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World File Search System带罩
带可更换 HEPA 过滤器的终端罩
HEPA 终端罩过滤器确保防漏设计，提供卓越的性能和耐用性。请查看详细的轮廓图，以全面了解过滤器框架的尺寸和设计特点。这将有助于选择适合您特定要求的完美过滤器。
带高压启动的自适应多模式PWM 控制器
当 HV 脚施加大于 40V 的电压时，内部高压电流源 对 V CC 脚外接的电容充电。为防止 V CC 在启动过程中短 路引起的功率损耗而使 IC 过热损坏，当 V CC 电压低于 1V 时，高压电流源的充电电流被限制为 I HV1 （ 1mA ）。 当 V CC 大于 1V 后，高压电流源的充电电流变为 4mA_min ， V CC 电压会迅速上升。当 V CC 超过启动水平 V CC_ON 时，高压启动电流源关闭。同时， UVLO 置高有 效， IC 内部电路开始工作。
带罩小型风力涡轮机 - Scholar Commons
带罩小型风力涡轮机 作者：Kristen Flannery、Michael Holligan、Joseph Soares 提交的论文部分满足了圣克拉拉大学工程学院机械工程理学士学位的要求，2014 年加利福尼亚州圣克拉拉
光罩
使用 EUV 光刻技术不断缩小尺寸的需求为图案化材料和工艺带来了挑战和机遇。缩小 BEOL 互连结构是提高功能设备性能的关键要素。在本文中，我们研究了各种因素对 EUV 单次曝光通孔图案化的影响，以找到缩小临界尺寸 (CD) 的有效策略，从而提高临界尺寸均匀性 (CDU) 和局部临界尺寸均匀性 (LCDU) 并降低缺陷率。这项工作基于在最小水平互连线间距为 28nm 时图案化片上系统 (SoC) 随机逻辑通孔层，这是使用 0.33 NA EUV 工具进行单次曝光互连的极限。该设计使用激进的 3/2 CPP/Mx 齿轮比，相当于 38nm 到 34nm 间距的正交通孔阵列，从而检查主要图案化参数和照明源与矩形通孔的 OPC 处理共同优化的影响。将通孔图案转移到底部电介质，以研究 LCDU 的演变和蚀刻过程中的缺陷率。
光罩
在半导体器件制造过程中，EUV 光刻技术必不可少，而光化学 EUV 掩模计量技术必不可少。在 PSI，我们正在开发 RESCAN，这是一种基于相干衍射成像 (CDI) 的平台，可以满足当前和未来的掩模检查分辨率要求。在 CDI 中，用相干光照射样品获得的衍射图案由像素检测器记录，这些衍射图案用于通过迭代相位检索算法重建物体的复振幅图像。虽然在传统光学系统中，像差会影响最终图像的分辨率，但 CDI 方法本质上是无像差的。尽管如此，仍需要仔细预处理衍射信号以避免重建图像中出现伪影。特别是，由于我们的系统以 6° 的入射角在反射模式下工作并使用平面检测器，因此有必要校正由于非远心性而导致圆锥失真的记录衍射图案。本文讨论了衍射数据预处理对重建图像质量的影响，并通过在 RESCAN 显微镜中应用优化的数据预处理流程展示了缺陷灵敏度的提高。结果，我们在光掩模上实现了低至 20 nm 的缺陷灵敏度，并在大视场中实现了均匀的图像质量。
