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World File Search System带隙
综述——宽带隙和超宽带隙半导体的辐射损伤
宽带隙半导体 SiC 和 GaN 已经作为功率器件商业化，用于汽车、无线和工业电源市场，但它们在太空和航空电子应用中的应用受到重离子暴露后易发生永久性性能退化和灾难性故障的阻碍。这些宽带隙功率器件的太空认证工作表明，它们易受无法屏蔽的高能重离子空间辐射环境（银河宇宙射线）的损坏。在太空模拟条件下，GaN 和 SiC 晶体管在其额定电压的约 50% 下表现出故障敏感性。同样，在重离子单粒子效应测试条件下，SiC 晶体管容易受到辐射损伤引起的性能退化或故障，从而降低了它们在太空银河宇宙射线环境中的实用性。在 SiC 基肖特基二极管中，在额定工作电压的 ∼ 40% 时观察到灾难性的单粒子烧毁 (SEB) 和其他单粒子效应 (SEE)，并且在额定工作电压的 ∼ 20% 时漏电流出现不可接受的下降。超宽带隙半导体 Ga 2 O 3 、金刚石和 BN 也因其在电力电子和日盲紫外探测器中的高功率和高工作温度能力而受到探索。从平均键强度来看，Ga 2 O 3 似乎比 GaN 和 SiC 更能抵抗位移损伤。金刚石是一种高度抗辐射的材料，被认为是辐射探测的理想材料，特别是在高能物理应用中。金刚石对辐射暴露的响应在很大程度上取决于生长的性质（自然生长与化学气相沉积），但总体而言，金刚石对高达几 MGy 的光子和电子、高达 10 15（中子和高能质子）cm − 2 和 > 10 15 介子cm − 2 的辐射具有抗辐射能力。BN 对高质子和中子剂量也具有抗辐射能力，但由于中子诱导损伤，h-BN 会从 sp 2 杂化转变为 sp 3 杂化，并形成 c-BN。宽带隙和超宽带隙半导体对辐射的响应，尤其是单粒子效应，还需要更多的基础研究。© 2021 电化学学会（“ ECS ” ）。由 IOP Publishing Limited 代表 ECS 出版。[DOI：10.1149/2162-8777/ abfc23 ]
字母 A 1.2 V 2.18 ppm/°C 曲率补偿 CMOS 带隙基准
带隙基准源是模拟、数字或混合信号电路的关键元件，例如模数转换器、数模转换器、低压差稳压器、锁相环和许多其他电子设备[1、2、3、4、5、6、7]。带隙基准源提供的电压具有明确而稳定的特性，并且对电源电压和温度变化不敏感。基准源的精度和稳定性对后续电路的性能起着重要作用[8、9]。因此，已经提出了许多高阶温度补偿技术来降低 TC。[10、11、12] 中讨论了依赖于温度的电阻比补偿技术。其曲率补偿效果主要由两个温度
宽带隙半导体
我们的军事系统严重依赖其内部的微系统。几十年来，DARPA 一直致力于研究，以提高这些技术的性能。这有助于工程师提供越来越多的紧凑型设备和便携式平台，以支持国防训练和行动。随着军事能力的发展，对这些微电子器件的要求也在不断提高——从以更高的频率运行到在单个芯片上集成数十亿个晶体管。在过去的二十年里，特别是过去两年的电子复兴计划，DARPA 在电子研发方面投入了大量资金，以发现能够实现更高性能和功能的新材料和设计。硅长期以来一直是微电子器件的标准半导体材料，现在仍然是大量商业和国防应用的标准材料。然而，硅可以提供多少性能的理论极限——特别是对于以更高功率和频率运行的系统——在实践中正在达到。这一长期存在的现实检验推动了对替代半导体技术的探索。
带-3-13 带-3-18 带-3-26
通过为整个系统和每个灯具注入智能，数字流明系统可以在需要的时间和地点提供照明，以最大限度地降低能耗。它还收集和报告所有照明使用数据，从而深入了解照明的使用方式和地点。
从密度泛函理论系统地调整二元 III-V 半导体的应变诱导带隙
III-V 半导体带隙性质和大小的改变对于光电应用具有重要意义。应变可用于系统地在很宽的范围内调整带隙，并引起间接到直接 (IDT)、直接到间接 (DIT) 和其他带隙性质的变化。在这里，我们建立了一种基于密度泛函理论的预测从头算方法来分析单轴、双轴和各向同性应变对带隙的影响。我们表明系统性变化是可能的。对于 GaAs，在 1.52% 各向同性压缩应变和 3.52% 拉伸应变下观察到 DIT，而对于 GaP，在 2.63 各向同性拉伸应变下发现 IDT。我们还提出了一种通过将双轴应变与单轴应变相结合来实现直接-间接转变的策略。确定了应变 GaSb、InP、InAs 和 InSb 的进一步转变点，并与元素半导体硅进行了比较。因此，我们的分析为二元 III-V 半导体中的应变诱导带隙调整提供了一种系统且可预测的方法。
硅烯插层引起外延双层石墨烯中相当大的带隙
摘要：在双层石墨烯 (BLG) 中打开带隙对于石墨烯基电子和光子器件的潜在应用具有重要意义。本文，我们报告了通过在 BLG 和 Ru 衬底之间插入硅烯在 BLG 中产生相当大的带隙。我们首先在 Ru(0001) 上生长高质量的 Bernal 堆叠 BLG，然后将硅烯插入 BLG 和 Ru 之间的界面，这通过低能电子衍射和扫描隧道显微镜得到证实。拉曼光谱显示，插入的 BLG 的 G 和 2D 峰恢复到独立 BLG 特征。角分辨光电子能谱测量表明，BLG 中打开了约 0.2 eV 的带隙。密度泛函理论计算表明，大带隙打开是 BLG 中掺杂和波纹/应变共同作用的结果。这项工作为 BLG 中带隙打开的机制提供了深刻的理解，并增强了基于石墨烯的器件开发的潜力。关键词：双层石墨烯、带隙、协同机制、插层、硅烯 ■ 介绍
预测ABN3 perovskites的带隙-RSC Publishing探索具有单端的o-donor配体
具有氧配体的锰配合物主要由较高氧化态的氧化物种（包括氧化物配体）支配，而碱性或羧酸盐是下氧化态的首选配体。14,23,24，以防止聚集并能够形成单核复合物，笨重的烷氧化物配体以及uorated的配体，构成了合适的配体Sca效应。25,26在这方面，pentauorothotoltotellate群（teAte，otef 5）也具有独特的可能性，因为它提供了一个O-Donor配体系统，其易于桥接金属中心的趋势。27,28与uoride相似的电子吸引力的特性使我们设想了使用这种单次配体的可能性，用于合成含有MN - O键的前所未有的均匀的单核锰化合物的合成，这将是良好的低迷低位的类似物。18
高级模拟集成电路设计
（如面向本科生开放，请注明区分内容。 If the course is open to undergraduates, please indicate the difference. ） 本课程主要讲授高级模拟集成电路设计的重要概念、基本模块与系统的分析与设计，具体内容包括晶 体管模型、噪声分析、模拟版图、运算放大器、偏置和带隙基准参考电路、连续与离散模拟滤波器、 模数转换器和数模转换器。学生将学习现代模拟集成电路中的重要概念，培养初步的分析和设计能 力，了解基本模块和系统的分析方法和设计流程。 This course provides a comprehensive introduction to various aspects of advanced analog integrated circuits design, including transistor models, noise analysis, analog layout, feedback, stability, operational amplifiers, and bias and bandgap voltage reference circuits. Specific topics will include analog filtering (continuous-time and discrete-time), analog-to-digital converters, and digital-to-analog converters. Students will learn to understand the concepts in modern analog integrated circuits, cultivate preliminary analysis and design capabilities, understand the analysis method and design process of the basic modules.
利用三角碳化硅结构中的光子带隙实现高效的量子纳米光子硬件
碳化硅因其色心缺陷的长自旋相干性和单光子发射特性而成为领先的量子信息材料平台之一。碳化硅在量子网络、计算和传感中的应用依赖于将色心发射有效收集到单一光学模式中。该平台的最新硬件开发专注于角度蚀刻工艺，以保留发射器特性并产生三角形设备。然而，人们对这种几何结构中的光传播知之甚少。我们探索了三角形横截面结构中光子带隙的形成，这可以作为开发碳化硅中高效量子纳米光子硬件的指导原则。此外，我们提出了三个领域的应用：TE 通滤波器、TM 通滤波器和高反射光子晶体镜，可用于高效收集和传播光发射模式选择。
xps的椭圆法和能量损失光谱的杂交用于带隙和光学常数测定sion薄膜中的
Joao Resende，David Fuard，Delphine Le Cunff，Jean-Herve Tortai，Bernard Pelissier。Hy-hy-hy-Bridations和XPS的能量损失光谱用于带隙和光学常数测定sion薄膜中。材料化学与物理学，2020，259，pp.124000。10.1016/j.matchemphys.2020.124000。hal-03017737