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超宽带隙Ga2O3合金的分子束外延生长的进步
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超宽带隙Ga2O3合金的分子束外延生长的进步

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需求：•介电层带隙能大于底物（〜10 k b t或更多）•〜1至〜100 nm的厚度可变厚度•高度绝缘材料具有低意外掺杂浓度的高度绝缘材料•高质量的界面无陷阱和缺陷

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