大脑和企业文化映射。寻找创新的来源就像更好地了解大脑。难以捉摸,但越来越好!构造研究人员和科学家,从来没有学习过大脑及其起作用。了解企业文化可以远远落后吗?如果我们有能力更好地理解人脑的工作,这是世界上最复杂的装置,我们也可以更好地了解组织的文化,从某种意义上来说,这是公司所有大脑的总和。我们真的了解公司的文化吗?在启动一项改善创新性计划之前,了解有关企业文化的更多信息是否重要?“探测探索者”技术相似吗?了解一种要鼓励创新的文化是提高创新能力的重要一步。事实证明,试图了解公司的运作,尤其是其文化的运作,与深入研究人脑的复杂性和功能非常相似。显然,大脑比公司的文化要复杂得多,但是在理解大脑功能的方法和理解公司文化的方法之间存在相似之处。映射大脑的活动,能力,联系,优势和劣势的科学与试图理解公司文化有关。映射1;当动作和反应之间没有明显的线性或可观察的路径时,一种解决根本原因的技术是用于探索人脑的技术之一。
图形神经网络(GNN)已被广泛应用于不同域之间的变量应用。但是,最近的研究表明,GNN易受成员推理攻击(MIA)的影响,该攻击旨在推断该模型的培训数据中包括某些特定的数据样本。虽然大多数先前的MIA都集中在训练图内的单个节点和边缘的成员中,但我们引入了一种新型的成员推理攻击形式,称为结构成员推理攻击(SMIA),该攻击(SMIA)旨在确定一组特定的目标结构,例如某个特定目标结构,例如集团或多跳训练图中的特定目标结构。为了解决此问题,我们提出了新颖的黑盒SMIA攻击,这些攻击利用了目标GNN模型产生的推理的预测输出。我们的方法涉及培训三标签分类器,该分类器与影子训练相结合,有助于加入推理攻击。我们对三种代表性GNN模型和三个现实世界图数据集的广泛实验评估表明,我们提出的攻击始终超过三个基线方法,包括采用常规链接成员资格推理攻击来推断子图结构的方法。此外,我们设计了一种防御机制,将扰动引入节点嵌入,从而影响了目标模型的相应预测输出。我们的防御选择性地覆盖了节点床中的尺寸,这些尺寸对模型的准确性影响最小。我们的经验结果表明,我们的方法的防御效力与两种既定的防御技术相媲美,这些技术采用了差异隐私。此外,与现有的两种防御方法相比,我们的方法在防御强度和目标模型的准确性之间取得了更好的权衡。
本文似乎是一本有关固态物理和材料科学的学术书籍的目录,重点是晶体的电子特性。- **第1章**:使用Bloch定理,量子井中的能级,转移矩阵,谐振隧道和能量带中的一维周期电势中的电子。- **第2章**:使用直接和相互晶格(包括Wigner-Seitz原始细胞,布里鲁因区域和密度 - 态计算)涵盖晶体的几何描述。- **第3章**:解释了金属的Sommerfeld自由电子理论,涵盖了自由电子气体的量子理论,费米 - 迪拉克分布,电子特异性热和热发射发射。- **第4章**:深入研究单电子近似及以后,讨论了Hartree方程,确定性波函数,Hartree-fock方程,密度功能理论和均匀电子气体的相图。- **第5章**:介绍了各种晶体理论,包括紧密结合方法,正交平面波(OPW)方法,伪能力方法,蜂窝法,增强平面波(APW)方法和绿色的功能方法。- **第6章**:检查选定晶体的电子特性,重点是稀有气体固体,离子晶体,具有钻石结构的共价晶体,金属的带状结构和石墨烯的电子结构。- **第7章**:使用Thomas -Fermi模型在金属中讨论晶体中的激子,等离子体和介电筛选。关系进一步阅读第13章。关于材料科学基本原理和应用的第7章本章集合提供了材料科学中基本概念的全面概述,涵盖了从线性响应理论到晶体散射粒子的主题。章节分为三个主要部分:相互作用的电子核系统(第8-9章),晶体的晶格动力学(第9章)和晶体散射颗粒(第10章)。此外,还有关于金属光学特性的单独章节(第11章),另一章关于半导体和绝缘子的光学性质(第12章)。章节以每个主题的摘要开头,对主题进行了简要介绍。在某些章节的末尾还包括进一步的阅读部分。所涵盖的特定主题包括Lindhard模型中的介电筛选,表面等离子体和表面偏振子,相互作用的电子核系统以及绝热原理,晶体的晶格动力学,晶体散射的粒子,金属的光学特性以及半管转器和绝缘体的光学特性。这些章节对材料科学原则及其应用进行了详尽的研究,使其对现场的研究人员和学生有用。Transport in Inhomogeneous Semiconductors Abstract 14.1 Properties of the - Junction at Equilibrium 14.2 Current-Voltage Characteristics of the - Junction 14.3 The Bipolar Junction Transistor 14.4 Semiconductor Heterojunctions 14.5 Metal-Semiconductor Contacts 14.6 Metal-Oxide-Semiconductor Structure 14.7 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)进一步阅读第15章。Transport in Intrinsic and Homogeneously Doped Semiconductors Abstract 13.1 Fermi Level and Carrier Density in Intrinsic Semiconductors 13.2 Impurity Levels in Semiconductors 13.3 Fermi Level and Carrier Density in Doped Semiconductors 13.4 Non-Equilibrium Carrier Distributions 13.5 Generation and Recombination of Electron-Hole Pairs in Doped Semiconductors Appendix A统一掺杂的半导体中典型传输方程的解决方案进一步阅读第14章。磁场中的电子气体抽象15.1磁化和磁化率15.2磁场中游离电子气体的能量水平和密度 - 处于15.3 landau diamagnetism和de haas-van alphen效应15.4旋转旋转的自旋磁性旋转Paramagnetism a Paramagnetism a pelectron Gas 15.5 Magnetoresististive and Criffectial Hall效应和classical Hall效应15.6量子效应15.6量子166量子166量子166量子166量子166量子。磁化杂质的磁力抽象16.1磁化易感性的量子机械处理16.2原子或离子中壳的永久磁偶极子16.3局部磁矩的磁磁性16.4局部磁力16.4正常金属中的局部磁状态16.5正常金属16.5稀释的磁性元素和阻力降低了降低降低的磁化量。磁化杂质的磁力抽象16.1磁化易感性的量子机械处理16.2原子或离子中壳的永久磁偶极子16.3局部磁矩的磁磁性16.4局部磁力16.4正常金属中的局部磁状态16.5正常金属16.5稀释的磁性元素和阻力降低了降低降低的磁化量。晶体中的磁顺序抽象17.1铁磁和魏斯分子场17.2局部磁矩之间耦合的微观起源17.3平均场近似中的防铁磁性17.4旋转17.4旋转波和磁体在铁磁性晶体中的模型17.5 ISing Modaler的模型17.6巡回磁性附录一个解决的问题并补充了进一步阅读第18章。超导性抽象18.1超导体的某些现象学方面18.2库珀对构想18.3在零温度下BCS理论中超导体的基态18.4零温度下超导体的激发状态18.5在有限温度和热量的超导能力处理中,在有限的量子和热量下进行量子量的量子量表18.5对超导体的处理。6 18.8隧道效应附录A声子诱导的电子电子相互作用进一步读取索引