机构名称：
¥ 1.0
与其六角形对应物不同的菱形堆叠的过渡金属二色元（3R-TMD）表现出较高的载流子迁移率，滑动铁电性，并相干增强了非线性光学响应。然而，很难大型多层单晶单晶的表面外延生长。我们报告了一种界面外观方法，用于它们的几种成分，包括二硫化钼（MOS 2），二苯胺钼，二硫化牛二硫化物，二硫化钨，二硫代二硫化钨，二硫化二硫化物，二硫化硫化物，二氮氮化物，二氧化氢和丙二氧化氢脱硫酸盐。将金属和果酱饲喂持续到单晶Ni底物和生长层之间的界面可确保一致的3R堆叠序列，并从几层到15,000层受控厚度。全面的特征证实了这些薄膜的大规模均匀性，高结晶度和相位纯度。生长的3R-MOS 2分别显示出双层和三层的室温迁移率最高为155和190平方厘米。具有厚3R-MOS 2的光学差异频率产生在准相匹配条件下显示出明显增强的非线性响应（比单层大5个数量级）。t
多层菱形过渡的界面外延 -
主要关键词
相关文件推荐
