近年来,量子点材料作为光子吸收剂引起了人们的注意。它们的出色特性,包括高吸收系数,长载体扩散长度和低温兼容沉积,使其成为适合在多个光谱频段(例如可见的,近乎红外和X射线)中检测光子的合适候选物。这已被利用以开发宽光谱范围的图像传感器。图1显示了在CMOS芯片顶部沉积的量子点层的概念。CMOS过程的顶部金属用作与堆叠的量子点光子吸收器接触的像素底部电极。公共顶部电极由透明的导电层制成。
Si 24 是一种新型开放框架硅同素异形体,在环境条件下处于亚稳态。与间接带隙半导体金刚石立方硅不同,Si 24 具有接近 1.4 eV 的准直接带隙,为光电和太阳能转换设备带来了新机遇。先前的研究表明,Na 可以从高压 Na 4 Si 24 前体的微米级颗粒中扩散,在环境条件下生成 Si 24 粉末。值得注意的是,我们在此证明 Na 在大型 (~100 µm) Na 4 Si 24 单晶中保持高度移动性。在真空条件下轻轻加热 (10 -4 mbar,125 °C),Na 很容易从 Na 4 Si 24 晶体中扩散出来,并可进一步与碘反应生成大型 Si 24 晶体,经波长色散 X 射线光谱测量,该晶体的硅含量为 99.9985 at%。 Si 24 晶体在 1.51(1) eV 处显示出尖锐的直接光学吸收边,带边附近的吸收系数明显大于金刚石立方硅。温度依赖性的电输运测量证实了从金属 Na 4 Si 24 中除去 Na 可得到 Si 24 的单晶半导体样品。这些光学和电学测量提供了对关键参数的深入了解,例如来自残留 Na 的电子供体杂质水平、减少的电子质量和电子弛豫时间。在块体长度尺度上有效除去 Na 和单晶 Si 24 的高吸收系数表明这种材料有望以块体和薄膜形式使用,并有望应用于光电技术。
高比功率或功率质量比是航空航天应用光伏 (PV) 的关键要求。有机太阳能电池 (OSC) 具有吸收系数高、与柔性基板兼容、重量轻等优点。此外,最近 OSC 通过结合非富勒烯基小分子受体实现了超过 20% 的功率转换效率 (PCE),相信可以获得高比功率。要进入市场,高空平台站 (HAPS) 可能是第一个切入点。在这项工作中,我们探索并比较了使用相同供体但不同受体的两种高性能 OSC 在模拟 HAPS 环境中的原位性能,其中压力、温度和光照条件受到控制。我们发现受体的使用会导致低温下性能的巨大差异。
附加晶体学数据表。S1. 从 SCXRD 获得的 1D-Cu 4 I 8 ( Hdabco ) 4 晶体学数据。化合物 1D-Cu 4 I 8 ( Hdabco ) 4 经验公式 C6 H13 Cu2 I4 N2 分子量 861.07 温度 298 K 波长 0.71073 晶系 正交晶系 空间群 Pnma 晶胞尺寸 a = 13.6210(5) Å α = 90.0° b = 10.0312(3) Å β = 90.0° c = 15.5034(6) Å γ = 90.0° 体积 2118.31(13) Å 3 Z 4 密度 2.700 Mg/m 3 吸收系数 7.839 mm -1 F(000) 1584.0 Theta (最大) 27.490° h, k, lmax 17, 13, 20 收集的反射数2564 完整性至 θ = 31.444° 0.998 吸收校正 MULTI-SCAN 最大和最小透射 0.574 和 0.625 R 1 0.0362 wR 2 0.0791
本文简要证明了相对于ECMWF预测模型,观察到的测得的空气偏差。证据的重量表明,大多数观察到的偏差及其与空气质量的变化可以归因于辐射转移建模(RTM)引起的错误。尽管RTM误差可能是复杂的,并且取决于许多因素,但在本文中表明,基于对通道吸收系数的调整的简单模型可以估算,并且可以估计其用于改善空气数据中全球和空气量依赖性偏见的结果。将测得的亮度温度与ECMWF NWP模型预测的偏离与从简单的吸收系数误差中预期的偏移进行比较,并使用最佳估计器来获得两个参数偏置模型的值:[Δ,γ]其中δ是全局常数和(γ-1)是层吸收系数的分数误差。
摘要:合适的光电集成平台能够实现芯片级的众多应用系统,在快速增长的市场中备受期待。我们报告了一种基于硅基氮化镓的光子集成平台,并展示了基于该平台的光子集成芯片,包括光源、调制器、光电二极管 (PD)、波导和 Y 分支分路器。光源、调制器和 PD 采用相同的多量子阱 (MQW) 二极管结构,不会遇到其他光子集成方法面临的不兼容问题。波导结构 MQW 电吸收调制器具有明显的间接光调制能力,其吸收系数随施加的偏置电压而变化。结果成功验证了使用峰值发射波长为 386 nm 的近紫外光进行数据传输和处理。所提出的完全主动 - 被动方法具有简单的制造和低成本,为下一代光子集成提供了新的前景。
摘要:近年来,基于硅的非线性光子学已在电信波长上进行了广泛的研究。然而,在中红外波长的硅中对硅非线性的研究仍然有限。在这里,我们报告了光谱中三阶非线性的波长依赖性范围从1.6 µm到6 µm,以及在同一范围内的多光子吸收系数。在波长为2.1 µm的波长下,以1.65×10-13 cm 2 /w的峰值为1.65×10-13 cm 2 /w测量三阶非线系数n 2,然后以非线性折射率n 2的衰减,最高2.6 µm。我们的最新测量值将波长扩展到6 µm,n 2的急剧降低超过2.1 µm,并且稳步保持在3 µm以上。此外,在2.3 µm至4.4 µm的波长范围内同时进行三光子吸收和四光子吸收过程的分析。此外,详细讨论了多光子吸收对硅非线性功绩的影响。
对于非线性光学材料作为有效的宽带Terahertz(THZ)波发电机,在THZ频率范围内具有较大透明度的低吸收器非常重要。在这项研究中,我们报告了有效的有机THZ波发电机,2-(4-羟基霉菌 - 霉菌)-1-甲基喹啉4-溴苯磺酸盐(OHQ-BBS)单晶。有趣的是,OHQ-BBS晶体在THZ频率区域的无分子振动模式范围从1.7到5.1 THz,吸收系数<20 mm-1。通过光学整流使用1300 nm波长的130 FS泵脉冲,OHQ-BBS晶体在1.2-5.5 THz的范围内生成极宽,无凹坑的THZ波。此外,还达到了从广泛使用的Znte无机晶体产生的场高20倍的THZ电场。因此,OHQ-BBS单晶是多个THZ光子应用的高度有希望的材料。
•在(𝑥1,𝑦1,𝑧1)处与ABCD平面相交=(0.431 mm,-1.127 mm,0.500 mm); •沿Z(垂直于ABCD和EFGH平面垂直的苍蝇3.75μm) - 这是正确的吗?也请参见下一张幻灯片); •排放荧光光子,= 9.25 keV at(𝑥2,𝑦2,𝑧2)=(0.431 mm,-1.127 mm,0.496 mm); •该荧光光子在(𝑥3,𝑦3,𝑧3)=(0.429毫米,-1.116毫米,0.500 mm)上飞过ABCD; •也就是说,芯片内部荧光光子的“路径”(发射后)仅为𝑥3 -𝑥22 +𝑦3−𝑦2 2 2 +𝑧3−𝑧2 2 =11.8μm; •GAAS中的该𝐸= 9.25 keV光子的吸收系数为23.92 1 mm; •𝑝= 1 -Exp -23.92 1 mm×11.8×10 -3 mm = 0.246; •𝑝gen =统一0,1 = 0.272; •𝑝<𝑝gen⇒无吸收。