有机电子中的界面
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Mats Fahlman 1、Simone Fabiano 1、Viktor Gueskine 1、Daniel Simon 1、Magnus Berggren 1,2 和 Xavier Crispin 1,2 * 1 瑞典诺尔雪平林雪平大学 ITN 有机电子实验室。 2 瑞典诺尔雪平林雪平大学 ITN 瓦伦堡木材科学中心。 *电子邮件:xavier.crispin@liu.se Toc Blurb 有机半导体与多种材料形成干净的界面,包括金属、其他有机半导体、电解质、电介质和生物体。在本综述中,我们讨论了这些界面的性质及其在有机电子器件功能中的核心作用。摘要未掺杂的共轭有机分子和聚合物具有半导体的性质,包括电子结构和电荷传输,可以通过化学设计轻松调整。此外,有机半导体 (OS) 可以进行 n 掺杂或 p 掺杂,成为有机导体(所谓的合成金属),并可表现出混合电子和离子电导率。与无机半导体和金属相比,有机(半)导体具有一个独特的特性:暴露在空气中时,其表面不会形成绝缘氧化物。因此,OS 与许多材料(包括金属和其他 OS)形成干净的界面。过去 30 年来,人们对 OS-金属和 OS-OS 界面进行了深入研究,并形成了一致的理论描述。自 21 世纪以来,人们越来越关注有机电子器件中的界面,这些界面涉及电介质、电解质、铁电体甚至生物有机体。所有这些界面都是有机电子器件功能的核心,界面的物理化学性质决定了光、激子、电子和离子的界面传输,以及电子向细胞分子语言的转导。 [H1] 引言有机半导体 (OS) 可用作各种 (光) 电子器件和电路中的活性材料。与硅基电子器件相比,有机电子器件具有许多独特的特性,例如大的光吸收和发射、溶液可加工性、机械柔韧性以及混合离子和电子传导。OS 包括基于共轭分子或聚合物的一大类半导体(图 1)。OS 的 π 电子形成价带和导带。在还原或氧化时,π 系统容纳负电荷或正电荷,而相反电荷的反离子则中和整个材料。重掺杂会导致电子结构发生剧烈变化,使得带隙消失,位于占据能级和未占据能级之间的费米能级可以定义为费米玻璃 1、金属 2 或半金属 3 。因此,未掺杂和掺杂的 OS 是非常不同的材料,但它们具有一个独特的特性:与无机半导体不同,暴露在空气中时其表面不会形成绝缘氧化物。因此,操作系统

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