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World File Search System均匀性
朝着真正的数字孪生体的开发迈进……
工具/设备 工具的几何属性和表面光洁度。工具材料和性能。工具施加的力 工具/材料界面 工具/材料界面处的摩擦。润滑剂类型、温度和薄膜厚度。润滑剂热性能。变形区 变形机制。材料流动、流动速度。变形后的应力、应变和损伤分布。产品几何形状和性能 最终产品的几何形状（尺寸、厚度均匀性、表面光洁度和公差）。最终产品的机械性能
使用易于且易于访问的多线圈垫片改善大脑B0在超高场
抽象对象提高了超高野外系统的光滑功能，并在7 t处添加了可访问的低复杂性B 0用于头部MRI的Shim Array阵列。材料和方法八个频道B 0 Shim Coil阵列的设计是在易于改进和构造复杂性之间进行的权衡，以便可轻松使用Shim阵列，以提供可与标准的7 t Head coil一起使用的Shim阵列。使用开源八通道垫片放大器机架将阵列连接。将全脑和基于切片的光滑的场均匀性改善与标准的二阶光合物进行了比较，并与具有32和48个通道的更复杂的高阶动态垫片和垫片阵列进行了比较。结果八通道垫片阵列可在整个脑部静态弹药中提高12％，并在使用基于切片的垫片时提供了33％的改进。这样，八通道阵列的执行类似于三阶动态垫片（无需高阶涡流补偿）。更复杂的垫片阵列具有32和48个通道的性能更好，但需要专用的RF线圈。讨论设计的八通道Shim阵列提供了一种低复杂性和低成本方法，可改善B 0在超高场系统上的弹跳。在静态和动态杂物中，它在标准弹跳中提供了改进的B 0均匀性。
“GOST ISO/IEC 17025-2019。州际标准。测试和校准实验室能力的一般要求”（根据 2019 年 7 月 15 日的 Rosstandart 法令 N 385-st 生效）
标准样品，如标准品、校准标准品、标准样品、对照样品。 ISO 17034 提供了有关参考材料生产商 (RMP) 的附加信息。满足 ISO 17034 要求的参考材料制造商被视为有能力。制造商提供的符合 ISO 17034 要求的标准物质均附有数据表/证书，其中规定了指定特性的均匀性和稳定性等特性，对于认证标准物质，还规定了具有认证值的规定特性、其测量不确定度和计量可追溯性。
“GOST ISO/IEC 17025-2019。州际标准。测试和校准实验室能力的一般要求”（根据 2019 年 7 月 15 日的 Rosstandart 法令 N 385-st 生效）
标准样品，如标准品、校准标准品、标准样品、对照样品。 ISO 17034 提供了有关参考材料生产商 (RMP) 的附加信息。满足 ISO 17034 要求的参考材料制造商被视为有能力。制造商提供的符合 ISO 17034 要求的标准物质均附有数据表/证书，其中规定了指定特性的均匀性和稳定性等特性，对于认证标准物质，还规定了具有认证值的规定特性、其测量不确定度和计量可追溯性。
航空航天宣传册 FUTURE web
导电迹线和嵌入式电子产品 - 增材制造领域正在展开一场军备竞赛，以 3D 打印各种应用的导电迹线。这种能力将彻底改变电子产品和部件的零件设计和组装，这已不是什么秘密。从历史上看，挑战在于导电性和均匀性。通过与美国空军合作，Impossible Objects 正在开发一种打印导电迹线的新方法，并为嵌入式电子产品制定指导方针。这为具有预测性产品健康监测系统的智能产品铺平了道路。
GOST ISO/IEC 17025——...的一般要求
注1——标准物质和有证标准物质有多种名称，如标准品、校准标准品、标准物质、标准物质等。 ISO 17034 提供了有关参考材料生产商 (RMP) 的附加信息。满足 ISO 17034 要求的参考材料制造商被视为有能力。符合 ISO 17034 要求的制造商提供的标准样品附带护照/证书。除其他特性外，它决定了指定属性的均匀性和稳定性，以及有证标准物质、具有认证值的指定属性、其测量不确定度和计量可追溯性。
洁净室 HEPA 过滤器
Ahlstrom-Munksjö Glass 高效空气 Glass 高效空气产品涵盖了符合 EN1822 标准的从 E10 到 U17 的各种全机械效率介质，以及基于 MIL-STD-282 测试方法的美洲补充系列。产品组合的特点是低压降和高容尘量，以及卓越的介质均匀性，可确保在过滤器使用寿命期间获得最佳过滤性能。刚度和机械阻力经过优化，可在过滤器制造过程中提高生产率；是深褶和微褶应用的绝佳选择
mgieasy DNA适配器-96（板）套件用户手册4.0
MGIEASY DNA适配器-96（板）套件专门设计用于制备用于多重测序的MGI测序平台库。该套件可与各种图书馆准备套件一起使用。该套件包含96个不同的单条形码适配器，该适配器最多支持96个样本，用于库构建和多重测序的批处理处理。套件经过严格的质量控制和功能验证，以确保库构造的最大稳定性和可重复性，以及测序数据拆分的均匀性和准确性。
触觉溅射目标中的纹理不均匀性
溅射沉积如图1所示，溅射沉积过程是通过用离子轰击所需沉积材料的目标来完成的。事件离子在目标内引发碰撞级联。当级联反应以足够的能量克服表面结合能到达目标表面时，可以弹出原子。溅射室的示意图如图2所示。电场将传入的气体电离（通常是氩气）。阳性离子轰击靶（阴极）和溅射原子在底物上（阳极）。可以加热底物以改善键合。溅射产量（即从每个入射离子射出的原子的平均原子数）取决于几个参数，包括相对于表面的离子入射角，离子的能量，离子和靶原子的相对质量以及靶原子的表面结合能。虽然影响溅射的相对较大的数字参数使其成为一个复杂的过程，但具有如此多的控制参数可以对所得膜的生长和微观结构进行很大程度的控制。各向异性的晶体靶材料，晶格相对于靶表面的方向影响溅射产量。在多晶溅射目标中，以不同速率的不同方向溅射的晶粒。这可能会影响沉积薄膜的均匀性。一个关键控制参数是目标材料中纹理的均匀性。图3显示了铜单晶溅射产量的各向异性（Magnuson＆Carlston，1963年）。所有面部中心材料的一般趋势均具有：S（111）> s（100）> s（110）。
半导体直拉生长的最佳对流条件
由于碳浓度对于高功率器件至关重要，因此这些晶体是通过更复杂的垂直浮区工艺生长的。砷化镓主要用于光通信和显示器，以及即将在微电子（高速 FET 和 HEMT 器件）和功率器件（FET 阵列）中应用，到目前为止，砷化镓还无法在商业上生长到所需的质量。通过掺杂和减小生长过程中的温度梯度（液体封装的 Czochralski IILEC“和水平 Bridgman“舟式生长”），位错问题已有所缓解。然而，腐蚀坑密度 (EPD) 小于 * 10 3 cm- 2 的 GaAs 晶体尚未实现商业化，典型的 EPD 在 10 4 和 10 5 cm- 2 之间 • GaAs 的其他问题包括非化学计量、非均匀性。漩涡状缺陷。深能级缺陷 EL2，以及实现用于高速设备的半绝缘材料（没有高度扩散的补偿铬）所需的纯度。人们普遍希望 GaAs 也可以通过 Czochralski 工艺经济地生产（产生首选的圆形晶片而不是 Bridgman 工艺的 D 形晶片）。并且上述大多数问题可以通过适当调整生长参数来解决。一个重要的切克劳斯基生长中最重要的参数是对流，它决定了均匀性和涡流状和 EL2 缺陷的分布（和数量？）。下文将描述切克劳斯基过程中的各种对流方式，并介绍最有希望优化切克劳斯基熔体对流条件的方法。