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World File Search System堆栈
检查存储堆栈：比较美国电表后储能国家政策堆栈
市场对 BTM 电池储能的兴趣（通常与太阳能或其他分布式发电资产搭配使用）是由经济、对弹性的兴趣和政策因素推动的。首先，经济应用包括电力套利，分布式发电客户可以在发电过剩时（免费或低成本）给电池充电，在需求旺盛时（价格高）放电，从而从分布式发电系统产生更多经济价值（Cook、Ardani 等人，2018 年）。在某些州，例如夏威夷，商业客户还可以使用电池来减少峰值负荷，通过需求电费管理节省成本。在许多州，电池储能资产可以聚合到虚拟发电厂中，以提供各种电网服务，包括负荷响应、电压调节和频率响应（Cook、Ardani 等人，2018 年；Bowen 和 Gokhale-Welch，2021 年）。其次，BTM 储能资产已部署用于各种弹性应用。大多数 BTM 储能设备可以与孤岛控制和太阳能相结合，在电网中断期间提供备用电源，使居民和企业能够继续运营关键设施和应用（Booker，2021 年）。第三，政策驱动因素可以激励 BTM 储能部署。联邦、州和地方政策制定者可以影响 BTM 市场以及跨州的区域电力市场。本报告重点关注州政策，加利福尼亚州（Hart，2017 年；加州能源委员会，2018 年）和马萨诸塞州（Engel，2021 年）等多个州都制定了一系列政策，以支持或鼓励采用 BTM 储能。
E-Cell-3x 堆栈
注释：1. 实际性能可能因现场条件而异。参考 Winflows 预测软件来验证预期的产品水质以及为设计条件提供的电阻率、钠和二氧化硅性能保证。要获得硼或其他保证，请联系威立雅。2. 入口压力由产品和浓缩液流的下游压力要求、逆流或并流操作的选择以及烟囱压降决定。3. 在标称流量和 25°C 下。参考 Winflows 预测软件来验证设计条件。4. 参考 Winflows 预测软件和 E-Cell Stack 用户手册来验证设计条件的给水规格。5. TEA（以 CaCO 3 计的 ppm）- 总可交换阴离子，这表示给水中存在的所有阴离子的浓度，包括来自 OH - 、CO 2 和 SiO 2 的贡献。必须使用 Winflows 来确认给水 TEA 在特定应用的操作条件下是可接受的。表格值是在最小流量和最大温度下得出的。 6. 1.0 ppm CaCO 3 进水硬度限值仅适用于标准逆流操作。在并流操作中，允许的进水硬度降至 0.1 ppm CaCO 3 。
用 HfO 2 /In 2 O 3 栅极堆栈表征超薄原子层沉积氧化物半导体 MOS 电容器中的界面和体陷阱
氧化物半导体重新引起了人们对用于单片三维 (3D) 集成的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 后端 (BEOL) 兼容器件的兴趣。为了获得高质量的氧化物/半导体界面和体半导体，提高氧化物半导体晶体管的性能至关重要。据报道，原子层沉积 (ALD) 氧化铟 (In 2 O 3 ) 具有优异的性能，例如高驱动电流、高迁移率、陡亚阈值斜率和超薄沟道。在本文中，使用 C – V 和电导方法系统地研究了 ALD In 2 O 3 晶体管的 MOS 栅极堆栈中的界面和体陷阱。从 C – V 测量中的积累电容直接获得了 0.93 nm 的低 EOT，表明高质量的栅极氧化物和氧化物/半导体界面。通过 TCAD 对 C – V 和 G – V 特性的模拟，证实了 In 2 O 3 块体中亚带隙能级的缺陷是造成 GP / ω 与 ω 曲线中电导峰的原因。从 C – V 测量中提取了 1×10 20 /cm 3 的高 n 型掺杂。使用电导方法实现了 3.3×10 20 cm − 3 eV − 1 的高亚带隙态密度 (DOS)，这有助于实现高 n 型掺杂和高电子密度。高 n 型掺杂进一步证实了通道厚度缩放的能力，因为电荷中性水平在导带内部深度对齐。
e-cell MK-3堆栈
总氯<0.05 mg/l <0.05 ppm fe，mn，h 2 s <0.01 mg/l <0.01 mg/l <0.01 ppm boron注意8 <1.0 mg/l <1.0 mg/l <1.0 ppm pH 4至11油＆润滑油和油脂无检测到可检测的颗粒物注释9 ro透明的氧化剂，无透明的氧化剂，无探测的固定剂。实际性能可能会根据现场条件而有所不同。参考绞盘投影软件，以验证预期的产品水质以及电阻率，钠和二氧化硅性能保证了为设计条件提供的。要获得硼或其他保证，请联系威尔利亚。2。入口压力取决于产品和浓缩流的下游压力要求，反流或共流操作的选择以及堆栈压力下降。3。在名义流和25°C下。参考绞盘投影软件以验证设计条件。4。引用Winflows投影软件和E-Cell堆栈所有者手册，以验证设计条件的供水水规格。5。茶（ppm作为CACO 3） - 总可交换阴离子，这代表了进料水中所有阴离子的浓度，包括OH - - CO 2和SIO 2的贡献。winflows必须用于确认在特定应用程序的操作条件下可以接受饲料水茶。表值是在最小流量和最高温度下。6。1.0 ppm作为CACO 3馈电硬度极限仅适用于标准的反电流操作。允许的馈电水硬度在共流流动过程中作为CACO 3降至0.1 ppm。
高温氧化物电解堆栈制造
2023财年对国防核不扩散拨款的预算请求反映了2021财年颁布水平的总体增长3.8％。此变化由以下增加的增加组成：新的高测低含量铀（Haleu）恢复项目；增加对武器控制监控和验证的支持；并为了解决核反增殖的关键差距的反恐和反扩散；并支持核紧急支持小组（NEST）执行DOE的主要任务基本功能 - 2，应对核事件。公法授权：•P.L。106-65，《国家核安全管理法》，经修订•P.L. 117-81，《 2022财政年度国防授权法》•P.L. 117-103，《合并拨款法》，2022年106-65，《国家核安全管理法》，经修订•P.L.117-81，《 2022财政年度国防授权法》•P.L. 117-103，《合并拨款法》，2022年117-81，《 2022财政年度国防授权法》•P.L.117-103，《合并拨款法》，2022年
利用声发射测试方法测定多层堆栈压头裂纹概率
曲线）。相关的声感应电压信号显示为绿点，即所谓的 AE 命中。每个命中的峰值幅度以 dB AE 为单位绘制（参考值 1 μV）。在给定的示例中，时间相关的力曲线在接触力高达约 230 mN 时是非线性的，同时在阈值电压 U th 23 dB AE 以上测量到大量 AE 命中。这种影响是由于压头随着接触载荷的增加而穿透 Al-Cu 顶层，该顶层发生塑性变形并且压痕深度不断增加（见图 7a）。AE 命中的数量及其峰值幅度随着穿透深度的增加而减少。在接触力超过 230 mN 时，只会发生孤立的低幅度命中。在 Al-Cu 顶层上压痕时 SiO x 层开始开裂，接触力 F c 为 367 mN，峰值幅度 A peak 为 55.9 dB AE 。图 6b 绘制了裂纹诱发的 AE 冲击的示例性波信号及其整个信号持续时间。[1]
GaN 高电子迁移率晶体管外延堆栈中穿线位错引起的垂直场不均匀性
数据可用性声明：支持本研究结果的数据可根据合理要求从通讯作者处获取。1 H. Amano、Y. Baines、E. Beam 等人，2018 年 GaN 电力电子路线图，Journal of Physics D: Applied Physics。51，(2018)。2 K. Husna Hamza 和 D. Nirmal，GaN HEMT 宽带功率放大器综述，AEU - 国际电子和通信杂志。116，153040 (2020)。3 G. Meneghesso、M. Meneghini、I. Rossetto、D. Bisi、S. Stoffels、M. Van Hove、S. Decoutere 和 E. Zanoni，GaN 基功率 HEMT 的可靠性和寄生问题：综述，半导体科学与技术。31，(2016)。 4 JA del Alamo 和 J. Joh，GaN HEMT 可靠性，微电子可靠性。49，1200-1206 页 (2009)。5 M. Meneghini、A. Tajalli、P. Moens、A. Banerjee、E. Zanoni 和 G. Meneghesso，基于 GaN 的功率 HEMT 中的捕获现象和退化机制，半导体加工材料科学。78，118-126 页 (2018)。6 B. Kim、D. Moon、K. Joo、S. Oh、YK Lee、Y. Park、Y. Nanishi 和 E. Yoon，通过导电原子力显微镜研究 n-GaN 中的漏电流路径，应用物理快报。104，(2014)。 7 M. Knetzger、E. Meissner、J. Derluyn、M. Germain 和 J. Friedrich，《用于电力电子的碳掺杂变化与硅基氮化镓垂直击穿之间的关系》，《微电子可靠性》。66，16-21 (2016)。 8 A. Lesnik、MP Hoffmann、A. Fariza、J. Bläsing、H. Witte、P. Veit、F. Hörich、C. Berger、J. Hennig、A. Dadgar 和 A. Strittmatter，《碳掺杂氮化镓的性质，固体物理状态 (b)》。254，(2017)。 9 B. Heying、EJ Tarsa、CR Elsass、P. Fini、SP DenBaars 和 JS Speck，《位错介导的氮化镓表面形貌》，《应用物理学杂志》。 85,6470-6476 (1999)。
与介电堆栈的开放空腔中的轻度互动
考虑到多层介电镜的影响，我们评估了单个发射极和光腔内的辐射场之间的精确偶极耦合强度。我们的模型允许一个人自由地改变腔的共振频率，光或原子过渡的频率以及介电镜的设计波长。耦合强度是针对具有未结合频率模式的开放系统得出的。在非常短的空腔中，用于确定其模式体积和定义的长度的有效长度不同，并且也发现与它们的几何长度有明显不同的分歧，并且辐射线在介电镜中最强。对于腔体比其谐振波长长得多，该模式体积通常从其几何长度中采用的模式进行接近。
NEZ Perce太阳能和能源倡议 2021 BTO同行评审-UVA-BIO基于生命的相变材料（PCMS）用于热量存储 标题17创新清洁能源 过渡2020年，发行论文 碳捕获，运输和存储 高温氧化物电解堆栈制造 doe fy 2023预算请求第1卷国防核不扩散 2022联邦能源和水管理奖的标准和指南 通用服务灯的定义 Plaquemines LNG DOE修订申请... 战略愿景 从煤炭和煤炭副产品中恢复稀土元素和关键材料 Stanford地热研讨会2021 消费炉的节能标准 创新集群的能源计划（EPIC） 跟踪工作组
可以解决气候变化和自然资源问题，促进生态正义，缓解策略，能源消耗，能源开发，环境健康，劳动力发展以及将部落更加绿色的所有努力，利用可持续的方法论，并代表NEZ PERCE PERCE TRIVE和代表Nez Perce Trive。
以应用为导向的全量子计算堆栈整体基准测试
量子计算系统需要根据其预期执行的实际任务进行基准测试。在这里，我们提出了 3 个“应用驱动”电路类别用于基准测试：深度（与变分量子特征值求解算法中的状态准备相关）、浅层（受 IQP 型电路启发，可能对近期量子机器学习有用）和平方（受量子体积基准测试启发）。我们使用几个性能指标来量化量子计算系统在运行这些类别的电路时的性能，所有这些性能指标都需要指数级的经典计算资源和来自系统的多项式数量的经典样本（位串）。我们研究性能如何随所使用的编译策略和运行电路的设备而变化。使用 IBM Quantum 提供的系统，我们检查了它们的性能，结果表明噪声感知编译策略可能有益，并且根据我们的基准测试，设备连接性和噪声水平对系统性能起着至关重要的作用。