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TBMDA7调制宽带驱动器放大器
TBMDA7调制的宽带驱动器放大器旨在为电子构建块和产品的免疫测试提供廉价的信号源。它在从1 GHz到3 GHz的频率范围内运行，设计为频谱分析仪的跟踪发生器输出驱动。具有350 MW AVG的1dB压缩点。和饱和的输出功率为500 MW AVG。，它可以提高跟踪发电机的输出功率，以使Tekbox在现场探针附近驱动Tekbox，以找到电子电路的敏感位置，或在驱动TEKBox TEM Cell TBTC0，80V/M cw/m cw，40v/m cw/m cw，45v/m cw，45v/m cw，40v/m c时，最高150V/m cw，80v/m am am驾驶TBTC2或27V/M CW时的V/M AM，驾驶TBTC3时15V/m AM。免疫测试的测试信号可以是CW，AM或PM。TBMDA7提供内置的调制能力，以生成1 KHz AM或PM信号。在PM模式下，TBMDA7还可以生成217 Hz信号，其占空比为12.5％，以模拟手机TDMA噪声。
使用宽带微带天线检测脑肿瘤
沿 Y 轴的孔宽度为 0.5 毫米，沿 x 轴的孔长度为 20 毫米。每个 I 形孔都蚀刻在传输线贴片平面下方。经过参数研究，计算出了设计的最佳尺寸。此外，传输线在几个馈电网络中通常不是直线，但在几个馈电网络中是直线。它们被认为在某种程度上折叠起来。当水平传输线折叠成 90 度垂直传输线时，输入的大部分功率会在不连续处反射回源，从而降低系统的性能，因为它会导致线路电容发生变化，从而影响线路的阻抗。天线设计中采用了斜接弯曲方法来减少传输线损耗。斜接弯曲的目的是去除少量电容，将线路的阻抗恢复到匹配阻抗。图 4 描绘了用于解决这些问题的微带斜接弯曲的结构。截断通道的尺寸（x）可以通过方形弯头的对角线D来计算。弯头的尺寸可以借助以下方程式[4-6]来计算。
特刊——宽带隙半导体材料...
宽带隙 (WBG) 半导体材料，例如碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN) 或氧化镓 (Ga2O3)，使电力电子元件比硅基 (Si) 元件更小、更快、更可靠、更高效。目前，全球约有一半的总能源消耗是电力，预计到 2030 年，80% 的电力将通过电力电子设备流动。然而，基础科学和材料科学还有很大的发展空间；宽带隙材料确实无处不在；几乎整个地壳都是由宽带隙氧化物形成的，还有许多硫族化合物、卤化物、有机和生物材料也是宽带隙材料，还有许多其他可能性。本期特刊是一系列文章的集合，报告了最近获得的结果的简要评论以及在这一广泛研究领域产生的新发现。
FALCCON 高增益宽带空间天线
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ISTEQ 宽带等离子光源 - XWS-65
ISTEQ 的 XWS-65 光源产品经过专门开发，可用于多种应用，包括光谱学、高分辨率显微镜、薄膜测量、表面计量等。该光源基于尖端技术，受欧盟和美国专利保护。
基于宽带互连的基于si的包装设计
摘要这封信为电子带通信系统提供了基于硅的包装设计。作为包装的主要关注点，基于转移线（TL）的阻抗变换特征，仔细设计了从载体板到模具的射频（RF）互连。此外，仿真结果表明，设计的互连对于中等过程偏差是可靠的。为了验证设计的互连的电子表现，设计，制造和测量了虚拟测试结构。测量结果表明，用于电子带应用的商业通信频率范围为71-86 GHz的回报损失小于-10.6 dB。关键字：包装系统，硅插位器，电子带，RF互连，阻抗匹配分类：微波炉和毫米波设备，电路和模块
宽带微波放大器的设计和分析
编程的死亡配体1（PD-L1）是一种免疫检查点抑制剂，与T细胞和其他免疫细胞表达的受体PD-1结合以调节免疫反应。最终阻止了加剧的激活和自身免疫性。许多肿瘤通过过表达PD-L1来利用这种机制，PD-L1通常与预后不良相关。最近还显示了一些肿瘤表达PD-1。在肿瘤上，PD-L1与PD-1在免疫细胞上的结合可促进免疫逃避和肿瘤进展，主要是通过抑制细胞毒性T淋巴细胞效应子功能。PD-1/PD-L1靶向疗法已彻底改变了癌症治疗局势，并已成为某些癌症的第一线治疗，因为它们能够促进晚期癌症患者的耐用抗肿瘤免疫反应。尽管取得了临床成功，但一些患者已证明没有反应，过度发展或对PD-1/PD-L1靶向治疗产生抗药性。仍然不清楚的确切机制。本综述将讨论PD-1/PD-L1靶向治疗的当前状态，PD-L1的致癌表达，PD-L1及其受体PD-1的新和新兴的肿瘤内在作用以及它们如何对肿瘤进展和免疫疗法反应有助于不同的肿瘤学模型。
技术重点：宽带隙电子器件
碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 器件将逐渐取代现有的硅技术，因为硅已经达到其物理电学性质的固有极限。 因此，自 2007 年以来，硅基器件已不再能够跟上摩尔定律的步伐，曲线出现了平台期：摩尔预测，集成电路制造商每年应该能够将单个硅芯片上可容纳的晶体管数量翻一番。 相反，晶体管尺寸正在以较慢的速度减小；自 2007 年以来，尺寸减小的进程已明显放缓。 美国劳伦斯伯克利国家实验室 (LBNL) 最近制造的最小硅 MOSFET 的宽度（沟道长度）仅为 7 纳米，即仅比单个硅原子的尺寸大一个数量级。 在这种几何尺寸下，可能会发生量子隧穿，并且器件将失去控制电流流动的能力。因此，最近的发展意味着硅技术正在接近该材料的理论物理极限。由于硅的特性阻碍了器件性能的进一步提高，微电子研发变得更具挑战性，需要投入大量资金，有时似乎不经济，因为它太昂贵了。
合同价格上涨的宽带10月23日
1。我没有正式资格（而且我仍在学习）2。入门级资格，例如ESOL，ELC或人生技能3。gcse/ o'级别/ CSE/国家资格/标准等级 - 但不是数学，而不是英语4。 div>GCSE/ O级/ CSE/国家资格/标准等级 - 包括数学或英语5。 div>1-2级职业资格或中级学徒制6。A'级别，苏格兰更高，威尔士学士学位，国际学士学位或同等学历）7。3级职业资格或高级学徒制8。高等教育文凭（HNC/ HND/ BTEC更高或同等学历）9。 div>4-5级职业资格或更高的学徒制10。大学一级学位（BA/ BSC/ BED/ PGCE或同等学历）11。 div>6级职业资格或学位学徒制12。大学更高学位（例如硕士学位，博士或同等学历）13。仍在学校学习/仍在学校14。 div>不喜欢说15。不知道
增强宽带gop聚合物的性能 -
摘要：已证明通过引入金属纳米颗粒引起的光捕获可改善有机太阳能电池中的照片吸收（OSC）。等离子间和有机光伏领域的研究人员共同促进阳光吸收和光子 - 电子相互作用，以提高设备性能。在这一贡献中，使用indacenodithieno [3,2- b]噻吩-Alt -2,2'-bithiazole（Pidtt-BTZ）作为宽频段间隙供体共聚物和（6,6）-phenyl-c 71-buty-buty-buty Accy Aut aster（PC 71 BM）（PC 71 BM）来制造倒置的OSC。通过降水法合成的银纳米棒（Ag-NR）嵌入在太阳能电池的活性层中。在活动层中用1 wt％Ag-NR制造的设备在暴露于100 mW/cm 2模拟的太阳照明时，功率转换效率（PCE）提高了26％。使用形态，电和光学表征方法系统地分析了Ag-NR在OSC的性能改善中的作用。由于以纵向模式和横向模式激活的局部表面等离子体共振（LSPR），捕获和激子的产生得到了改善。掺入0.5和1 wt％Ag-NR的光活性层（PIDTT-BTZ：PC 71 BM）显示吸收率增加，而在400至580 nm的波长范围内似乎降低了1.5 wt％AG-NR的吸收。ag-nrs在激子光学和解离中起着有利的作用。■简介在优化的设备中，短路电流密度（J SC）从11.92增加到14.25 mA/cm 2，导致PCE从3.94增加到4.93％，这归因于使用AG-NRS通过LSPR提高的光吸收光捕获。