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基于共面卟啉的同质异形体的合成策略
相应地，强相互作用的金属位点是许多多核金属蛋白（如血蓝蛋白、[1,2] 血红蛋白、[3] 超氧化物歧化酶、[4] 一氧化碳脱氢酶 [5] 和细胞色素 c 氧化酶）独特催化活性的基础。[6] 为了进一步了解此类复合物独特的配位化学，理想情况下需要一个刚性分子系统，该系统可以调节不同金属中心之间的距离，而不会通过显著改变配体场来影响它们。然后，可以通过刚性框架的轻微变化来改变金属中心之间的相互作用，特别是那些产生协同催化效应的相互作用。在这种情况下，一个感兴趣的系统是共价连接的二聚卟啉金属复合物，它可以通过系统的结构变化进行调节，并且其协同性质可以与相应组成单体的协同性质进行比较。
迪亚巴特方法测定同质异形体自由能 - UCL Discovery
晶格切换蒙特卡罗和相关的 diabat 方法已成为计算同质异形体之间自由能差异的有效而准确的方法。在这项工作中，我们引入了从一种分子晶体中的参考位置和位移到另一种分子晶体中的位置和位移的一对一映射。映射的两个特点有助于使用晶格切换蒙特卡罗和相关的 diabat 方法计算同质异形体自由能差异。首先，映射是单一的，因此其雅可比矩阵不会使自由能计算复杂化。其次，对于任意复杂度的分子晶体，映射都很容易实现。我们通过计算苯和卡马西平同质异形体之间的自由能差异来证明映射。热力学循环的自由能计算，每个循环都涉及三个独立计算的同质异形体自由能差异，都以高精度返回到起始自由能。因此，这些计算提供了方法的力场独立验证，并使我们能够估计单个自由能差异的精度。
(010)β-Ga2O3 的低温同质外延 ...
摘要 — 在本文中，我们报告了高迁移率 β -Ga 2 O 3 同质外延薄膜的生长温度，该薄膜的生长温度远低于金属有机气相外延的传统生长温度窗口。在 Fe 掺杂的 (010) 块体衬底上以 600 ◦ C 生长的低温 β -Ga 2 O 3 薄膜表现出卓越的晶体质量，这从测量的非故意掺杂薄膜的室温霍尔迁移率 186 cm 2 /Vs 可以看出。使用 Si 作为掺杂剂实现 N 型掺杂，并研究了 2 × 10 16 - 2 × 10 19 cm −3 范围内的可控掺杂。通过比较二次离子质谱 (SIMS) 中的硅浓度和温度相关霍尔测量中的电子浓度，研究了 Si 的掺入和活化。即使在这种生长温度下，薄膜也表现出高纯度（低 C 和 H 浓度），且补偿受体浓度非常低（2 × 10 15 cm − 3）。此外，在较低温度下生长时，可以观察到突变掺杂分布，正向衰减速度为 ∼ 5nm/dec（与在 810 ◦ C 下生长的薄膜相比，提高了 10 倍）。
非晶态上亚稳态同质异形体的模板生长
具有种子层的基质 Yanbing Han、Ryan Trottier、Sebastian Siol、Bethany Matthews、Matthew Young、Charles B.
简短的通信网络同质性揭示了ADHD中默认模式网络的完整性降低
对自发的内在脑活动的检查正在引起人们的兴趣，因此这种分析的方法正在迅速发展。在这里，我们描述了一种新颖的措施“网络同质性”，该方法允许评估指定功能网络中的凝聚力，并将其应用于成人ADHD和控制参与者的静止状态fMRI数据。我们检查了默认模式网络，默认模式网络是一个基于内侧壁的网络，其特征在于高基线活动，在关注的认知任务中降低了。与年龄匹配的控件相比，我们在ADHD受试者的默认模式网络中发现了降低的网络同质性，尤其是在PRECUNEUS和其他默认模式网络区域之间。这种证实是使用基于种子的功能连接度量的先前发表的结果，并提供了进一步的证据表明，ADHD的神经病理学涉及改变的前神经连通性。网络同质性提供了一种潜在的替代方法，用于评估临床人群中特定大规模网络的功能连通性。©2007 Elsevier B.V.保留所有权利。