在增材制造领域,选择工艺参数以避免过度和不足沉积需要耗费时间和资源的反复试验。鉴于每个部件几何形状的独特特征,迫切需要推进实时过程监控和控制,以确保一致和可靠的部件尺寸精度。这项研究表明,支持向量回归 (SVR) 和卷积神经网络 (CNN) 模型为实时过程控制提供了一种有前途的解决方案,因为这些模型能够高精度地识别复杂的非线性模式。我们设计了一个新颖的实验来比较 SVR 和 CNN 模型的性能,以从单层单珠构造的熔池同轴图像间接检测珠高。研究表明,使用从同轴光学摄像机收集的熔池数据训练的 SVR 和 CNN 模型都可以准确预测珠高,平均绝对百分比误差分别为 3.67% 和 3.68%。 [DOI: 10.1115/1.4062800]
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摘要:芯鞘电纺丝是一种生产含有一种或多种封装功能材料的复合纤维的强大工具,但许多材料组合很难甚至不可能一起纺丝。我们表明,成功的关键是确保明确界定的芯鞘界面,同时保持该界面上恒定且最小的界面能。使用热致液晶作为模型功能芯,使用聚丙烯酸或苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物作为鞘聚合物,我们研究了使用水、乙醇或四氢呋喃作为聚合物溶剂的影响。我们发现理想的芯和鞘材料是部分可混合的,其相图显示内部可混合间隙。完全不混溶会产生相对较高的界面张力,这会导致芯断裂,甚至阻止芯进入产生纤维的喷射流,而在完全混溶的情况下,由于缺乏明确的界面,会消除芯-鞘形态,并将芯变成鞘溶液的凝固浴,导致泰勒锥中过早凝胶化。此外,为了最大限度地减少由于局部界面张力变化而导致的泰勒锥中的马兰戈尼流,在纺丝之前应在芯中添加少量鞘溶剂。我们的发现解决了长期以来关于在芯-鞘静电纺丝中选择芯和鞘流体的指导方针的困惑。这些发现可以应用于除本文研究的材料组合之外的许多其他材料组合,从而能够制备出具有广泛兴趣和应用潜力的新型功能复合材料。■ 简介
摘要:同轴激光金属沉积(LMD-w)是对已在生产中建立的增材制造工艺的宝贵补充,因为它允许一个与方向无关的工艺,具有高沉积速率和高沉积精度。然而,在工艺开发过程中,缺乏关于调整工艺参数以构建无缺陷部件的知识。因此,在这项工作中,使用铝线 AlMg4,5MnZr 和不锈钢线 AISI 316L 进行了同轴 LMD-w 工艺开发。首先,确定了导致无缺陷工艺的参数组合的边界。工艺参数单位长度能量和速度比之间的比例对于无缺陷工艺至关重要。然后,使用回归分析分析了工艺参数对两种材料的单个珠子高度和宽度的影响。结果表明,线性模型适合描述工艺参数与珠子尺寸之间的相关性。最后,提出了一个与材料无关的公式来计算增材工艺所需的每层高度增量。对于未来的研究,这项工作的结果将有助于使用不同材料的工艺开发。
后壳 EN 2997 ESC 10、11、15、16 FADEC 短接插头 馈线(电源)滤波器和防雷保护 防火墙馈通密封连接器 高速以太网四同轴高振动 38999 系列 III 轻型密封 MIL-C-83723 系列 MIL-DTL-38999 系列 I、II、III 电源连接器
使用推进剂分布,阳极,阴极,两个磁极以及所得的离子流动方向[2]上述示意图说明了基本霍尔效应推进器操作的功能,其推进剂分布,阳极,阴极,两个磁极,两个磁极和产生的离子流动方向显示。Hall推进器通过使用垂直电和磁场的功能。推进剂的中性原子从储罐(未显示)移动到同轴加速通道。同时,径向磁场作用会阻碍电子流从阴极到阳极的流。电子被困在同轴加速通道的出口附近。交叉场在ɵ方向上产生净霍尔电子电流。被困的电子充当储罐中性推进剂原子电离的体积区域(未显示)。电子与缓慢移动的中性群碰撞,产生离子和更多的电子,以支撑排放量和电离额外的中性性。由于其较大的Larmor Radii,其正离子没有受到磁场的较大仪表的影响。离子通过在等离子体上的磁场阻抗产生的电场加速。随后,所得的高速离子束被外部电子源中和。
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军事用户的新需求推动了对专为恶劣环境设计的新型战术无线电的需求。雷迪埃拥有最完整的 RF 同轴无源产品系列,包括盒内和盒外 PCB 连接器、小直径电缆组件、微型开关和天线。此外,嵌入陆地车辆的最新一代对抗措施、雷达和光学吊舱系统需要高性能和坚固耐用的互连技术。
Thermopad ® 系列................................................................ 简介 1 Thermopad ® 系列............................................... 一般规格 2-4 标准.....................................................................................TVA 5 标准微型..............................................................................MTVA 6 宽带.....................................................................................WTVA 7 K 波段......................................................................................KTVA 8 Q 波段......................................................................................QTVA 9 AN 系列.............................................................AN11、AN7、AN5、AN3 10-11 宽带和电缆.............................................................................CTVA 12 扩展移位.............................................................................ETVA 13 同轴.........................................................................................专用 14 高可靠性.............................................................................HRT 15 高可靠性微型.............................................................................HRM 16