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World File Search System外延
在电信 C 波段附近的金属有机气相外延中通过改进的液滴外延在 InGaAsP/InP(100) 上自组装 InAs 量子点，用于量子光子应用
这些材料在激光中被广泛应用，包括作为激光器中的活性介质[3-5]、作为量子信息技术的纯单光子和纠缠光子对源[6]、以及作为新型纳米存储器件的构建块。[7-9] 特别是 InAs/InP 量子点，由于其与 1.55 μ m 的低损耗电信 C 波段兼容，目前作为单光子发射器非常有吸引力。[10,11] 金属有机气相外延 (MOVPE) 中的液滴外延 (DE) 是一种新近且非常有前途的 QD 制造方法，因为它结合了大规模外延技术和多功能外延方法。[12-15] 这是一种相对较新的工艺，其生长动力学尚未完全了解，特别是对于与电信波长兼容的 III-V 材料系统，例如 InAs/InP。因此，它在制造用于广泛应用的电信 QD 方面具有巨大的发展潜力。此外，使用 InP 作为基质材料可以实现 InAs 量子发射体的生长，而无需任何额外的变质缓冲剂（例如 AlInAs/GaAs）。[16 – 18]
nionride薄膜在MGO底物上的高温外延生长：结构进化和鱿鱼应用的潜力。
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温度依赖性范德华外延 - repositiTUm
本研究探索了 SrF 2 在高取向热解石墨 (HOPG) 上的分子束外延 (MBE) 生长，重点介绍了生长形态、晶体结构和电子特性随温度的变化。使用原子力显微镜 (AFM)、反射高能电子衍射 (RHEED)、紫外光电子能谱 (UPS) 和 X 射线光电子能谱 (XPS) 对 SrF 2 /HOPG 界面进行了全面表征。光谱数据表明，氟化物与基底的化学相互作用在沉积过程中的每个沉积厚度和基底温度下都很弱，表明在范德华外延状态下生长。沉积在 HOPG 上的 SrF 2 纳米结构在晶体度和成分方面表现出独特的块状特征，即使在最初的生长阶段也是如此。值得注意的是，温度在驱动生长模式中起着至关重要的作用，从室温下树枝状岛的聚结转变为在较高温度（400 ◦ C）下沿 HOPG 梯田台阶边缘诱导近 1D 行。
4H-SiC(0001) 上的准独立外延石墨烯作为开尔文探针力显微镜的二维参考标准
开尔文探针力显微镜是一种评估样品和探针尖端之间接触电位差的方法。除非使用具有已知功函数的参考标准（通常是块状金或高取向裂解热解石墨），否则它仍然是一种相对工具。在本报告中，我们建议采用光刻图案化、引线键合结构的形式来验证二维标准，该结构采用无转移 p 型氢插入准独立外延化学气相沉积石墨烯技术在半绝缘高纯度名义上轴上 4H-SiC(0001) 上制造。该特定结构的空穴密度为𝑝 𝑆 = 1.61 × 10 13 cm − 2，通过经典霍尔效应测得，其石墨烯层数为𝑁 = 1.74，该值是从椭偏角𝛹的分布中提取的，在入射角AOI = 50 ◦和波长𝜆 = 490 nm处测量，其功函数为𝜙 𝐺𝑅 = 4.79 eV，由特定𝑝 𝑆 和𝑁的密度泛函理论模型假定。按照该算法，结构和硅尖端之间的接触电位差在𝛥𝑉 𝐺𝑅 −Si = 0处得到验证。 64 V ，应该与𝜙 𝐺𝑅 = 4.79 eV 相关，并作为精确的参考值来计算任意材料的功函数。
外延核/壳纳米晶体（掺杂铕）氧化锆和氧化铪
ZrO 2 和 HfO 2 NC 均用作光学活性镧系元素离子（例如铕）的主体。1,14-18 氟化物（例如 NaYF 4 和 NaGdF 4 ）是另一类广泛用作镧系元素主体的纳米晶体，用于上转换和下转换。19-23 在氟化物体系中，合成工艺已经很成熟，可以在纳米晶体内精确定位掺杂剂，并在掺杂核上生长未掺杂的壳。后者产生核/壳结构，这在半导体纳米晶体（量子点）领域是首创的，用于防止激发电子和空穴与表面陷阱相互作用。24、25 同样，壳层保护镧系元素免受表面效应的影响，从而提高上转换和下转换过程的量子效率。 26 此外，在镧系元素掺杂的氟化物的情况下，多层结构可提供受控的能量级联。27 更高的量子效率加上较长的寿命使其可用于时间门控荧光成像等。15、28 由于生产具有复杂（例如核/壳）结构的胶体稳定氧化物纳米晶体的合成挑战，氧化物主体的使用范围较窄。29 但是，氧化物主体的化学性质更稳定，而氟化物可溶解在高度稀释的水介质中。30
多层菱形过渡的界面外延 -
与其六角形对应物不同的菱形堆叠的过渡金属二色元（3R-TMD）表现出较高的载流子迁移率，滑动铁电性，并相干增强了非线性光学响应。然而，很难大型多层单晶单晶的表面外延生长。我们报告了一种界面外观方法，用于它们的几种成分，包括二硫化钼（MOS 2），二苯胺钼，二硫化牛二硫化物，二硫化钨，二硫代二硫化钨，二硫化二硫化物，二硫化硫化物，二氮氮化物，二氧化氢和丙二氧化氢脱硫酸盐。将金属和果酱饲喂持续到单晶Ni底物和生长层之间的界面可确保一致的3R堆叠序列，并从几层到15,000层受控厚度。全面的特征证实了这些薄膜的大规模均匀性，高结晶度和相位纯度。生长的3R-MOS 2分别显示出双层和三层的室温迁移率最高为155和190平方厘米。具有厚3R-MOS 2的光学差异频率产生在准相匹配条件下显示出明显增强的非线性响应（比单层大5个数量级）。t
超宽带隙Ga2O3合金的分子束外延生长的进步
需求：•介电层带隙能大于底物（〜10 k b t或更多）•〜1至〜100 nm的厚度可变厚度•高度绝缘材料具有低意外掺杂浓度的高度绝缘材料•高质量的界面无陷阱和缺陷
FMMT591 PNP 硅外延平面晶体管
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高度AV块患者的经胸蛋白心脏淀粉样变性的患病率 石墨烯 - 电解质双层的恒定化学势 - Quantum机械 - 分子动力学模拟 使用多个光学局部合作移动操纵器 基于网络切片和数字双胞胎的可自定义且可靠的机器人互联网 静止状态功能连接性MRI的定量评估 分子束外延的v> v沟硅 昆虫在人类世尼克·布Blüthgen1†，lynn v ... 中下降 基于点云断层扫描的3-D结构中有效的全球导航规划
抽象的物镜经硫代蛋白淀粉样蛋白心肌病（ATTR-CM）是由沉积野生型或突变的转染素引起的浸润性心脏疾病。作为特性疾病，我们试图确定其特发性高度心房（AV）块的患者的患病率，需要永久性起搏器（PPM）。在2019年11月至2021年11月之间，经过PPM植入PPM的70-85岁的连续患者提供了3,3-二磷酸-1,2-二磷酸-1,2-丙二烷二键二羧酸（DPD）扫描。人口统计学，合并症，心电图和成像数据。结果39例患者（男性为79.5％，设备植入76.2（2.9）年）进行了DPD扫描。3/39（7.7％，全男性）的结果与属性（佩鲁吉尼2或3级）一致。平均DPD扫描的人的最大壁厚为19.0 mm（3.6毫米），而阴性扫描的患者为11.4 mm（2.7 mm）（p = 0.06）。所有被诊断为ATTR-CM的患者患有脊柱狭窄，两名患有腕管综合征。结论应在需要永久起搏的老年患者中考虑高度AV块，尤其是在存在左心室肥大，腕管综合征或脊柱狭窄的情况下。
分子束外延
1 伦敦大学伦敦大学学院，伦敦Torrington Place，WC1E 7JE，英国2号2光电研究中心，南安普敦大学，南安普敦大学，SO17 1BJ，英国3英国3，英国3号电子工程系，贝斯校区，Swansea，Sawansea，Savosea，Sa1 and sa1 8ne of Interver，sa1 and Introl，Sa1 8ne of Key，Key，Key of Key of Key kekij Faculty of Materials and Manufacturing, Beijing University of Technology, Beijing 100124, People's Republic of China 5 SuperSTEM, SciTech Daresbury Science and Innovation Campus, Block J, Keckwick Lane, Daresbury WA4 4AD, United Kingdom 6 York NanoCentre & Department of Physics, University of York, York YO10 5DD, United Kingdom 7 School of Chemical and Process Engineering and School of Physics and Astronomy,利兹大学，利兹LS2 9JT，英国伦敦大学伦敦大学学院，伦敦Torrington Place，WC1E 7JE，英国2号2光电研究中心，南安普敦大学，南安普敦大学，SO17 1BJ，英国3英国3，英国3号电子工程系，贝斯校区，Swansea，Sawansea，Savosea，Sa1 and sa1 8ne of Interver，sa1 and Introl，Sa1 8ne of Key，Key，Key of Key of Key kekij Faculty of Materials and Manufacturing, Beijing University of Technology, Beijing 100124, People's Republic of China 5 SuperSTEM, SciTech Daresbury Science and Innovation Campus, Block J, Keckwick Lane, Daresbury WA4 4AD, United Kingdom 6 York NanoCentre & Department of Physics, University of York, York YO10 5DD, United Kingdom 7 School of Chemical and Process Engineering and School of Physics and Astronomy,利兹大学，利兹LS2 9JT，英国伦敦大学伦敦大学学院，伦敦Torrington Place，WC1E 7JE，英国2号2光电研究中心，南安普敦大学，南安普敦大学，SO17 1BJ，英国3英国3，英国3号电子工程系，贝斯校区，Swansea，Sawansea，Savosea，Sa1 and sa1 8ne of Interver，sa1 and Introl，Sa1 8ne of Key，Key，Key of Key of Key kekij Faculty of Materials and Manufacturing, Beijing University of Technology, Beijing 100124, People's Republic of China 5 SuperSTEM, SciTech Daresbury Science and Innovation Campus, Block J, Keckwick Lane, Daresbury WA4 4AD, United Kingdom 6 York NanoCentre & Department of Physics, University of York, York YO10 5DD, United Kingdom 7 School of Chemical and Process Engineering and School of Physics and Astronomy,利兹大学，利兹LS2 9JT，英国伦敦大学伦敦大学学院，伦敦Torrington Place，WC1E 7JE，英国2号2光电研究中心，南安普敦大学，南安普敦大学，SO17 1BJ，英国3英国3，英国3号电子工程系，贝斯校区，Swansea，Sawansea，Savosea，Sa1 and sa1 8ne of Interver，sa1 and Introl，Sa1 8ne of Key，Key，Key of Key of Key kekij Faculty of Materials and Manufacturing, Beijing University of Technology, Beijing 100124, People's Republic of China 5 SuperSTEM, SciTech Daresbury Science and Innovation Campus, Block J, Keckwick Lane, Daresbury WA4 4AD, United Kingdom 6 York NanoCentre & Department of Physics, University of York, York YO10 5DD, United Kingdom 7 School of Chemical and Process Engineering and School of Physics and Astronomy,利兹大学，利兹LS2 9JT，英国伦敦大学伦敦大学学院，伦敦Torrington Place，WC1E 7JE，英国2号2光电研究中心，南安普敦大学，南安普敦大学，SO17 1BJ，英国3英国3，英国3号电子工程系，贝斯校区，Swansea，Sawansea，Savosea，Sa1 and sa1 8ne of Interver，sa1 and Introl，Sa1 8ne of Key，Key，Key of Key of Key kekij Faculty of Materials and Manufacturing, Beijing University of Technology, Beijing 100124, People's Republic of China 5 SuperSTEM, SciTech Daresbury Science and Innovation Campus, Block J, Keckwick Lane, Daresbury WA4 4AD, United Kingdom 6 York NanoCentre & Department of Physics, University of York, York YO10 5DD, United Kingdom 7 School of Chemical and Process Engineering and School of Physics and Astronomy,利兹大学，利兹LS2 9JT，英国