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World File Search System导电性
用于柔性电子产品的水凝胶 - DR-NTU
水凝胶因其独特的特性（例如高含水量、柔软性和生物相容性）而成为柔性电子产品的有前途的材料。从这个角度来看，我们概述了柔性电子产品中水凝胶的发展，重点关注三个关键方面：机械性能、界面粘附和导电性。我们讨论了设计高性能水凝胶的原理，并介绍了它们在医疗保健柔性电子产品领域的潜在应用的代表性示例。尽管取得了重大进展，但仍存在一些挑战，包括提高抗疲劳能力、增强界面粘附和平衡潮湿环境中的含水量。此外，我们强调了在未来研究中考虑水凝胶-细胞相互作用和水凝胶动态特性的重要性。展望未来，柔性电子产品中水凝胶的未来前景光明，令人兴奋的机遇即将出现，但需要继续投资研发以克服剩余的挑战。
生物相容性和可生物降解石墨烯材料在尖端医疗应用方面的最新进展
石墨烯是一种由单层碳原子组成的二维蜂窝状晶格。它是各种尺寸石墨材料的基础，包括富勒烯、纳米管和石墨。过去 60 年来，人们对石墨烯进行了理论研究 [ 2 ]。该材料的独特性质包括较大的比表面积（~ 2600 m 2 /g）、较高的电子迁移率（200,000 cm2/Vs）、较高的热导率（3000-5000 Wm/K）、极高的光学透明度（97.4%）和出色的机械强度（杨氏模量为 1 TPa）[ 3 ]。石墨烯出色的电子迁移率使其非常适合需要快速响应率的半导体器件。其优异的导电性和高光学透明度使其可用作光子器件中的透明导电层。此外，石墨烯在防腐涂层、传感器技术、可穿戴电子产品、柔性显示器、太阳能发电、加速DNA等各个领域都显示出巨大的潜力
氧化铈基复合电解质材料研究进展
单相电解质的低离子电导率已不能满足600 ˚C以下的使用要求，制备高离子电导率的复合电解质成为发展方向。本文综述了掺杂CeO 2 无机盐(碳酸盐、硫酸盐)、掺杂CeO 2 金属氧化物以及掺杂CeO 2 钙钛矿复合电解质，分析了第二相对CeO 2 基电解质性能的影响。由于独特的H + /O 2−共导电性，无机盐的加入可以提高掺杂CeO 2 无机盐复合电解质的电导率。掺杂CeO 2 钙钛矿体系总电导率的提高可能是由于晶界电导率提高引起的。在掺杂CeO 2 金属氧化物体系中加入氧化物可以降低烧结温度，提高晶界电导率。以期为制备性能优异的二氧化铈复合电解质提供理论指导。
年报
Daniela Radu 博士荣获 FIU 顶尖学者奖。该奖项颁发给在教职员工大会和颁奖典礼上在学术研究中取得重大成就的个人。Radu 博士因其在获得重大资助的资深教职员工（科学）类别活动方面的研究和创造力而获得认可。Radu 博士担任过许多领导职务，包括二维光电子学研究与教育中心 (CRE2DO) 负责人和系里多样性与包容性委员会负责人。CRE2DO 研究促进了太空探索的发展。Radu 博士和她的团队研究新型二维材料。这些材料是极其坚固的纳米材料，具有高柔韧性和导电性，再加上其重量轻，非常适合太空应用。除了担任研究和领导职务外，Radu 博士还指导研究生和本科生，并作为 STEM 小组成员参加“女性工程协会”的各种活动
聚合物混合离子 - ...
导电聚合物是混合的离子 - 电导导体，它们是新兴的神经形态计算，生物电子和热电学的候选者。然而，其多体相关的电子运输物理学的基本方面仍然很少理解。在这里我们表明，在P型有机电化学晶体管中，可以从价带中删除所有电子，甚至可以访问更深的频带而不会降解。通过添加第二个场效应的门电极，可以在集合掺杂状态下注入其他电子或孔。在反应响应现场诱导的电子载体密度变化的情况下，我们观察到令人惊讶的，非平衡的传输特征，这些特征可为相互作用驱动的驱动驱动的驱动式驱动的，柔软的coulomb间隙的形成提供独特的见解。我们的工作确定了通过利用电子电荷和柜台耦合系统中的非平衡状态来实质上增强导电性聚合物的运输特性的新策略。
石墨烯官能化碳化钛的合成和表征及其对癌细胞系的细胞毒性作用
石墨烯是一种多功能材料，在各种领域（例如电子，能量，生物医学和环境）具有出色的应用，其特殊的机械强度，电导率和导电性，透明度和化学稳定性。石墨烯已被广泛用于生物学和医疗环境中。mxene是一种二维（2D）材料，由于其表面终止（氧{-O}，氟{-f}，氟{-F}和羟基{-oH}）和透视金属碳化物或碳化物或硝酸酯，因此对水和电导率具有很强的亲和力。mxene最近引起了广泛的应用和独特属性的极大关注。本研究的重点是石墨烯功能化MXENE的合成和表征。此外，我们研究了其对癌细胞系的细胞毒性作用。使用扫描电子显微镜（SEM），X射线衍射（XRD）和傅立叶变换红外光谱（FTIR）测定法对石墨烯功能化的MXENE进行表征。
通过...获得的非化学计量 SiOx 中的电荷传输
摘要 —当前，正在开发基于非化学计量电介质的新一代高速、信息密集型阻变存储器。非化学计量氧化硅SiO x 的电子结构由参数x 的值设定。研究发现，在氢等离子体电子回旋共振中处理热SiO 2 会导致氧化硅中富集过量的硅，从而导致SiO x 中出现电子和空穴陷阱。SiO x 的导电性是双极的：电子从负偏置硅注入，空穴从正偏置硅注入。阴极发光（CL）实验证实了SiO x 中的陷阱是由于过量的硅造成的假设。基于在电子回旋共振氢等离子体中制备非化学计量氧化物的开发程序，制备了p ++-Si（100）/SiO x /Ni忆阻器金属-电介质-半导体（MDS）结构。这种结构具有SiO x 电阻开关的特性，不需要成型操作。
TsanKit：用于焊球枕头缺陷检测的人工智能
摘要 本文提出了一种针对焊球HIP（Head-In-Pillow）缺陷检测的AI（人工智能）解决方案。HIP缺陷会影响焊球的导电性，导致间歇性故障。由于HIP缺陷的位置和形状多变，传统的机器视觉算法无法完全解决该问题。近年来，卷积神经网络（CNN）在图像识别和分类方面表现优异，但由于数据不足，容易引起过拟合问题。因此，我们结合CNN和机器学习算法支持向量机（SVM）来设计我们的检测流程。参考几种最新模型的优点，我们提出了3D CNN模型，并采用焦点损失和三重态损失来解决由稀有缺陷数据引起的数据不平衡问题。与几种经典的CNN模型和深度学习检测软件SuaKIT相比，我们的检测方法具有最佳性能和快速的测试速度。
使用聚合物作为抑制层的二氧化钌薄膜的低温区域选择性原子层沉积
与其他过渡金属氧化物相比，RuO 2 具有独特且有前途的性能。RuO 2 因其卓越的异相催化 [1] 和电催化 [2] 能力而闻名。它是一种导电性极强的氧化物（≈ 35 µΩ cm），电阻率与钌金属相当。这种材料的化学和热稳定性增加了它的吸引力。此外，钌的稀缺性和高成本要求我们了解 RuO 2 的微观特性。[3] RuO 2 薄膜具有低电阻率、优异的扩散阻挡性能、高温稳定性和耐化学腐蚀性，在大规模集成电路中有着广泛的应用。[4,5] 除了 Ru 之外，RuO 2 还可用作铜沉积的种子层。 [6,7] 它具有比 Pt 更好的蚀刻能力，这意味着 RuO2 可以借助 O2/CF4 放电中的反应离子蚀刻 (RIO) 轻松图案化。[8] 最近还有研究表明，RuO2 可以作为下一代 Ru 基互连中 Ru 扩散的优异阻挡层。[9]