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六边形的氮化硼中量子发射器的变色
抽象相干量子发射器是高级量子技术的中心资源。六角硼硝酸盐（HBN）容纳了一系列量子发射器，可以使用诸如高温退火，光学掺杂和用电子或离子辐照等技术进行设计。在这里，我们证明了此类过程可以降低HBN中量子发射器的连贯性，从而降解功能。具体来说，我们表明，在HBN纳米化方案中常规使用的HBN退火和掺杂方法会导致B-中心量子发射器的脱谐。详细表征了Decerention，并归因于在SPE激发期间静电波动并诱导光谱扩散的电荷陷阱的缺陷。当发射器是通过HBN生长的原始薄片的电子束照射来设计的，在HBN的电子束辐射中，B-中心线宽接近涉及干扰和纠缠所需的量子应用所需的寿命极限。我们的工作强调了晶格质量对于在HBN中实现相干量子发射器的至关重要性，尽管人们普遍认为HBN晶格和HBN SPE非常稳定，并且对化学和热降解具有弹性。它强调了对纳米制作技术的需求，这些技术在工程HBN SPES和量子交联技术的设备上时避免了晶体损伤。
在离子植入和NS脉冲激光退火时激活硅在硅中的发射器
光学主动电信发射器的最新演示表明，硅是固态量子光子平台的引人注目的候选者。尤其是，在常规的热退火后，已在富含碳的硅中显示了称为G中心的缺陷的制造。然而，这些发射器在晶圆尺度上的高收益受控制造仍然需要鉴定合适的热力学途径，从而在离子植入后激活其激活。在这里，我们证明了纳秒脉冲激光退火时高纯硅底物中G中心的激活。该提出的方法通过供应短的非平稳脉冲来实现G中心的非侵入性，局部激活，从而克服了与发射器的结构性亚元能力相关的常规快速热退火的局限性。有限元的分析突出了该技术的强大非平稳性，提供了与常规更长的热处理相对于常规的较长热处理的根本不同的缺陷工程能力，为嵌入在集成光子电路和波导的集成光子电路和波导中的发射器的直接和受控制造铺平了道路。
薄金属基材上的多层磁场发射器 div>
这项工作的目的是确定从材料接触中创建多层阴极的可能性，其在薄金属基板上的不同输出的不同输出，以及在微型流中，在电子流的交叉部分中形成密集的胶带和环的实际使用，但高电量设备。方法。gafnii层（𝑒3〜3。5 eV）和铂（𝑒3〜5。3 eV）分别使用相当简单且操作的Magnetron喷涂方法顺序将10 nm和2 nm依次应用于金属箔底物的侧面。阴极由箔制成，并用多层涂层在电子束的横截面中形成胶带和环。在三极管电子光学系统中产生了多层阴极发行特性及其形成的光束的实验测量，其中包括控制电极（阳极）和选举收集器的阴极以Pharanda圆柱体的形式进行。测量是在技术真空10-7的条件下进行的。。。10-8 Torr。 结果。 实验定义了由三极管电子光系统形成的电子流的横截面的特征和环在薄铝基板（9微米）和坦塔鲁斯（10微米）上形成的电子流的横截面。 测量了从阴极的电流对Cato室和控制电极之间电压（Volt-Ampere特性）之间的电压的依赖性，以及所形成的束的电子光系统中电流的变化。 结论。 。 。10-8 Torr。结果。实验定义了由三极管电子光系统形成的电子流的横截面的特征和环在薄铝基板（9微米）和坦塔鲁斯（10微米）上形成的电子流的横截面。测量了从阴极的电流对Cato室和控制电极之间电压（Volt-Ampere特性）之间的电压的依赖性，以及所形成的束的电子光系统中电流的变化。结论。。。在本文中，在电子流的薄金属基板上使用多层天主管在电子流的薄金属基板上进行了形成，并在高达300的田间发射场的横截面中，电流的横截面最大为几米，平均水平极大。400 A/cm 2。在选择技术真空中选择大型田间发射时，研究的阴极稳定运行的可能性。
基于硅的量子发射器的电子状态的应变工程
硅发光复合缺陷已被认为是基于在电信波长下工作的自旋和光子自由度的量子技术的潜在平台。它们在复杂设备中的集成仍处于起步阶段，并且主要集中在光萃取和指导上。在这里，通过应变工程来解决与碳相关杂质的电子状态（G-Centers）的控制。通过将它们嵌入绝缘体上的硅斑块中，并以罪恶将它们嵌入[001]和[110]方向上，并显示出对零声子线（ZPL）的受控分裂，这是由压电镜理论框架所解释的。分裂可以大至18 MeV，并且通过选择贴片大小或在贴片上的不同位置移动来调整它。一些分裂的，紧张的ZPL几乎完全极化，相对于平流区域，它们的总体强度可提高7倍，而它们的重组动力学略有影响，因为缺乏purcell效应。该技术可以扩展到其他杂质和基于SI的设备，例如悬浮桥，光子晶体微腔，MIE谐振器和集成的光子电路。
使用热储存和抛物线槽收集器的弹射器冷却和热电发电机系统的瞬态自我分析
摘要。大量能源消耗吸引了利用可再生能源的关注，其中最重要的是在炎热气候中的太阳能应用，以满足冷却和功率的需求。本研究的新颖性在于在弹出器冷却循环中将瞬态自我分析应用于两个喷射器和两个蒸发器。Furthermore, the study uses solar data specific to Tehran in Iran.第三，通过吸收冷凝器热部位的废热，热电发电机系统提供了运行泵送和电气控制系统所需的能量，从而创建了一个完全自主的系统。Thermodynamic model have been designed using EES software.桑迪亚国家实验室（SNL）和国家可再生能源实验室（NERL）的结果验证了抛物线槽太阳能模型。The comparison with the experimental data collected by SNL during the LS-2 tests on the AZTRAK platform has shown good agreement.Weather conditions were analyzed as transients using Meteonorm software.The results show that the solar system produced the most heat in June and the least in December, with 816 kW and 262.3 kW, respectively.Additionally, production power and cooling in June are 5.9 kW and 86 kW, and in December: 2.7 kW and 28 kW.Regarding exergy destruction percentages, the solar collector has 86% and the storage tank has 6.5%.
爆发是由ralstonia insidiosa引起的，从受污染的血液注射器中分离出来
1。简介拉斯托尼亚物种是机会主义的，可以在自来水，工业水分配系统和实验室纯净水系统等各种水源中生存和生长的水传播生物[1]。因此，这些微生物可能会污染用于患者护理的溶液，例如盐水溶液，静脉药，蒸馏水或呼吸溶液[2-4]。这些溶液的污染可能会引起侵袭性感染的爆发，例如血液感染（BSIS），骨髓炎和脑膜炎[5]。最常见的Ralstonia物种是Ralstonia Pickettii [6]。然而，Ralstonia Mannitolilytica，Ralstonia solanacearum和Ralstonia insidiosa也可能引起人类感染。R。Insidiosa是与Pickettii [7]最紧密相关的细菌，可能会因污染溶液而导致医院爆发。本研究提出了由R. insidiosa引起的菌血症爆发，这与我们医院的肝素化血液注射器有关。
Innovate UK弹射网络：英国创新生态系统的核心弹射器
我们有五个战略野心：1。英国能源系统支持的公司是能源创新的全球领导者。2。人们可以轻松且期望脱碳。3。企业和公共部门具有快速，轻松地脱碳的工具，可以使建筑物和遗址中使用的能量脱碳。4。基于强大的整个系统计划，英国的每个地区都在投资新的，零净能源基础设施。5。正在迅速推出了一种新的灵活的，数字化的零能源系统，这对所有消费者来说更有弹性，更好。
通过在脉冲激光沉积在Si基板上的脉冲激光层中的稀土掺杂微发射器
稀土发射器已在集成的光学源中研究了一段时间，作为激光源[1]和带有眼镜[2，3]或聚合物[4]的波导放大器。最近，它们被整合到互补的金属氧化物半导体（CMOS）驱动或兼容的SI光子芯片中，作为激光源[5]，放大器[6，7]以及调节剂[8，9]。稀土发射器为开发新的主动光学功能的可能性提供了许多可能性，该功能最初集中于第四组[10]或III-V材料[11，12]。然而，需要在硅平台上的有效掺入（例如粘结[13]，掩盖沉积[5，14]，额外的层[15]或蚀刻[16，17]，需要复杂的处理，这对实际应用可能是昂贵且有害的。尤其是Y 2 O 3和Al 2 O 3矩阵的情况，它需要电感耦合等离子体优化的蚀刻[18-20]。在这项工作中，我们提出了稀土掺杂层微发射体的创新设计，而无需使用升降加工与脉冲激光沉积（PLD）结合使用。在通过掩模（例如g。photoresist）的升降过程中，通过蚀刻的经典结构进行了蚀刻的经典结构，但在升降过程中，将材料与沉积的材料一起清除。这种方法比蚀刻更容易，避免沿蚀刻的侧壁潜在损害。尽管非常有吸引力，但提升过程的主要缺点之一是沉积过程中的底物温度。pld允许克服这种限制。升降处理是薄层图案（例如金属）或较厚层的微电子中常规的，具有低温沉积（如溅射）[21]，原子层[22]或玻璃沉积[23]。的确，如果底物温度高于200°C（即光固定剂的硬烘烤温度），则提升处理不能成功。PLD是一种通常用于
单光子发射器向量子技术迈进了一步
研究人员表示：“GaN/AlN 量子点的一个非常吸引人的特征是它们属于 III 族氮化物半导体家族，即固态照明革命（蓝色和白色 LED）背后的家族，其重要性在 2014 年获得了诺贝尔物理学奖。”“如今，就消费市场而言，它是仅次于硅的第二大半导体家族，主导着微电子行业。因此，III 族氮化物受益于坚实而成熟的技术平台，这使得它们在量子应用开发中具有很高的潜在价值。”
调整两个相干耦合量子发射器的超辐射和亚辐射性质
量子纠缠态的控制和操纵对于量子技术的发展至关重要。一种有前途的途径是通过它们的光学偶极-偶极相互作用耦合固态量子发射器。纠缠本身就具有挑战性，因为它需要发射器之间的纳米距离和近乎简并的电子跃迁。在这里，我们实施高光谱成像来识别耦合的二苯并蒽分子对，并通过使用斯塔克效应调整分子光学共振来找到最大纠缠的超辐射和亚辐射电子态的独特光谱特征。我们展示了使用振幅和相位定制的激光场对长寿命亚辐射离域态进行远场选择性激发。耦合分子的光学纳米显微镜揭示了由其激发路径中的量子干扰引起的空间特征，并揭示了每个发射器的位置。受控电子态叠加将有助于破译由相干耦合控制的更复杂的物理或生物机制并开发量子信息方案。