摘要已开发了不对称扩展源隧道场效应晶体管(AES-TFET)的二维分析模型,以获得更好的设备性能。已通过求解2-D Poisson的方程来分析并执行所提出的设备模型。表面电势分布,电场变化和带对频带隧道(BTBT)速率已通过此数值建模研究。TFET新颖结构的源区域已扩展(不同的2 nm至6 nm),以结合角效应,从而通过薄薄的隧道屏障进行了BTBT,并具有受控的双极传导。这最终为N通道AES-TFET产生了更好的源通道接口隧道。2-D数值设备模拟器(Silvaco TCAD)已用于模拟工作。最终通过AES-TFET的分析建模来验证模拟工作。更好的是,我关闭和切换比是从这个新颖的TFET结构中获得的。关键字AES-TFET·表面电势分布·电场变化·BTBT·TCAD·数值建模。1介绍纳米科学和纳米技术在纳米级设备中的出现,晶体管的物理大小已被绝对地缩小。通过遵循2022年摩尔的法律预测,微型化已达到其对金属氧化物施加效应晶体管(MOSFET)的极限[1]。在这方面,过去二十年中已经出现了各种扩展问题。短通道效应(SCE),排水诱导的屏障降低(DIBL)[2]。 ritam dutta ritamdutta1986@gmail.com短通道效应(SCE),排水诱导的屏障降低(DIBL)[2]。ritam dutta ritamdutta1986@gmail.com为了克服这些问题,在新型MOSFET结构中正在进行持续的研究。但是,在目前的情况下,在60mv/十年的MOSFET上有限的子阈值摇摆(SS)是研究人员的主要缺点。
摘要在本文中,已经开发了不对称高架源隧道场效应晶体管(AES-TFET)的二维分析模型,以获得更好的隧道连接装置性能。基于设备物理学的分析建模是通过求解2-d poisson方程进行的。表面电势分布,电场变化和带对波段隧道(B2B)的速率已通过此数值建模研究。在我们提出的结构中,来源已升高(不同的2 nm至6 nm)以融合角效应。这可以通过薄隧道屏障进行载体运输,并具有控制的双极传导。这最终为N通道AES-TFET结构产生更好的源通道界面隧道。2-D数值设备模拟器(Silvaco TCAD)已用于模拟工作。模拟图形表示最终通过AES-TFET的分析建模验证。关键字AES-TFET·表面电势分布·电场变化·B2B隧道·TCAD·数值建模。1介绍纳米科学和纳米技术在纳米级设备中的出现,晶体管的物理大小已被绝对地缩小。通过遵循2022年摩尔的法律预测,微型化已达到其对金属氧化物施加效应晶体管(MOSFET)的极限[1]。在这方面,过去二十年中已经出现了各种扩展问题。短通道效应(SCE),排水诱导的屏障降低(DIBL)[2]。 为了克服这些问题,在新型MOSFET结构中正在进行持续的研究。短通道效应(SCE),排水诱导的屏障降低(DIBL)[2]。为了克服这些问题,在新型MOSFET结构中正在进行持续的研究。但是,在目前的情况下,在60mv/十年的MOSFET上有限的子阈值摇摆(SS)是研究人员的主要缺点。ritam dutta ritamdutta1986@gmail.com
摘要 — 过去几年,随着量子计算硬件的快速发展,人们开发了多种量子软件堆栈 (QSS)。QSS 包括量子编程语言、优化编译器(将用高级语言编写的量子算法转换为量子门指令)、量子模拟器(在传统设备上模拟这些指令)以及软件控制器(将模拟信号发送到基于量子电路的非常昂贵的量子硬件)。与传统的编译器和架构模拟器相比,由于结果的概率性质、缺乏明确的硬件规格以及量子编程的复杂性,QSS 难以测试。这项工作设计了一种新颖的 QSS 差分测试方法,称为 QD IFF,具有三大创新:(1) 我们通过保留语义的源到源转换生成要测试的输入程序以探索程序变体。 (2) 我们通过分析电路深度、2 门操作、门错误率和 T1 弛豫时间等静态特性,过滤掉不值得在量子硬件上执行的量子电路,从而加快差分测试速度。(3)我们通过分布比较函数(如 Kolmogorov-Smirnov 检验和交叉熵)设计了一种可扩展的等效性检查机制。我们使用三个广泛使用的开源 QSS 评估 QD IFF:IBM 的 Qiskit、Google 的 Cirq 和 Rigetti 的 Pyquil。通过在真实硬件和量子模拟器上运行 QD IFF,我们发现了几个关键的错误,揭示了这些平台中潜在的不稳定性。QD IFF 的源变换可有效生成语义等价但不相同的电路(即 34% 的试验),其过滤机制可将差分测试速度提高 66%。
本社区分布式发电 (“CDG”) 净信用手册 (“手册”) 规定了纽约联合爱迪生公司 (“Con Edison” 或“公司”) 对希望参与净信用的 CDG 提供商的程序要求。背景情况是,2015 年 7 月 17 日,公共服务委员会 (“PSC” 或“委员会”) 发布了《建立社区分布式发电计划并在案件 15-E-0082 中做出其他调查结果的命令》(“社区分布式发电命令”或“CDG 命令”),根据该命令制定了实施社区净计量的政策、要求和条件,以下简称 CDG。随后,2017 年 3 月 9 日,委员会在案件 15-E-0751 中发布了关于净能源计量过渡、分布式能源资源价值第一阶段及相关事项的命令(“分布式能源资源价值命令”或“VDER 命令”),其中更新了 CDG 的政策、要求和条件,以反映从净计量过渡。2017 年 10 月 19 日,委员会在案件 15-M-0180 中发布了关于为分布式能源资源供应商建立监督框架和统一商业惯例的命令,该命令为监督分布式能源资源供应商(“DERS”或“DER 供应商”)建立了统一商业惯例(“UBP-DERS”),并为 CDG 提供商制定了一套更具体、更详细的规定。最后,2018 年 9 月 12 日,委员会发布了《价值堆栈资格扩展和其他事项命令》(“扩展命令”),允许更多发电机技术类型成为 CDG 主机。
摘要 - 尽管具有巨大的潜力,但仍不清楚量子计算如何扩展以满足其最强大的应用程序的要求。除其他问题外,可以将可以集成到单个芯片中的量子位数量很大。多核架构是解锁量子处理器可扩展性的公司候选者。尽管如此,量子通信的脆弱性和复杂性使这是一个具有挑战性的方法。全面的设计应意味着整合量子计算机体系结构中的通信堆栈。在本文中,我们通过在设计核心中纠缠沟通和计算可能有助于解决开放挑战来解释这种愿景。我们还总结了我们应用结构化设计方法支持该愿景的第一个结果。通过我们的工作,我们希望通过设计指南做出贡献,这些指南可能有助于释放量子计算的潜力。
在本文中,我们研究了在漏极侧加入 HfO 2 作为电介质并在源极侧加入硅堆栈对双栅极隧道 FET(DG-TFET)电气性能的影响。为此,我们将传统 TFET 结构与其他四种结构进行了比较,这四种结构的栅极电介质材料要么是同质的,要么是异质的,而漏极侧的绝缘体要么是 SiO 2 要么是 HfO 2 。此外,还提出了一种具有硅源堆栈的结构,并将器件的性能系数与其他对应结构进行了比较。我们的模拟结果表明,漏极侧存在 HfO 2 绝缘体会降低双极传导,而异质栅极电介质则会增强驱动电流和跨导。但是,与传统 TFET 相比,HfO 2 会略微降低源极-栅极和漏极-栅极电容。此外,在所研究的 50 nm 沟道长度 TFET 中,硅源极堆栈与异质栅极电介质和漏极侧的 HfO 2 绝缘体的结合,可实现更高的 I ON /I OFF 比、更低的亚阈值斜率 (S) 和更低的双极传导。
摘要已开发了不对称扩展源隧道场效应晶体管(AES-TFET)的二维分析模型,以获得更好的设备性能。已通过求解2-D Poisson的方程来分析并执行所提出的设备模型。表面电势分布,电场变化和带对频带隧道(BTBT)速率已通过此数值建模研究。TFET新颖结构的源区域已扩展(不同的2 nm至6 nm),以结合角效应,从而通过薄薄的隧道屏障进行了BTBT,并具有受控的双极传导。这最终为N通道AES-TFET产生了更好的源通道接口隧道。2-D数值设备模拟器(Silvaco TCAD)已用于模拟工作。最终通过AES-TFET的分析建模来验证模拟工作。更好的是,我关闭和切换比是从这个新颖的TFET结构中获得的。
摘要 — 与电子设备对话并在最短时间内获取所需信息已成为当今的常态。尽管人工智能对话代理已经渗透到商业市场,但它们在公共环境中的使用仍在不断发展。我们假设在灾害多发地区部署聊天机器人可以有利于在危机期间观察、监控和警告人们。此外,成功实施这种技术可以挽救生命。在这项工作中,我们讨论了部署一个名为 FloodBot 的实时洪水监测聊天机器人。我们收集、注释和视觉解析潜在危险区域的图像。我们通过堆叠深度学习模型(例如卷积神经网络 (CNN)、单次多框物体检测 (SSD))来检测洪水状况并识别危险物体。然后,我们将图像内容输入到我们的人工智能 FloodBot 的知识库中,并使用端到端内存网络探索其 AI 对话能力。我们还展示了跨领域迁移学习和模型融合技术的强大功能。索引词 — 聊天机器人、深度学习、计算机视觉、深度自然语言处理、移动计算
CDG 卫星 3 5% 30.000% (180) $ - $ (180) $ 50 $ (50) $ -$2.50 (47.50) $ 不包括锚定卫星 N/A 10.000% (60) $ (400) $ (460) $ 1,000 $ (460) $ - $