TL7700-SEP 中主要的单粒子效应 (SEE) 事件是单粒子闩锁 (SEL)。从风险/影响的角度来看,SEL 的发生可能是最具破坏性的 SEE 事件,也是太空应用的最大隐患。TL7700-SEP 使用了双极工艺 JI1。CMOS 电路可能会产生 SEL 和 SEB 敏感性。如果高能离子通过引起的过量电流注入足以触发寄生交叉耦合 PNP 和 NPN 双极结构的形成(形成于 p-sub 和 n-well 以及 n+ 和 p+ 触点之间),则可能会发生 SEL。单事件引发的寄生双极结构在电源和接地之间形成高电导路径(产生通常比正常工作电流高几个数量级的稳态电流),该路径持续存在(“锁定”),直到断电或设备被高电流状态破坏。TL7700-SEP 在重离子 LET EFF 高达 43 MeV-cm 2 /mg 时未表现出 SEL,通量为 10 7 离子/cm 2 且芯片温度为 125°C。
摘要:水系锌电池(AZB)是一种很有前途的储能技术,因为它们具有高理论容量、低氧化还原电位和安全性。然而,金属锌表面的枝晶生长和寄生反应会导致严重的不稳定性。本文我们报道了一种获得超细锌纳米颗粒阳极的新方法,该方法通过使用乙二醇单甲醚(EGME)分子来操纵锌的成核和生长过程。结果表明,EGME 与 Zn 2+ 复合以适度增加成核的驱动力,并吸附在锌表面以通过细化晶粒来防止 H- 腐蚀和树枝状突起。因此,纳米级阳极具有高库仑效率(约 99.5%)、长循环寿命(超过 366 天和 8800 次循环)以及与全电池中最先进的正极(ZnVO 和 AC)出色的兼容性。这项研究为水性金属离子电池的界面工程提供了一种新途径,对 AZB 的商业化未来具有重要意义。关键词:水性锌电池、锌金属阳极、超细纳米颗粒、枝晶生长、寄生反应
随着宽带隙 (WBG) 半导体的新兴发展,电力电子转换器的功率密度和效率不断提高,可能引起更多的开关振荡、电磁干扰噪声和额外的功率损耗,进一步增加器件故障的概率。因此,确定和量化在某些应用中使用 WBG 半导体组装的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的故障对于提高功率转换器的可靠性至关重要。本研究提出了一种基于 MOSFET 寄生参数的新型故障定量评估方法。根据二端口网络理论,MOSFET 等效于由独立的电感、电容和电阻串联组成的一些二阶 RLC 电路。然后,通过频域反射法识别与 MOSFET 物理故障相关的频域阻抗。采用加速老化和键合线切断实验来获得 MOSFET 器件的各种质量状态。结果表明,可以有效量化MOSFET的质量水平及其键合线剥离次数。通常代表MOSFET质量的漏源导通电阻(R DS(on) )在质量退化过程中与漏源寄生电阻(RD + RS )呈现正线性函数关系。这一发现与理论上建立的R DS (on)和RD + RS之间的相关性相符。同时,源极寄生电感(LS )随键合线故障的严重程度而增加,即使是轻微的故障也表现出很高的灵敏度。所提出的方法是一种有效的无需通电处理的功率半导体器件质量筛选技术,可有效避免结温和测试条件(电流和电压)对测试结果的影响,并且不需要设计额外的测试电路。我们在该方法中使用的测试频率范围为10 – 300 MHz,在一定程度上适合为高频WBG功率器件制造提供在线质量监控技术。
寄生虫感染与发育迟缓之间的联系很复杂,但很重要。很明显,寄生虫会影响儿童的成长。他们干扰营养。他们还会损坏肠道并对免疫系统施加压力。即使孩子们饮食良好,这些感染也可以消除良好营养的好处。另外,当儿童生长最快时,就会发生寄生感染。如果孩子们在生命的头两年里变慢,那么他们很难稍后赶上。
本文探讨了脉冲激光沉积 (PLD) 透明导电氧化物 (TCO) 在高质量超薄多晶硅基钝化接触上的适用性。通过减小多晶硅层厚度,可以最大限度地减少多晶硅层引起的寄生吸收。然而,多晶硅触点上的 TCO 沉积(通常通过溅射)会导致严重的沉积损伤,并进一步加剧较薄多晶硅层(<20 纳米)的表面钝化。虽然可以使用高温(约 350 摄氏度)热处理来部分修复表面钝化质量,但由于在多晶硅/ITO 界面形成了寄生氧化层,接触电阻率严重增加。或者,我们表明 PLD TCO 可用于减轻超薄(约 10 纳米)多晶硅层的损伤。通过增加沉积压力可以进一步改善多晶硅触点钝化,同时通过在高质量超薄多晶硅(n+)触点上使用 PLD 掺杂铟的氧化锡 (ITO) 层可实现低触点电阻率(约 45 m Ω cm 2)和良好的热稳定性(高达 350 °C)。通过将 PLD ITO 膜的出色光电特性与 10 nm 薄多晶硅触点相结合,可以实现高度透明的正面触点。
摘要 — 微电子热敏电机 (TE) 发电机 (μ TEG) 是一种常见的潜在解决方案功率发电机和单相集成电路 (IC)。由于 µ TEG 电路中的寄生电阻和热阻,因此存在性能限制。寄生效应或曼塞洛斯可能会严重影响使用相对低 TE 性能指标(如硅 (Si))的 TEG 器件。在这种情况下,必须仔细注意整个 TEG 电路,而不仅仅是 TE 材料特性。这里,μ TEG 器件的定量模型包括所有与 I C 兼容的常见的重要电和热寄生器件。该模型提供了有关可再生能源发电和效率的耦合方程组或数值解。考虑到现场的抗裂性和实际性能值,该模型显示了 TE 元件总横截面的横截面积热比(称为“包装分数”)。在整个区域或在其流动区域,可以指定功率或效率,但不能同时实现两者。对于实际的材料和设备参数,优化系数通常为 1 % – 1 0 %,低于许多 µ TEG 设计中使用的值。模型说明了一些 TEG 示例的发电情况,并提供了显着的性能或改善效果的设计。索引术语——能源采集、热电 (TE)、TE 发电机。
近年来,晶体管技术的进步使得人们能够设计出越来越复杂的集成电路。随着在降低功耗和提高性能方面取得的巨大成就,在考虑深度扩展技术时也面临着新的挑战。明显的工艺变异性、老化和辐射效应是经常出现的设计挑战,其重要性也日益增加 [1-5]。集成电路越来越容易受到单个高能粒子撞击的影响,可能会产生破坏性或非破坏性的影响。当粒子撞击触发 CMOS 电路中固有的 PNPN 结构中的寄生晶体管时,就会发生单粒子闩锁 (SEL),这可能会产生破坏性影响 [6]。当高能粒子从顺序逻辑元件撞击晶体管的敏感区域并沉积足够的电荷以扰乱电路时,单粒子翻转 (SEU) 会以位翻转的形式出现。此外,组合逻辑电路容易受到单粒子瞬态 (SET) 效应的影响,这种效应表现为粒子与处于关断状态的晶体管漏极电极相互作用产生的寄生瞬态电流。这并不是单粒子效应 (SEE) 的详尽列表 [7]。辐射加固设计 (RHBD) 技术已经开发出来,用于应对不同辐射条件下电子电路的辐射效应
通过高度复杂的算法进行诊断。这些系统可以比较高低血液检查趋势,寻找骨骼结构上的放射线标记,或识别高分辨率全切片图像上寄生虫卵的定义特征。所有这些软件算法都是由人类的头脑和双手首先编程的,它们可以处理信息并通过临床医生使用的类似方法进行医学诊断,但速度要快得多。
MA900是一种非接触式,精确,磁性绝对角度传感器。从传感器IC上多个位置的磁场差异中提取角度。这种差异方法消除了寄生磁场的贡献,非常适合用简单的目标磁体放置在轴末端的传感器。对于快速数据采集和处理,MA900以从0rpm到100,000rpm的速度提供准确的角度测量。
液体 - 固体增益混合物或双相增益(BGAIN)可以达到糊状的一致性,而不会失去液体金属的电性能。尽管在可加工性方面取得了进展,但尚未完全了解Egain和Bgain的电源。研究人员报道了egain的耐药性结果的相对变化(图1A)和液态金属的复合材料[32,33](包括双相材料和液态金属包含的弹性体或LMEES,或LMEES,如图1B所示)。尽管有些样本似乎遵循批量导体假设(Pouillet定律),但许多研究表明,低于模型预测的值的电阻。由于液态金属研究中使用的广泛测量技术,通常不清楚是由于内在电导率的变化而造成的差异,而不是由实验设置引起的未校正误差。为了说明测量技术的重要性,请考虑经典的两端测量系统的情况。这些测量值通常是要执行的EAS,但引入了重大的测量误差。[34]在此设置中,Sci-Intist或工程师将使用两条线将万用表连接到样品的两端(图2 A,B)。万用表报告的阻力必然包括感兴趣材料(例如,bgain等)的阻力。),除了包括铅线,铅线和样品电极之间的接触电阻以及任何组件(例如铜末端,导电环氧,氧化物,氧化物,[35]等)的抗性外,还包括)。)。在电线和感兴趣的材料之间。对于较高的电阻导体(例如传感器中的石墨 - 硅胶导电材料,通常在几个KΩ[36]范围内)寄生抗性可忽略不计。相比之下,如果样品电阻为1Ω,与0.1Ω的组合寄生抗性(对于LM电路常见),则寄生抗性表示固定的10%死亡重量误差。假设可以为可拉伸电子设备获得可靠的测量值,那么标记液体金属电源机电行为的正确模型是什么?图1显示了文献中报道的重要行为范围,但是许多作者认为批量构件假设(Pouillet定律[4,27,37])是适当的基准。通常,液态金属样品包含在弹性材料中,这些材料根据材料的泊松比减少其横截面区域。