摘要:近年来,中国已经发掘了许多文化文物,但其保存状态并不乐观。根本原因是文化遗物已被埋葬在地下近一千年,而挖掘后的温度,湿度,光辐射和空气条件等突然的环境变化破坏了以前形成的平衡,这自然会对文化文物产生巨大影响。本文主要研究中国文化遗物的埋藏环境与发掘的保存状况之间的关系,强调了两者之间的重要联系,并找到了一些因素的文化文化遗物状况的某些因素。通过案例分析,比较分析和其他研究方法,本文发现,无论掩埋环境是好是坏,掩埋环境的变化以及出土环境的突然变化是文化文物保存状况的核心影响。换句话说,平衡的破坏是对文化文物的最大破坏,
NAVFAC 开放环境修复资源 (OER2):确定 MEC/MPPEH 水下埋藏深度的方法军用弹药被发现在某些水下位置,这是历史处置活动以及实弹训练、测试和其他操作的结果。在水下环境中仍能发挥作用的射弹和其他弹药构成爆炸危险,可能会迁移,使人员接触到这些弹药。这种爆炸危险的管理很复杂,取决于特定地点的考虑因素,例如弹药类型、海洋环境、移动潜力以及人员如何接触和与弹药互动。本次网络研讨会的目的是总结为了解水下环境中弹药的移动性和埋藏而开发的科学。将介绍环境观测、弹药观测技术、移动性和埋藏现场观测、移动与埋藏的物理学以及埋藏的物理过程建模。演示将以将这些知识在现有场地的实际应用结束。 演讲者:Bryan Harre,NAVFAC EXWC 和 Joe Calantoni,美国 NRL 博士 日期:2022 年 11 月 9 日,星期三 时间:太平洋时间上午 11 点 | 美国东部时间下午 2 点 通过以下链接注册参加网络研讨会:https://einvitations.afit.edu/inv/anim.cfm?i=697664&k=0468450F7D53 如果您无法点击链接,请将地址复制并粘贴到您的网络浏览器中。 州际技术与监管委员会 (ITRC) 关于可持续弹性修复 (SRR) 的网络研讨会 极端天气事件会对修复措施保护人类健康和环境的能力产生不利影响。可持续弹性修复 (SRR) 被定义为“清理和再利用危险废物场地的优化解决方案,可限制负面影响、最大化社会和经济效益并增强对日益增加的威胁的抵御能力”。该网络研讨会介绍了一些工具,可帮助将可持续和有弹性的实践融入修复项目中。主题:可持续的弹性修复演讲者:ITRC 日期:2022 年 11 月 17 日时间:太平洋时间上午 10 点 | 美国东部时间下午 1 点通过以下链接注册参加 ITRC 网络研讨会:https://clu-in.org/conf/itrc/SRR/有关更多信息,请查看 ITRC 关于此主题的报告:https://srr-1.itrcweb.org/ RPM 培训活动主题的最后一次征集 RPM 培训主题的最后一次征集:现在到 2022 年 11 月 16 日链接:https://einvitations.afit.edu/inv/anim.cfm?i=699708&k=04684B0E7B5F RPM 培训日期更新:2023 年 3 月 14 日至 16 日*这与原始/预计日期不同* 正在评估场地,活动举办批准将决定最终日期和地点。
近年来,半导体技术的不断缩小,极大地受益于三维(3D)集成技术和三维晶体管的快速发展。1 – 7预计未来迫切需要在更复杂的3D器件和3D动态随机存取存储器(3D DRAM)方面取得进一步进展。在此过程中,需要开发和采用许多创新的测量技术来表征3D器件和3D单元,以深入了解新器件和新材料的结构-功能关系,从而辅助设计性能更佳的先进3D器件。随着3D器件变得越来越复杂,涉及更多的埋置固/固界面,而这些埋置界面上的分子相互作用对整个器件的性能起着关键作用,应进行原位研究。极紫外 (EUV) 光刻技术已用于 3D 技术,其通过次数不断增加,可用于 7 纳米和 5 纳米节点逻辑集成电路以及 16/14 纳米节点 DRAM 的批量生产。8 – 10 与 193 纳米浸没式光刻技术相比,
了解纳米级热传播的基本原理对于下一代电子产品至关重要。例如,已知层状材料的弱范德华键会限制其热边界导率 (TBC),从而成为散热瓶颈。本文提出了一种新的非破坏性方法,使用时间分辨的光致热应变 X 射线测量来探测纳米级晶体材料中的热传输。该技术通过测量光激发后 c 轴晶格间距的变化,直接监测晶体中随时间的温度变化以及随后跨埋层界面的弛豫。研究了五种不同的层状过渡金属二硫属化物 MoX 2 [X = S、Se 和 Te] 和 WX 2 [X = S 和 Se] 的薄膜以及石墨和 W 掺杂的 MoTe 2 合金。在室温下,在 c 平面蓝宝石衬底上发现 TBC 值在 10–30 MW m − 2 K − 1 范围内。结合分子动力学模拟,结果表明高热阻是界面范德华键合较弱和声子辐射度较低造成的。这项研究为更好地理解新兴 3D 异质集成技术中的热瓶颈问题奠定了基础。