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TL7700-SEP 中主要的单粒子效应 (SEE) 事件是单粒子闩锁 (SEL)。从风险/影响的角度来看，SEL 的发生可能是最具破坏性的 SEE 事件，也是太空应用的最大隐患。TL7700-SEP 使用了双极工艺 JI1。CMOS 电路可能会产生 SEL 和 SEB 敏感性。如果高能离子通过引起的过量电流注入足以触发寄生交叉耦合 PNP 和 NPN 双极结构的形成（形成于 p-sub 和 n-well 以及 n+ 和 p+ 触点之间），则可能会发生 SEL。单事件引发的寄生双极结构在电源和接地之间形成高电导路径（产生通常比正常工作电流高几个数量级的稳态电流），该路径持续存在（“锁定”），直到断电或设备被高电流状态破坏。TL7700-SEP 在重离子 LET EFF 高达 43 MeV-cm 2 /mg 时未表现出 SEL，通量为 10 7 离子/cm 2 且芯片温度为 125°C。
TL7700-SEP 单粒子闩锁 (SEL) 辐射报告 (Rev. A)
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