XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System封装的
研究微生物的应用微生物微生物封装的益生菌食品
社会越来越多地寻求养成更合适的饮食习惯。因此，功能性食品在促进额外的健康益处以及其基本营养归因方面起着重要作用，在这些功能性食品中，它们是益生菌，它们是活的微生物，如果以足够的数量进行给药，可以促进健康益处。Div>由于其有益的作用，益生菌已纳入了最多样化的食物中。但是，这些食物中益生菌作物的生存能力和耐药性仍然存在一些问题。从这一文本中，微囊化是一种能够促进保护，控制释放和保存生物活性效应的技术解决方案。因此，本研究旨在评估在食品中使用微囊化益生菌微生物的重要性，强调某些应用并分析该过程中涉及的主要技术。在研究结束时，有可能发现益生菌细菌在食物中的应用具有很高的生存力和生存价值，证明微胶囊能够保护这些不利条件的微生物，在加工，储存过程中和通过消化性过程中，在加工，储存过程中保持更大的稳定性，维持更大的稳定性。此外，在用于益生菌微囊化的常规方法中，文献突出了挤出，乳液和干燥方法，例如喷雾干燥。
TB389：QFN 封装的 PCB 焊盘图案设计和表面贴装指南
瑞萨电子的四方扁平无引线 (QFN) 封装系列产品是一种相对较新的封装概念，目前正在快速发展。该封装系列包括通用版本 QFN，以及 TQFN、UTQFN 和 XQFN 等较薄版本。该系列的引线间距为 0.4 毫米及以上。四方扁平无引线的一个子集是双面类型（4 个侧面中只有 2 个有引线），其中包括 DFN、TDFN、UTDFN 和 XDFN 等版本。在本文档中，术语 QFN 代表所有系列选项。该系列具有多种优势，包括降低引线电感、小尺寸近芯片级封装、薄型和轻重量。它还使用周边 I/O 焊盘来简化 PCB 走线布线，而裸露的铜芯片焊盘技术可提供良好的热性能和电气性能。这些特性使 QFN 成为许多新应用的理想选择，这些应用对尺寸、重量以及热性能和电气性能都很重要。
在130 nm sige bicmos Technology的Beol中，晶圆级薄膜封装的MM-Wave RF-MEMS开关的单片整合
摘要 - 对于任何微电动机械系统（MEMS）设备的工厂最为明显的挑战之一，是该设备的低成本和高吞吐包装，以保护其免受环境颗粒，水分和配置的影响。在这项工作中，通过晶状级别CMOS（BICMOS）技术的130 nm双极CMOS（BICMOS）技术的RF-MEMS开关单一地整合到基于铝的后端线（BEOL）中，这是通过晶状级级别的薄级薄薄薄层薄层包装（WLE）。在晶片级封装包装之前，开发并证明了用于释放MEMS设备的湿式和蒸气释放技术。最终装置的封装是用Ti/Tin/Tin/Alcu/Ti/Tin层的堆栈实现为3- µm金属网格的晶圆级包装的。最后，将具有高沉积速率（HDR）的二氧化硅沉积过程用于释放孔的完整封装。通过低频C - V和D-Band时高频S-参数测量值评估了封装对RF-MEMS开关性能的影响。结果指示设备的完整功能，没有明显的性能下降。封装不需要额外的掩码，并且将其开发为8英寸晶圆级工艺，因此为RF-MEMS设备封装和包装提供了低成本和高吞吐量解决方案。
亚微米面板级封装的光刻解决方案
摘要 逻辑、存储器、光子、模拟和其他增值功能的异构集成是提高电子系统效率、性能和带宽同时有助于降低总体制造成本的一种方法。为充分利用异构集成的优势，设计人员需要更精细分辨率的重分布层图案和更大的封装尺寸，以最大限度地提高系统级封装集成的可能性。大封装电子系统的生产非常适合面板级封装 (PLP)，而在整个矩形面板上实现均匀的亚微米图案化是一项关键的光刻挑战。为应对这一挑战，佳能开发出第一台能够在 500 毫米面板上实现亚微米分辨率的光刻曝光系统或步进机。步进机具有面板处理系统，可处理最大尺寸为 515 mm x 515 mm 的面板，还配备了宽视场投影镜头，其最大数值孔径为 0.24，像场为 52 mm x 68 mm。本文将报告使用面板步进机的亚微米 PLP 工艺的评估结果，并介绍高分辨率 PLP 工艺的挑战，包括翘曲面板处理。将报告覆铜板 (CCL) 基板的工艺结果，包括图案均匀性、相邻镜头拼接精度和包含扇出工艺中常见的芯片放置误差的基板上的叠加精度。关键词先进封装、扇出、面板级封装、步进机、亚微米、光刻、系统级封装
适用于扇出型晶圆级和面板级封装的细线和低应力 RDL 解决方案
本文通过 HRDP ®（高分辨率可剥离面板）技术介绍了一种新的 RDL 概念。它已受到业界的广泛关注，尤其是对于扇出型、芯片后置、晶圆级和面板级封装组件。本文介绍了 HRDP ® 的结构和材料。可提供各种尺寸和厚度的适用 HRDP ® 载体，用于圆形面板和带有玻璃或硅的方形/矩形面板，以满足客户要求。这可以简化流程并改善界面应力。本文详细介绍了使用 HRDP ® 的工艺步骤，这些步骤基本上使用 RDL 金属图案化中的现有工具（即光刻、显影/Descum 等），而不会破坏装配线布局和工艺流程。HRDP ® 与现有的电介质和光刻胶兼容。事实证明，基于凸块制造厂中用于 RDL 的电介质和光刻胶的功能，已经实现了 2/2 微米及以下的精细 L/S 几何形状。可靠性数据已共享。关键词 载体技术、HRDP ® (高分辨率可脱键面板)、机械脱键、线/间距 (L/S)、最后芯片、RDL、扇出型晶圆级 (FO-WLP)。面板级封装 (PLP)、热膨胀系数 (CTE)。
用于结构健康监测的人工智能智能电子封装的最新进展
1 拉吉夫·甘地石油技术学院计算机科学与工程系地理信息学实验室，印度北方邦阿梅蒂 229304；pgi19002@rgipt.ac.in 2 拉吉夫·甘地石油技术学院石油工程与地球工程系机器学习与自动化实验室，印度北方邦阿梅蒂 229304；ppe15001@rgipt.ac.in 3 印度理工学院土木工程系，印度北方邦坎普尔 208016；blohani@iitk.ac.in 4 拉吉夫·甘地石油技术学院电子工程系，印度北方邦阿梅蒂 229304； udwivedi@rgipt.ac.in 5 印度北方邦 Jais 229304 拉吉夫·甘地石油技术学院化学工程与生物化学工程系；ddwivedi@rgipt.ac.in 6 韩国水原 16499 亚洲大学材料科学与工程系；ashu.materials@gmail.com 7 韩国首尔大学材料科学与工程系，首尔东大门区 Seoulsiripdaero 163 号，邮编 02504 * 通讯地址：susham@rgipt.ac.in（顺便提一句）；jpjung@uos.ac.kr（摩根大通）；电话：+91-9919556965（顺便提一句）；+82-2-6490-2408（摩根大通）† 同等贡献。
晶圆级封装的光子脱键合
2 2401 Brewer Driver，Rolla，MO 65401，美国 * 通讯作者的电子邮件：vikram.turkani@novacentrix.com 摘要 临时键合和脱键合 (TB/DB) 工艺已成为晶圆级封装技术中很有前途的解决方案。这些工艺为晶圆减薄和随后的背面处理提供了途径，这对于使用 3D 硅通孔 (TSV) 和扇出晶圆级封装等技术实现异质集成至关重要。这些对于整体设备小型化和提高性能至关重要。在本文中，介绍了一种新颖的光子脱键合 (PDB) 方法和相应的键合材料。PDB 通过克服与传统脱键合方法相关的许多缺点来增强 TB/DB 工艺。PDB 使用来自闪光灯的脉冲宽带光 (200 nm – 1100 nm) 来脱键合临时键合的晶圆对与玻璃作为载体晶圆。这些闪光灯在短时间间隔（~100 µs）内产生高强度光脉冲（高达 45 kW/cm 2 ）以促进脱粘。通过成功将减薄（<70 μm）硅晶圆从玻璃载体上脱粘，证明了 PDB 在 TB/DB 工艺中的可行性。对减薄晶圆和载体的脱粘后清洁进行了评估。通过每个闪光灯提供均匀、大面积照明（75 mm x 150 mm），并且能够串联灯以增加 PDB 工具的照明面积，PDB 方法为晶圆级和面板级封装技术提供了一种高通量、低成本的脱粘解决方案。关键词光子剥离、闪光灯、临时键合和脱粘、临时键合材料、晶圆级封装。
晶圆级扇出型封装的可靠性和性能
为了分析 UBM 疲劳，使用热机械有限元模拟研究了圆形衬垫界面处的载荷。由于 Hutchinson 和 Sou [15] 推断出拉伸法向载荷的界面韧性远低于剪切载荷，因此重点关注法向载荷。模拟研究了 T = -40°C 至 125°C 的温度范围。在低温下 (T = -40°C) 存在最高的拉伸法向载荷。这可以通过焊球材料在低温下蠕变减少 [16] 来解释，这会导致更高的弹性应力。此外，在低温下可以检测到焊球的倾斜。倾斜是由 PCB 和封装的 CTE 不匹配引起的。因此，拉伸法向应力位于界面朝向封装周边的一侧（见图 3）。图 3 中的色标直观地显示了拉伸和压缩应力的定性分布。这些模拟结果与分层实验结果相一致（见图 1）：在焊盘的相同外部区域也发现了分层。
六方氮化硼封装的单层 WS2 中的电子迁移率
我们报告了在六方氮化硼封装的双栅极单层 WS2 中的电子传输测量结果。使用从室温到 1.5 K 工作的栅极欧姆接触，我们测量了本征电导率和载流子密度随温度和栅极偏压的变化。本征电子迁移率在室温下为 100 cm2/(Vs)，在 1.5 K 下为 2000 cm2/(Vs)。迁移率在高温下表现出强烈的温度依赖性，与声子散射主导的载流子传输一致。在低温下，由于杂质和长程库仑散射，迁移率达到饱和。单层 WS2 中声子散射的第一性原理计算与实验结果高度一致，表明我们接近这些二维层中传输的本征极限。
碳封装的纳米层组装的MOS2纳米片具有较大的层间距离，用于柔性锂离子电池
抽象的2D过渡金属二分裂基化元素（例如具有独特分层结构的MOS 2）在锂离子电池（LIBS）领域受到了极大的关注。但是，低电导率和结构稳定性差会对LIB的速率性能产生不利影响。在此，由水稻样的MOS 2 /c组成的柔性且独立的高性能锂离子电极（MOS 2 /c@ti 3 C 2 t X）组成，设计和证明了MOS 2的较大的层套管距离，含有大米的MOS 2 /C插入式Ti 3 C 2 t x和PVP衍生的碳组成。锂离子电池由于其高能量密度引起了极大的关注。因此，作为锂离子电池的阳极材料，MOS 2 /c@ti 3 c 2 t x在0.05 a g-1时提供了538.5 mAh g-1的高排放能力，并在2 a g-1处的256.7 mAh g-g-1的快速充电 /放电能力为2 a g-g-1，以及在2 a g-1的效果（以及150 cy）150 cyect and cy and cat a and cat a and 1 150 cy。密度功能理论（DFT）计算表明，水稻样的MOS 2 /C结构有利于锂离子的吸附和扩散，并促进了氧化还原反应。MOS 2 /C@Ti 3 C 2 T X结构有望增强高性能锂离子电池的新型2D材料的开发。