药物使用相关污名的一个方面是将任何使用都视为有问题。污名化过分简化了一系列众所周知的药物使用体验,将其完全置于犯罪、道德和意志力框架内,忽视了公共卫生在支持药物使用者方面的作用。解决与药物和药物使用相关的污名是当务之急,特别是考虑到其影响的证据。鉴于污名在多个层面上起作用,其影响也是如此。更具体地说,污名会影响政策制定者和政府用于支持吸毒者的资源。它还会影响服务和支持的推出方式,影响患者接受的护理类型,并已被证明是人们寻求服务和治疗决策的障碍。11
丙型肝炎病毒 (HCV) 感染是导致大量发病率和死亡率的主要公共卫生问题,包括肝硬化和肝癌。它在美国造成的死亡人数比所有 60 种可报告传染病(包括艾滋病毒和结核病)的总和还要多。大多数新感染都是由于注射吸毒 (IDU) 而发生的。尽管目前有非常有效的治疗方法,但由于缺乏医疗服务提供者的能力或耻辱和歧视,许多 HCV 患者无法获得这些治疗。随着阿片类药物泛滥导致新病例增加,HCV 预防工作,例如减害服务、阿片类药物使用障碍 (MOUD) 药物治疗以及接触注射吸毒者 (PWID) 的创新方式以确保他们接受 HCV 治疗比以往任何时候都更加重要。
在准备新策略时,决定借鉴于2004年5月举行的哥本哈斯共识会议的工作。哥本哈根群岛小组专注于10个全球挑战,得出的结论是,投资于预防艾滋病毒/艾滋病将带来最高的经济利益,因此应该是全球最佳优先事项1。一小群专家,其中包括来自UNAIDS和世界银行的代表,应邀请您研究艾滋病毒/艾滋病预防的各个方面。该小组确定了对艾滋病毒/艾滋病计划的关键限制,并在丹麦的其他方面得到了重新认可,这应该是在发展中国家建立国家卫生系统的坚定支持者,并应增加对公民社会,妇女和弱势群体的支持,例如注射吸毒者。
危害减少 危害减少是一套理念和干预措施,旨在减少与吸毒和无效药物政策相关的危害。危害减少与对有问题的吸毒的惩罚性方法形成鲜明对比——它基于承认吸毒者的尊严和人性,并将他们纳入护理社区,以尽量减少负面影响,促进最佳健康和社会包容。这些活动减少了吸毒造成的危害,如健康问题、过量用药等,不被视为一级预防。因此,它们不能用 SAPT BG 资金支付。此类干预和活动的培训将属于社区流程战略,因为社区成员正在接受培训,这将是一项允许的一级预防服务。购买纳洛酮、针头交换和实施其他类型的危害减少干预是不允许的。危害减少活动有时在整个护理过程中是必要的,可以用其他资金支付。
用于制造或生产的半导体材料设施(包括生长或提取)用于制造半导体的材料,这些材料是化学物质,气体,原料和中间材料以及用于半导体制造中使用的其他消耗品。具体示例包括但不限于多硅烷;光吸毒者和辅助师(开发人员,脱衣舞娘,岩石溶剂以及反射性和顽固的层);溅射靶标(包括塔塔勒姆,钛和铝);以及专门用于量子信息系统(例如Hafnium和Niobium)的材料。仅当第IV.I.7节所定义的资本投资等于或超过3亿美元时,仅当商业半导体材料设施的建设,扩展或现代化才有资格属于该NOFO。
华盛顿州继续应对不断变化的阿片类药物和过量用药流行病。由于 COVID 19 大流行,药物过量死亡率总体持续攀升,并且有所加速。这是由于兴奋剂相关过量用药死亡人数迅速增加,特别是甲基苯丙胺,以及芬太尼相关过量用药增加。阿片类药物相关过量用药死亡仍然令人担忧,尽管所涉及的物质正在发生变化并且变得更加致命。越来越多的人同时使用多种物质,多种物质过量用药死亡人数一直在增加。这种不断发展的流行病对健康和社会的影响是深远的,不仅影响吸毒者,还影响他们周围人的生活。这一挑战需要各级采取积极、持续的协作行动,并需要一个灵活的国家规划流程来解决多种药物的使用问题,而不是只关注阿片类药物。
•人际交流:用于支持同龄人之间的行为改变。包括有关安全注射,过量管理,药物混合,风险和服务在针头和注射器分配期间受过训练的同伴工人期间的信息的信息和教育。在评估期间受益人指示的时间和位置进行。•同伴和社区主导的清理:避免风险暴露于非注射吸毒者和社区的风险,并防止社区的推力,每周拾取用过的针和未正确处理的注射器。这是由服务的同伴工人和受益人共同完成的•基于社区的固定地点:因为在社区热点地区可能并不总是出现同伴工人,受益人可能会在选择药物使用和保留设备的近距离注射药物的固定站点(Pharmacy)的库存中耗尽了5个固定地点(药房)。
量子异常霍尔效应(QAHE)已在磁掺杂的拓扑绝缘子中进行了实验观察到。然而,主要归因于吸毒者磁掺杂的超高温度(通常低于300 mk),成为潜在应用的艰巨挑战。在这里,提出了一种非磁性策略来产生铁磁性并在拓扑绝缘子中实现Qahe。我们从数值上证明,在BI 2 SE 3,BI 2 TE 3和SB 2 TE 3中,非磁性氮或碳取代可以诱导磁矩,而只有氮掺杂的SB 2 TE 3系统才能表现出远距离的铁磁性,并保存大型的散装带隙。我们进一步表明,其相应的薄膜可以在17-29开尔文的温度下携带Qahe,这比相似系统中典型实现的温度高两个数量级。我们提出的非磁性掺杂方案可能会阐明拓扑绝缘体中高温QAHE的实验性实现。