小芯片将 SOC 分解成复合部件,从而形成更小的芯片,然后可以将其封装在一起作为单个系统运行,从而提供潜在的优势,包括提高能源效率、缩短系统开发周期和降低成本。然而,在 AI 计算快速创新的推动下,需要封装方面的进步才能更快、更高效地将小芯片从研究转移到量产。
分别为5.9±0.9 µ f或83±13 µ f/cm 2; n = 3),尽管阳离子的尺寸非常不同
*通讯作者:Z。Bagher,电子邮件:bagher.z@iums.ac.ir **通讯作者:S。Hassanzadeh,电子邮件:hassanzadeh.sa@iums.ac.ims.ac.ir摘要干细胞疗法是软骨组织工程的一种有前途的策略,在最近的研究中,在最近的研究中,细胞通过Polymercercercercercercercercercercercercercercercercercercercecerscaftolds sakaffords a Docations a Docations a Docation。在此,我们封装了硫酸藻酸盐水凝胶中的人脂肪衍生的干细胞(HASC),并添加了模仿软骨结构和特征性的多含素/明胶电纺纳米纤维,并添加了细胞外基质(ECM)粉末。开发了复合水凝胶支架,以评估机械性能,细胞增殖和分化以增强软骨再生的相关因素和条件。最初将不同浓度(1-5%w/v)的ECM粉末加载到硫酸藻酸盐溶液中,以优化封装的HASC可行性的最佳组成。结果表明,ECM添加显着提高了机械性能和细胞活力,并选择了4%w/v ECM作为最佳样品。在下一步中,将电纺纳米纤维层添加到硫酸藻/ECM复合材料中,以准备不同的分层水凝胶纳米纤维(2、3和5层)结构,并能够模仿软骨结构和功能。3层被选为最佳分层复合支架。此外,评估了软骨发生潜力,结果显示了软骨组织工程应用的有希望的特征。关键字:硫酸藻酸盐;干细胞;软骨组织工程;复合支架;水凝胶/纳米纤维
然而,石墨烯设备物理学的一个重要结果是,有必要将石墨烯单层封装在两片绝缘二维材料六角型硝酸硼(HBN)之间,以实现理想的较高的运输特性。[27,28]此包封可确保在环境条件下进行化学稳定,因为石墨烯受到保护不受大气吸附物的保护。封装还可以确保原子上的石墨烯片,从而实现室温弹道传输。[27]因此,HBN中石墨烯的封装已迅速成为设备社区中的标准平台,并且很可能成为潜在的未来石墨烯设备行业中的主要平台。此外,扭曲的双层石墨烯的生长领域完全取决于HBN封装以生产扭曲的双层。石墨烯和HBN之间的强范德华吸引力是使石墨烯晶体一部分精确的角度堆叠到自身上的方法。[28,29]
光子集成电路 (PIC) 长期以来一直被视为彻底改变光学的颠覆性平台。在成熟的电子集成电路制造工业代工厂基础设施的基础上,PIC 的制造取得了显著进展。然而,由于 PIC 的光学对准公差严格,因此需要专用封装仪器,因此 PIC 的封装往往成为阻碍其可扩展部署的主要障碍。双光子光刻 (TPL) 是一种具有深亚波长分辨率的激光直写三维 (3-D) 图案化技术,已成为集成光子封装的一种有前途的解决方案。本研究概述了该技术,强调了 TPL 封装方案的最新进展及其在主流光子行业中的应用前景。
I.简介 板级可靠性测试 (BLRT) 也称为互连可靠性测试。这是一种用于评估将 IC 封装安装到印刷电路板 (PB) 后各种电子封装(例如 IC 和区域阵列封装 (BGA、CSP、WLCSP 等)的焊料连接质量和可靠性的方法。热循环测试期间焊点的可靠性是一个关键问题。BLRT 所需的典型热循环条件为 -40°C 至 +125°C。[1,2] 这是为了确保在极端工作条件下的可靠封装性能。BLRT 的当前趋势是进行环境和机械冲击测试的组合,以确保组件在现场能够生存。在大多数情况下,这些是用户定义的测试,具有指定的验收标准,供应商必须在制造发布之前满足这些标准。本文介绍了通过 BLRT 测试对晶圆级芯片规模封装 (WLCSP) 射频开关进行的测试,并回顾了过程控制、测试结果、故障模式和经验教训。II.WLCSP 封装和组装工艺流程概述 WLCSP 封装组装包括晶圆探针、晶圆凸块、背面研磨、激光标记、晶圆锯、分割和芯片卷带。由于 IC 凸块为 200 微米,间距为 400-500 微米,因此这些封装未安装在中介层上或进行包覆成型,而是直接进行表面贴装。图 1 和图 2 显示了 WLCSP 封装的顶视图和后视图。
电子设计自动化 (EDA) 和多物理建模(电气、热和机械)支持的芯片封装系统协同设计是先进半导体封装的关键基础技术。全球半导体行业都依赖这些软件工具来开发先进的半导体封装产品,用于消费电子、运输、航空航天、数据中心、物联网、人工智能、工业和可再生能源等市场的微电子和电力电子封装。美国、欧洲、印度和世界各地最近颁布的芯片法案就是明证,这些行业需要员工具备由 EDA 和多物理建模与仿真支持的协同设计数字技能。这是一门实践课程,包含理论和设计、建模和仿真工具的使用。课程目标/学习成果
从 TMP108 读取时,写入操作存储在指针寄存器中的最后一个值用于确定读取操作读取哪个寄存器。要更改读取操作的寄存器指针,必须将新值写入指针寄存器。此操作通过发出 R/W 位低的从地址字节,然后发出指针寄存器字节来完成。无需其他数据。然后,主机可以生成起始条件并发送 R/W 位高的从地址字节以启动读取命令。有关此序列的详细信息,请参见图 3。如果需要从同一寄存器重复读取,则无需连续发送指针寄存器字节,因为 TMP108 会存储指针寄存器值,直到下一次写入操作更改它为止。
关键词:光子剥离、临时键合和解键合、薄晶圆处理、键合粘合剂 摘要 临时键合和解键合 (TB/DB) 工艺已成为晶圆级封装技术中很有前途的解决方案。这些工艺为晶圆减薄和随后的背面处理提供了途径,这对于使用 3D 硅通孔和扇出晶圆级封装等技术实现异质集成至关重要。这些对于整体设备小型化和提高性能至关重要。在本文中,介绍了一种新颖的光子解键合 (PDB) 方法和相应的键合材料。PDB 通过克服与传统解键合方法相关的许多缺点来增强 TB/DB 工艺。PDB 使用来自闪光灯的脉冲宽带光 (200 nm – 1100 nm) 来解键合临时键合的晶圆对与玻璃作为载体晶圆。这些闪光灯在短时间间隔(~300 µs)内产生高强度光脉冲(高达 45 kW/cm 2 ),以促进脱粘。引言近年来,三维 (3D) 芯片技术在微电子行业中越来越重要,因为它们具有电路路径更短、性能更快、功耗和散热更低等优势 [1]。这些技术涉及异质堆叠多个减薄硅 (Si) 芯片(<100 µm)并垂直互连以形成三维集成电路 (3D-IC) [2]。在现代 3D 芯片技术中,可以使用硅通孔 (TSV) 来代替传统的引线键合技术在硅晶圆之间垂直互连。减薄晶圆使得这些 TSV 的创建更加容易 [3, 4]。为了便于处理薄硅晶圆,需要对硅晶圆进行临时键合。在临时键合工艺中,次级载体晶圆充当主器件晶圆的刚性支撑,并利用两者之间的粘合层将两个晶圆粘合在一起。晶圆粘合在一起后,即可进行背面研磨和后续背面处理。背面处理后,减薄后的晶圆和载体堆叠