(高效率)标记的墨盒仅用于供电的空气纯净呼吸器。对于0.3微米的颗粒,例如灰尘,花粉,霉菌,细菌和任何空气寄生颗粒,并且具有油性,因此这些标记的过滤器的效率为99.97%,因此其过滤器密码材料的规格与P100滤镜完全相同。
硅基锂离子电池已开始满足循环寿命指标,但其日历寿命较差。本文使用 EC:EMC:FEC 电解质中的 LiPF 6 与 EC:EMC 电解质中的 LiBOB 探究了电解质氟化对混合硅石墨阳极日历衰减的影响。我们利用组合实验建模方法,应用恒电位电压保持 (V-hold) 来评估电解质在缩短的测试时间范围内(约 2 个月)的日历寿命的适用性。我们的理论框架从 V-hold 电化学数据中解卷积了不可逆寄生容量损失(锂损失到固体电解质中间相)。与氟化电解质(主要为 FEC 还原)相比,非氟化电解质(主要为 LiBOB 还原)表现出更高的电池电阻。两种系统在电压保持期间均具有相似的不可逆容量,但 LiBOB 系统的寄生容量损失速度较慢。将寄生损耗外推至 20% 的寿命终止容量衰减表明,LiBOB 电解质在日历寿命方面优于 LiPF 6 电解质。结果证明了 V-hold 协议可用作快速材料筛选工具,提供半定量日历寿命估算。© 2023 作者。由 IOP Publishing Limited 代表电化学学会出版。这是一篇开放获取的文章,根据知识共享署名 4.0 许可条款分发(CC BY,http://creativecommons.org/licenses/ by/4.0/ ),允许在任何媒体中不受限制地重复使用作品,前提是对原始作品进行适当引用。[DOI:10.1149/ 1945-7111/ace65d]
b'摘要 提出了一种毫米波\xe2\x80\x90 低\xe2\x80\x90 轮廓宽带微带天线。为了加宽阻抗带宽并同时实现稳定的大增益,在由同轴探针馈电的微带贴片两侧布置共面寄生贴片阵列。在微带贴片上蚀刻双槽以降低 H \xe2\x80\x90 平面交叉\xe2\x80\x90 极化水平。提出了使用 Floquet \xe2\x80\x90 端口模型进行零\xe2\x80\x90 相位\xe2\x80\x90 反射分析以预测寄生贴片阵列的谐振频率。根据理想探针的输入阻抗来验证激发的谐振模式。依次激励两个相邻的宽边谐振,分别以微带贴片的准 \xe2\x80\x90 TM 10 模式和寄生贴片阵列的准 \xe2\x80\x90 TM 30 模式为主导。所提出的天线尺寸为 1.06 1.06 0.024 \xce\xbb 0 3(\xce\xbb 0 为自由空间中 29 GHz 的波长),在 | S 11 | \xe2\x89\xa4 10 dB 时实现 15%(27\xe2\x80\x93 31.35 GHz)的阻抗带宽。实现的峰值增益高达 9.26 dBi,2 \xe2\x80\x90 dB 增益带宽为 15.7%。 H \xe2\x80\x90 平面交叉 \xe2\x80\x90 极化水平在 3 \xe2\x80\x90 dB 波束宽度内小于 14 dB,背部辐射水平小于 17.9 dB。'
摘要 - 具有光学动力和数据遥测的基于最小的和无线近红外(NIR)的神经记录器是一种有希望的长期监测的有前途的方法,该方法具有最小的现状独立唱片仪之间的最小物理维度。但是,基于NIR的神经记录综合电路(IC)的主要挑战是在存在光引起的寄生寄生短路电流的情况下保持强大的操作。当信号电流保持较小以降低功耗时,尤其如此。在这项工作中,我们为电动机预测提供了一个容忍和低功率的神经记录IC,该记录可以在低调的300 µw/mm 2中充分发挥作用。,它以4.1噪声效率因子(NEF)伪抗抑制作用的放大器,芯片神经特征提取器和单个的Mote-Mote级增益控制,在38℃时达到了0.57 µW的最佳能力消耗。应用猴子的20通道预录的神经信号,IC可以预测用
挤压的光态对于在计量和信息处理中出现量子技术至关重要。CHIP集成光子学为可扩展有效的挤压光发电提供了一条途径,但是,寄生非线性过程和光学损失仍然是重大挑战。在这里,我们通过DE-DUTAINE DUAL-PUMP自发的四波混合物在光子晶体微孔子中进行了单模正交挤压。在可扩展的低损坏硅硝化光子芯片平台中实现,微孔子具有量身定制的纳米溶解,可调节其共鸣以抑制寄生非线性过程。以这种方式,我们在BUS波导中估计有7.8 dB的芯片挤压,并有可能进一步改进。这些恢复为通向量子增强的量化测定法,高斯玻色子采样,连贯的Ising机器和通用量子计算的综合挤压光源打开了有希望的途径。
摘要:生物限制因素包括病原真菌、病毒细菌、食草昆虫以及寄生线虫等,造成作物产量损失和品质下降,常规管理措施对这些生物限制因素的效果有限。转基因技术的进步为改良作物的生物抗性提供了直接而有方向性的途径。目前,通过异源表达外源基因和RNAi技术,已培育出上百个抗食草昆虫、病原病毒和真菌的转基因事件和数百个抗性品种,并获准种植和上市,显著减少了产量损失和品质下降。然而,通过过量表达内源基因和RNAi技术进行抗细菌和线虫的转基因改良的探索尚处于试验阶段。 RNAi 和 CRISPR/Cas 技术的最新进展为提高作物对病原细菌和植物寄生线虫以及其他生物限制的抵抗力开辟了可能性。
研究课题的相关性 当前,基于“互补金属氧化物半导体”(CMOS)技术的元件库由于其功能性强、速度快、能耗低等特点,在计算技术和控制系统的电子设备中占据主导地位。在现代 CMOS 微电路中,一个特征是闩锁效应或晶闸管效应 (TE),它在暴露于天然或人工来源的电离辐射时发生。由于制造具有 n 型和 p 型通道的紧密间距 MOSFET 的工艺过程的特殊性,在这些微电路中形成了寄生 pnpn 结构,在正常条件下不会影响产品的性能。当这种寄生pnpn结构受到外界影响而导通时,就会发生晶闸管效应,导致电流消耗不可逆增加,只能通过重置电源才能消除。除了故障之外,大电流的流动还可能导致灾难性的故障(CF)。 TE 的发生水平通常决定了 CMOS 微电路的抗辐射能力。
AP1313 需要适当的输入电容来在阶跃负载瞬变期间提供电流浪涌,以防止输入电压轨下降。因为从电压源或其他大容量电容到 VIN 引脚的寄生电感限制了浪涌电流的斜率,所以寄生电感越大,输入电容就越大。超低 ESR 电容(如陶瓷芯片电容)和低 ESR 大容量电容(如固体钽电容、POSCap 和铝电解电容)都可以用作 VIN 的输入电容。对于大多数应用,建议的 VIN 输入电容至少为 10µF。但是,如果不关心输入电压的下降,输入电容可以小于 10µF。输出电容 AP1313 专门设计用于与低 ESR 陶瓷输出电容配合使用,以节省空间。建议使用电容至少为 4.7µF 且 ESR 大于 1mΩ 的陶瓷电容。大输出电容可以降低噪音并改善负载瞬态响应。图 2 显示了允许的 ESR 范围与负载电流和输出电容的关系。
支持美国能源部的化石能源办公室的任务。该计划是一项多年的高风险研究计划,旨在开发可用于以更有效和有效的方式提供能源的技术和应用。这包括关注二氧化碳再利用和回收技术的开发,以避免二氧化碳压缩的寄生能量成本
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