机构名称：
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由于碳浓度对于高功率器件至关重要，因此这些晶体是通过更复杂的垂直浮区工艺生长的。砷化镓主要用于光通信和显示器，以及即将在微电子（高速 FET 和 HEMT 器件）和功率器件（FET 阵列）中应用，到目前为止，砷化镓还无法在商业上生长到所需的质量。通过掺杂和减小生长过程中的温度梯度（液体封装的 Czochralski IILEC“和水平 Bridgman“舟式生长”），位错问题已有所缓解。然而，腐蚀坑密度 (EPD) 小于 * 10 3 cm- 2 的 GaAs 晶体尚未实现商业化，典型的 EPD 在 10 4 和 10 5 cm- 2 之间 • GaAs 的其他问题包括非化学计量、非均匀性。漩涡状缺陷。深能级缺陷 EL2，以及实现用于高速设备的半绝缘材料（没有高度扩散的补偿铬）所需的纯度。人们普遍希望 GaAs 也可以通过 Czochralski 工艺经济地生产（产生首选的圆形晶片而不是 Bridgman 工艺的 D 形晶片）。并且上述大多数问题可以通过适当调整生长参数来解决。一个重要的切克劳斯基生长中最重要的参数是对流，它决定了均匀性和涡流状和 EL2 缺陷的分布（和数量？）。下文将描述切克劳斯基过程中的各种对流方式，并介绍最有希望优化切克劳斯基熔体对流条件的方法。
半导体直拉生长的最佳对流条件
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