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光罩
机构名称：

光罩

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热度

由于 EUV 光源的吸收率很高，极紫外光刻 (EUVL) 使用反射式光学系统，而 EUV 掩模版由多层复合材料组成以增加反射率。随着重复曝光的进行，在构成 EUV 掩模版的每一层中都观察到了由于能量吸收而产生的热积累以及由此产生的热变形。特别地，吸收器由吸收率高的材料制成，因此温度积累和变形根据有无吸收器的部分而不同。这意味着热变形会导致掩模重叠和局部临界尺寸均匀性 (LCDU) 问题，从而导致工艺良率降低。在本文中，我们将研究在使用静电卡盘 (ESC) 和氢冷却时，吸收器存在与否对温度积累和热变形的影响。

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