子性),又提供大容量,因为每单位分子式允许多个电子转移,从而实现相当高的理论能量密度。[4] 转化正极面临的一个主要挑战是循环稳定性。优化的 Fe 基氟化物如 FeF 2 、FeF 3 、FeOF 和 Fe 0.9 Co 0.1 OF 可以稳定地充电/放电几百次循环。[5] 然而,Fe 基正极的能量密度仍然不够高。氟化铜(CuF 2 )比 Fe 基氟化物提供了更高的比能量密度(1874 Wh kg −1 ),因为它对 Li/Li + 的理论电位高达 3.55 V,理论容量为 528 mAh g −1 。[6]
迄今为止,锂离子电池仍然是最主要的和研究最广泛的可充电储能装置,但倍率性能和循环性能不足等缺点阻碍了它的进一步发展。上述缺点可以归因于电极材料的界面不稳定和电荷存储动力学缓慢。因此,赋予电极材料稳定的界面和快速的离子/电子扩散动力学是解决这些问题的有效方法。本文通过调节抗猎杀界面,通过自模板法和刻蚀工艺构建了一种具有快速动力学的高容量自适应FeP@C纳米笼。获得的FeP@C纳米笼表现出高容量(0.2 A g -1 时~900 mAh g -1)和优异的倍率性能(10 A g -1 时532 mAh g -1)。令人印象深刻的是,即使在 0.5 A g − 1 下长期循环 800 次后,仍能保持 680 mAh g − 1 的稳定容量。此外,通过定量分析和非原位同步加速器高能 X 射线衍射 (HEXRD) 证实了快速动力学和锂存储机制。
库汉技术大学材料综合与加工高级技术的国家主要实验室https://orcid.org/0009-0009-0008-1431-7443
(图中的虚线4b)。适合背景提取的PDF(图4B)返回非常相似的晶格参数,液体和气相减少后的NP尺寸为2.3±0.1 nm(表S1)。这提供了令人信服的证据,表明在70°C的环己烷中,PTAL中的Pt氧化物相完全降低,并且反应环境不影响PT粒径,PT粒径仍然非常接近由茎在原始(未修复)PTAL催化剂上评估的分布中心(图。1)。也适用于PTAL(R)(图S7),尽管平均NP大小远大于降低的PTAL(表S1)。还原催化剂的PDF模式(图4b),其中短期顺序在很大程度上由散装FCC PT决定
图 4. (a) 孤立 K 原子的 s 轨道 (b) BPS + K 结构的 Ks 轨道 (c) 孤立 Ca 原子的 s 轨道 (d) BPS + Ca 结构的 Ca-s 轨道的分态密度。费米能级设定为 0 eV。
。cc-by-nc-nd 4.0国际许可证(未经同行评审证明)获得的是作者/资助者,他授予Biorxiv授予Biorxiv的许可,以永久显示预印本。这是该预印本版本的版权持有人,该版本发布于2024年9月3日。 https://doi.org/10.1101/2024.09.02.610832 doi:Biorxiv Preprint
自闭症谱系障碍 (ASD) 是一种常见的发育障碍,其症状和严重程度差异很大,使得自闭症的诊断成为一项具有挑战性的任务。现有的使用大脑连接特征对自闭症进行分类的深度学习模型由于特征表示能力有限和可解释性不足,在多中心数据上仍然表现不佳。鉴于图卷积网络 (GCN) 在学习大脑连接网络的判别性表示方面表现出色,本文提出了一个可逆动态 GCN 模型来识别自闭症并研究与该疾病相关的连接模式的改变。为了从模型中选择可解释的特征,在整个网络中引入了可逆块,我们能够从网络的输出中重建输入的动态特征。采用连接特征的预筛选来减少输入信息的冗余,并添加全连接层进行分类。对 867 名受试者的实验结果表明,我们提出的方法实现了卓越的疾病分类性能。它为大脑连接分析提供了可解释的深度学习模型,在研究大脑相关疾病方面具有巨大潜力。
1。Promega Corporation。2800 Woods Hollow Road,威斯康星州麦迪逊,美国53719,美国2。 霍华德·休斯医学院蜂窝和分子药理学系,加利福尼亚大学旧金山分校,旧金山,加利福尼亚州94158,美国3。 这些作者同样贡献2800 Woods Hollow Road,威斯康星州麦迪逊,美国53719,美国2。霍华德·休斯医学院蜂窝和分子药理学系,加利福尼亚大学旧金山分校,旧金山,加利福尼亚州94158,美国3。霍华德·休斯医学院蜂窝和分子药理学系,加利福尼亚大学旧金山分校,旧金山,加利福尼亚州94158,美国3。这些作者同样贡献
掺杂剂诱导溶解度控制 (DISC) 聚合物半导体图案化技术的最新进展已使聚-3-己基噻吩 (P3HT) 的直接写入光学图案化成为可能,且分辨率达到衍射极限。在这里,我们将光学 DISC 图案化技术应用于最简单的电路元件——导线。我们展示了 P3HT 和掺杂有分子掺杂剂 2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷 (F4TCNQ) 导线的 P3HT 的光学图案化,尺寸为厚度 20-70 nm、宽度 200-900 nm 和长度 40 µ m。此外,我们还展示了“L”形弯曲和“T”形结等导线图案的光学图案化,而无需改变结处导线的直径或厚度。经过连续掺杂后,导线本身的电导率高达 0.034 S/cm。我们还证明了 P3HT 纳米线可以在溶液中掺杂、去掺杂和再掺杂,而不会改变导线的尺寸。光学图案化和可逆掺杂聚合物半导体的综合能力代表了一套完整的图案化步骤,相当于无机半导体的光刻技术。