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射频功率放大器/射频发生器
Elite RF 由前摩托罗拉工程领导于 2014 年创立，在设计和制造固态射频功率放大器和高功率微波发生器方面树立了极高的标准，可提供现成的现货和定制设计解决方案。凭借内部工程团队和质量控制的 22,000 平方英尺制造设施，我们的核心优势在于我们对协作工程、稳健设计、高制造质量和准时交付的承诺。我们致力于提高您的运营绩效，旨在为您在快速发展的射频领域提供显著的竞争优势。
设计和制造射频功率放大器 (SSPA) 和高功率微波发生器
• 放大器从低频到 40GHz • 功率从 1W 到 100kW • A 类和 AB 类放大器 • CW/脉冲 • 内置不同形式 - 模块、机架或定制外壳 • 内置保护、启用/禁用输入、高反向隔离和更多功能 • 选项
采用 130nm CMOS 技术的射频功率放大器多级电源调制器：基于比较器的方法
摘要：节能功率放大器 (PA) 可以延长电池寿命，同时又不牺牲线性度，对移动设备来说越来越重要。包络跟踪 (ET) 设计中的电源调制器会影响射频 (RF) PA 的效率提升。本文介绍了一种基于比较器的电源调制器的设计，该调制器可动态控制驱动 PA 所需的电源电压。 前置放大器被设计用于放大 RF 输入信号，包络检测器在比较器的 0 - 3.3 V 摆幅范围内跟踪放大信号。 单位比较器被设计为工作在 2.1 GHz 频率下，最小上升时间延迟为 0.2 ns，并且它被级联以用作 8 位比较器。多级电源调制器接收来自 8 位比较器的输入。这通过限制流过由比较器关闭的晶体管的电流来确定流向 PA 的电流量。因此，基于比较器的包络跟踪系统旨在设计 ET 电路并将功率附加效率提高到大约 45%。此外，ET 电路不包含电感器等笨重元件，因此预计会占用较少的芯片面积。
磁控溅射技术分析射频溅射功率对SiO2/Si基片上沉积铝薄膜微结构表面形貌的影响
摘要 本研究采用射频磁控溅射技术在SiO2/Si基底上沉积铝（Al）薄膜，以分析射频溅射功率对微结构表面形貌的影响。采用不同的溅射射频功率（100–400 W）来沉积Al薄膜。利用X射线衍射图（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和傅里叶变换红外（FTIR）光谱研究了沉积Al薄膜的特性。X射线衍射（XRD）结果表明，低溅射功率下沉积的薄膜具有非晶性质。随着溅射功率的增加，可以观察到结晶。AFM分析结果表明，300 W的射频功率是生长最光滑Al薄膜的最佳溅射功率。FTIR结果表明，不同的射频功率影响沉积薄膜的化学结构。 SEM结果表明，随着溅射功率的增加，基体表面形成了孤立的纹理。总之，射频功率对沉积薄膜的性质，特别是结晶和形状有显著的影响。
AN1294 应用说明
在过去的 10 年中，随着电子组件尺寸的减小和可靠性的提高，对各种必须进行表面贴装的元件的需求全面增加。PowerSO-10RF 不仅仅是一种新封装，它还是一种用于射频功率应用的小外形塑料封装的新概念。在此类应用中，对表面贴装 (SMD) 封装的需求很大，但到目前为止，可用的双极技术还不允许这样做。这种新型射频塑料封装的主要优点是出色的热性能、高功率能力、高功率密度和适用于所有回流焊接方法。本应用说明将表明，PowerSO-10RF 是意法半导体最近推出的新型射频功率 LDMOS 产品的完美解决方案。
先进半导体器件技术
基于氮化镓 (GaN) 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 技术正在彻底改变现代国防射频和电子战系统。该技术能够以高线性度和高效率在高频下提供高功率。由于这些优势，它被广泛应用于雷达、卫星通信和军事地面通信等各种应用中。基于 GaN 的 HEMT 技术比现有的砷化镓 (GaAs) 单片微波集成电路 (MMIC) 具有显著优势，尤其是在射频功率应用方面。这主要是因为 GaN 器件具有非常高的击穿场，因此能够在更高的电压下工作。此外，GaN 器件的阻抗要高得多，因此在射频功率放大器集成电路中对匹配网络的要求就更低了。总体而言，与竞争对手的射频相比，GaN 技术可以将射频 IC 的尺寸缩小十倍甚至更高
希腊 III-V 族半导体分子束外延
As 4 分子束 在 PBN 管中注入分子 N 2 气体，产生射频功率诱导等离子体 活性 N 2 * 和 N 物种束 主要激发分子物种：E. Iliopoulos 等，J. Cryst. Growth 278, 426 (2005) 来自 Knudsen 室的 Ga 原子束
HMD AMPED BUDS快速启动指南HMD AMPED BUDS快速启动指南
遥控功能可能会根据设备和应用程序的模型而有所不同。音轨说明不响应iOS设备。由于带有蓝牙无线技术的设备使用无线电波进行通信，因此它们无需直接视线。蓝牙设备必须彼此之间的10米（33英尺）之内，尽管连接可能会受到墙壁或其他电子设备等障碍物的干扰。频段：2.402〜2.480 GHz最大射频功率：-6〜+8dbm
