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World File Search System外延
多层菱形过渡的界面外延 -
与其六角形对应物不同的菱形堆叠的过渡金属二色元（3R-TMD）表现出较高的载流子迁移率，滑动铁电性，并相干增强了非线性光学响应。然而，很难大型多层单晶单晶的表面外延生长。我们报告了一种界面外观方法，用于它们的几种成分，包括二硫化钼（MOS 2），二苯胺钼，二硫化牛二硫化物，二硫化钨，二硫代二硫化钨，二硫化二硫化物，二硫化硫化物，二氮氮化物，二氧化氢和丙二氧化氢脱硫酸盐。将金属和果酱饲喂持续到单晶Ni底物和生长层之间的界面可确保一致的3R堆叠序列，并从几层到15,000层受控厚度。全面的特征证实了这些薄膜的大规模均匀性，高结晶度和相位纯度。生长的3R-MOS 2分别显示出双层和三层的室温迁移率最高为155和190平方厘米。具有厚3R-MOS 2的光学差异频率产生在准相匹配条件下显示出明显增强的非线性响应（比单层大5个数量级）。t
通过石墨烯远程外延相互作用
远程外观的概念涉及覆盖底物表面的二维范德华层，这仍然使Adatoms能够遵循基础基板的原子基序。必须将生长模式仔细地定义为缺陷，例如，针孔，在二维材料中可以允许从遗产中直接外观，该遗物与外侧外延过度生长结合在一起，也可以形成粘层。在这里，我们显示了几种独特的情况，只能对远程外观进行观察，可与其他基于二维材料的外交机制区分开。我们首先在图案化石墨烯上生长Batio 3，以建立最大程度地减少外侧过度生长的条件。通过观察与高分辨率扫描透射电子显微镜证实的整个纳米尺度的核与无针孔的亚纤维相一致，我们在视觉上确认远程同育在原子尺度上是可操作的。宏观上，我们还显示了依赖于底物的离子性和差异层数的GAN微晶阵列的密度变化。
2SD1816I 2SD1816 NPN 外延平面硅晶体管
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利用分子束外延自生长的六方锗...
图 1：(a) GaAs 核（蓝色）- Ge 壳（红色）NW 示意图，具有受控晶相：纤锌矿 (WZ)、闪锌矿 (ZB)，具有堆垛层错 (SF) 区域。通过 RHEED 原位监测样品，以获得有关 GaAs/Ge NW 晶体结构的实时信息。在 WZ GaAs 生长期间（b）29 分钟（c）35 分钟和六方 Ge 生长期间（d）3 分钟（e）10 分钟，沿 [1-10] 方位角记录的 RHEED 图案。WZ 点以白色箭头突出显示。(f) 45° 倾斜 SEM 图像（二次电子对比度）显示 GaAs/Ge NW。比例尺为 1 m。
外延bismuth纳米膜中的相变
拉曼和相干的声子光谱法被用于研究由Si（111）底物上的分子束外跑制备的超薄单晶双膜的厚度依赖性语音性质。A 1G和E G拉曼峰都消失在4 nm BIFM的拉曼光谱中，表明从低对称A7结构到高对称性A17结构的完全过渡。相干的声子信号也显示出对膜厚度的强烈依赖，其中薄样品（15 nm）表现出比厚样品（30 nm）的较低的声子频率和更短的声子寿命。这种差异归因于由永久性相变引起的较浅的能势势垒，永久性相变（由纤维厚度和光激发载体的临时结构过渡决定）。我们的结果不仅提供了从A7到A17结构的相变的证据，其厚度降低，而且还揭示了该相变对声子动力学的影响。了解这些物质性能性状将有助于现代化的电子设备中BI薄片的应用。
跨外延晶格的工程热运输 -
摘要：人工设计的2D材料为热管理提供独特的物理特性，超过了天然发生的材料。在此，使用范德华的外观外观，我们证明了基于原子上薄的晶格不匹配的BI 2 SE 3/MOSE 2超晶格2级超晶格和石墨烯/PDSE 2异质结构来设计极限绝缘超材料的能力W/MK）在室温下，与无定形材料相当。使用频率域的热疗法和低频率拉曼光谱获得的实验数据，并由紧密结合的声子计算支持，揭示了晶格不匹配，声子接口散射，尺寸效应，温度效应，温度效应，温度效应，温度和界面热电阻对跨平面热量散热，对不同的热传输和不同的热量的作用。我们的发现提供了有关新兴合成和热表征方法的基本见解，并为开发具有量身定制的热运输特性的不同物质材料的大面积杂源范德华膜的发展提供了宝贵的指导。关键字：声子传输，导热率，频域热素融合BI 2 SE 3/MOSE 2，石墨烯/PDSE 2 T
具有血浆辅助分子束外延的外延SCN薄膜中的高迁移率和高热电学因子
1材料部的化学和物理单位，贾瓦哈拉尔·尼赫鲁（Jawaharlal Nehru）高级科学研究中心，班加拉罗尔560064，印度2，印度2国际材料科学中心，Jawaharlal Nehru先进科学研究中心，班加拉罗尔560064，印度560064，印度360064，印度材料3次高级材料学院。 IMN-CSIC，C/ISAAC NEWTON 8，TRES CANTOS，TRES CANTOS，28760 MADRID，MADRID 5澳大利亚州5澳大利亚州Microscopy and Microanalysis中心，NEW，新南威尔士州Camperdown，2006弗吉尼亚大学，夏洛茨维尔，弗吉尼亚22904，美国8物理系，弗吉尼亚大学夏洛茨维尔，弗吉尼亚州22904，美国
支持信息外延驱动的相位选择性...
图S2：A，长INSB-SN部分的SEM图像。观察到NW远离SN沉积方向的小弯曲。这可以归因于材料的不同热膨胀系数，也可以归因于界面中的残余应变。6,7 B，鳗鱼elemental sn，sb和NWS的INSB/INAS部分。在INSB表面上可以理解连续的SN壳，而它作为INAS茎上的离散岛沉积。c，从（b）中标记为in，sn和sb边缘标记的（b）中标记的区域提取的鳗鱼光谱。d，INAS和INSB之间的交点区域的底部曲率。SN通常在该区域不存在。这可能是由于弯曲区域中的高表面能，或者当SN沉积时可能会被遮盖。比例尺为：（a）100 nm，（b）100 nm，（d）20 nm。
希腊 III-V 族半导体分子束外延
As 4 分子束 在 PBN 管中注入分子 N 2 气体，产生射频功率诱导等离子体 活性 N 2 * 和 N 物种束 主要激发分子物种：E. Iliopoulos 等，J. Cryst. Growth 278, 426 (2005) 来自 Knudsen 室的 Ga 原子束