实现可持续发展目标(Okeke,2021 年;Palomares 等人,2021 年;Sueyoshi 等人,2021 年;Zmi-yak 等人,2021 年)。通过成功实施可持续发展目标以稳定未来几年的世界经济,COVID-19 危机将得到解决(Popkova 等人,2020b)。根据备选假设,世界经济将迎来快速数字化增长(Bracci 等人,2021 年;Caldarelli 等人,2021 年;Castaldo 等人,2021 年;Cui 和 Kertész,2021 年;Pollmann 等人,2021 年;Salvatore,2021 年),并将通过高科技创新克服危机(Popkova 等人,2020a 年;Popkova 等人,2021 年)。这些假设说明了世界经济可能如何变化。为了减少不确定性,需要充分解释现有的假设。本文描述了每一种情景,以及世界经济的数字化发展与可持续生活是如何联系在一起的。
• 各州国防开支占国内生产总值的比例排名第 8 位 • 国防相关合同开支排名第 12 位 • 各州国防开支排名第 13 位 • 各州人事开支排名第 15 位
摘要:由于舞蹈电影制作领域的最新性,几乎没有研究旨在将其观看为电影(称为屏幕截图)和舞蹈录像(由现场观众观看的表演的视频)的舞蹈电影之间的区别。本文认为,将屏幕截图与舞蹈摄影区分开的是独特的吸引力屏幕截图对观众来说。通过使用瞬时位置变化或无法接近的位置,不寻常的摄像机观点(例如鸟类的眼镜),使观众感觉到他们或舞者在违抗重力,以及对身体和周围环境的技术介导的变化,舞蹈电影显示了观众在屏幕上发生了不可能的事情。这个不可能的因素使观众能够将作品作为迷人的视觉景象体验。,我建议视觉吸引力对观众产生积极的心理影响,而不是将其视为“低艺术”,这使屏幕截图可以用于创建娱乐(音乐视频)和销售产品(广告)。这项研究对舞者,编舞者和舞蹈电影制片人有影响,尤其是那些有兴趣使自己的作品(或一般舞蹈)更容易获得的观众更容易获得的舞者。
东南亚的跨界CCS开发:在Sita Rahmani和Sung Jinseok提要跨界碳捕获和储存(CCS)方面,已提升为有前途的方法,以帮助实现多个不同国家多个高级行业的脱碳化目标。部署跨境CCS的区域合作在欧洲取得了进展,而东南亚才始于双边合作。除了跨界计划之外,建立单个CCS设施还有各种挑战,这迫使基础设施发展的复杂性与多个司法管辖区相关。本政策摘要强调了各州政府和工业利益相关者在应对跨界CC挑战的必要性。
在历史和未来(RCP 8.5)气候下。野火使用Scrpple Fire延伸和植被生长,地下碳,水文和永久冻土动力学建模,并使用DGS演替扩展进行建模。使用随机森林模型对森林类型驱动因素的相对重要性进行了量化,用于在景观上的景观区域,经历了不同数量的野火。结果较高的火灾活动频率与针叶树占主导地位的变化有关,呈阔叶叶,气候变化加速。植被转变受到最新野火百分比死亡率的影响。开始落叶部分和成熟的黑云杉与现场前火的邻近性也受到影响,表明前火的组成和环境改变了植被转移的影响。补充信息在线版本包含可用的补充材料:
在CDSETE/CDTE太阳能电池中引入硒已导致归因于散装缺陷的钝化的设备性能。在这项工作中,对具有不同SE浓度的一系列CDSETE/CDTE薄膜进行高分辨率的阴极发光实验,以量化SE的机理和钝化作用。我们证明了SE浓度和辐射效率之间的普遍依赖性,以及CDTE和CDSE 0.4 TE 0.6之间发光的10倍。原始的发光图被转换为SE浓度的地图,揭示了其在堆栈中的分级轮廓。我们证明了SE沿氯化镉退火处理引起的CDTE晶界的扩散并确定扩散系数,在晶界,在晶界的扩散系数是晶粒内部的八倍以上。这些结果为SE分布及其对CDSETE/CDTE太阳能电池的钝化的影响提供了微观见解。
在CDSETE/CDTE太阳能电池中引入硒已导致归因于散装缺陷的钝化的设备性能。在这项工作中,对具有不同SE浓度的一系列CDSETE/CDTE薄膜进行高分辨率的阴极发光实验,以量化SE的机理和钝化作用。我们证明了SE浓度和辐射效率之间的普遍依赖性,以及CDTE和CDSE 0.4 TE 0.6之间发光的10倍。原始的发光图被转换为SE浓度的地图,揭示了其在堆栈中的分级轮廓。我们证明了SE沿氯化镉退火处理引起的CDTE晶界的扩散并确定扩散系数,在晶界,在晶界的扩散系数是晶粒内部的八倍以上。这些结果为SE分布及其对CDSETE/CDTE太阳能电池的钝化的影响提供了微观见解。
在750℃下烧成6小时以上,成为单斜晶WO 3 相。 P-2、P-3在烧成前为单斜晶系WO 3 、三斜晶系WO 3 、单斜晶系W 0.71 Mo 0.29 O 3 (PDF 01-076-1297),但在750℃下烧成6小时以上,变为单斜晶系W 0.71 钼 0.29 O 3 (PDF 01-076-1297) 和矩形 W 0.4 Mo 0.6 O 3 (PDF 01-076-1280)。 P-4在750℃下烧制24小时之前,单斜晶系W 0.71 Mo 0.29 O 3 (PDF 01-076-1297)、矩形W 0.4 Mo 0.6 O 3 和单斜晶系MoO 3 混合,但经过100小时后。煅烧后,MoO 3 峰消失,单斜晶系W 0.71 Mo形成了0.29 O 3 和矩形晶体W 0.4 Mo 0.6 O 3 。 P-5在烧成前为单斜MoO 3 (PDF PDF 00-047-1081),但烧成6小时以上后,变为具有层状结构的矩形MoO 3 (PDF 03-065-2421)。
摘要。将选择性湿法蚀刻技术应用于商用(2 ̅ 01)β-Ga 2 O 3 单晶衬底。一些蚀刻配方使我们能够在衬底表面上显示出尖锐的蚀刻坑。在交付的样品中研究了蚀刻坑的几何形状、方向和密度。对蚀刻坑相互位置的观察表明,加热后可能形成小角度晶界。将选择性湿法蚀刻技术应用于商用(2 ̅ 01)β-Ga 2 O 3 单晶衬底。一些蚀刻配方使我们能够在衬底表面上显示出尖锐的蚀刻坑。在交付的样品中研究了蚀刻坑的几何形状、方向和密度。对蚀刻坑相互位置的观察表明,加热后可能形成小角度晶界。关键词:选择性湿法蚀刻,β-Ga 2 O 3,氧化镓,半导体,晶体衬底,小角度晶界