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在AI中揭示隐私风险：数据，模型和系统Amanda Csipak数字农业将农艺学推向下一个绿色革命高电阻超速带隙半导体的光电流和金属接触的特性
超级带隙（UWBG）半导体固有地表现出很高的电阻率。该特性不仅提出了探索其电运输特性的挑战，而且很难制造，理解和表征这些材料上金属接触的电特性。在这里，我们报告了光电流的应用电场依赖性的测量和分析，以揭示金属接触对高电阻H-BN的传输特性的影响。我们的结果表明，即使对于H-BN，室温的电阻率高达10 14 x cm，供应金属触点也不是完全阻断的类型，正如先前对其他大型带隙绝缘材料中通常假设的那样。通过修改金属/半导体界面之间的边界条件，已经获得了定量描述，可用于确定金属触点是欧姆还是阻塞类型。此定量描述应适用于所有具有极高电阻率的UWBG半导体。这项工作还可以更好地了解金属接触类型如何影响UWBG半导体的运输特性。
预测ABN3 perovskites的带隙-RSC Publishing探索具有单端的o-donor配体
具有氧配体的锰配合物主要由较高氧化态的氧化物种（包括氧化物配体）支配，而碱性或羧酸盐是下氧化态的首选配体。14,23,24，以防止聚集并能够形成单核复合物，笨重的烷氧化物配体以及uorated的配体，构成了合适的配体Sca效应。25,26在这方面，pentauorothotoltotellate群（teAte，otef 5）也具有独特的可能性，因为它提供了一个O-Donor配体系统，其易于桥接金属中心的趋势。27,28与uoride相似的电子吸引力的特性使我们设想了使用这种单次配体的可能性，用于合成含有MN - O键的前所未有的均匀的单核锰化合物的合成，这将是良好的低迷低位的类似物。18
面向 5G 应用的光子可重构电磁带隙天线阵列性能研究
3 伦敦都市大学通信技术中心，伦敦 N7 8DB，英国；b.virdee@londonmet.ac.uk、i.garciazuazola@londonmet.ac.uk、a.krasniqi@londonmet.ac.uk，4 马德里卡洛斯三世大学信号理论与通信系，28911 Leganés，马德里，西班牙；mohammad.alibakhshikenari@uc3m.es 5 伊拉克 Al-Turath 大学医疗器械技术工程系；amna.shibib@ieee.org 6 土耳其伊斯坦布尔 34220 Esenler 伊尔迪兹技术大学电子与通信工程系；nturker@yildiz.edu.tr 7 沙特阿拉伯利雅得国王沙特大学工程学院，POBox 800，利雅得 11421， drskhan@ksu.edu.sa 8 英国爱丁堡龙比亚大学计算工程与建筑环境学院； n.ojaroudiparchin@napier.ac.uk 9 巴勒莫大学工程系，viale delle Scienze BLDG 9，巴勒莫，IT 90128，西西里岛，意大利； patrizia.livreri@unipa.it 10 上法兰西理工大学，微电子和纳米技术研究所 (IEMN) CNRS UMR 8520，ISEN，里尔中央大学，里尔大学，59313 Valenciennes，法国； iyad.dayoub@uphf.fr 11 法国上法兰西学院，F-59313 瓦朗谢讷，法国 12 恩纳科雷大学工程与建筑学院，94100 恩纳，意大利；giovanni.pau@unikore.it 13 魁北克大学国立科学研究院 (INRS)，蒙特利尔，魁北克，H5A 1K6，加拿大；sonia.aissa@inrs.ca 14 罗马“Tor Vergata”大学电子工程系，Via del Politecnico 1，00133 罗马，意大利；limiti@ing.uniroma2.it 15 阿拉伯科学、技术和海运学院电子与通信工程系，开罗 11865，埃及；mohamed.fathy@aast.edu
Moiré修饰的带隙和van Hove奇异性曲折
二维拓扑绝缘子的扭曲双层有可能创建物质的独特量子状态。在这里，我们成功地合成了GE 2 pt（101）上的Germanene扭曲的双层，其扭曲角度为21.8 o，对应于相应的（√7×√7）结构。使用扫描隧道显微镜和光谱法，我们揭示了该构型的结构和电子特性，揭示了MoiréSoded的带隙和明确定义的边缘状态。该带隙在AB/BA堆叠的位点打开，并在AA堆叠的位点关闭，这是扫描隧道显微镜尖端引起的电场所归因的现象。我们的研究进一步揭示了-0.8 eV和+1.04 eV的两个van Hove奇点，导致（8±1）×10 5 m/s的费米速度。我们的紧密结合结果揭示了独特的量子状态，其中可以通过电场调节拓扑特性，从而可能触发两个拓扑相变。
热处理的多面体纳米镍氧化物具有减少带隙
摘要。镍氧化物（NIO）是一种半导体材料，具有独特的电子结构。由于其独特的电子特性，NIO是光电子，照片催化和诸如太阳能电池等能量设备的各种应用的有趣候选人。在当前的工作中，已经进行了量身定制Nio乐队的差距。一种简单的共沉淀方法，然后使用热处理来合成材料。在热处理之前，对合成材料的X射线衍射研究显示出存在氢氧化镍[Ni（OH）2]。在1000 O C下钙化一小时，揭示了单相NIO。热处理后，发现发现粒径增加了。使用UV-VIS光谱法记录了[Ni（OH）2]和NIO的吸收光谱。分别观察到Ni（OH）2和NIO的TAUC图A的带隙为4.2 eV和1.8 eV。观察到，注意到NIO的带隙显着减少。通过使用FESEM进行表面形态学研究，这表明板材像[ni（oh）2]的结构一样转变为钙化时多面形的Nio。通过能量分散光谱分析证实了镍和氧的存在。
预测 ABN3 钙钛矿的带隙 - RSC 出版社
并提出极有可能通过实验实现。19 最近，人们利用第一性原理 DFT 计算来计算某些稀土氮化物钙钛矿 ABN 3（A = La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu 和 B = Re、W）的磁矩和热力学稳定性，并提出了它们在氮化物材料领域的众多技术应用。16 在这方面，DFT 现在被认为是一种估算所研究材料的电子和光电特性的优雅方法。电子和光电特性主要由材料的带隙决定。虽然采用局部密度近似 (LDA) 和广义梯度近似 (GGA) 的 DFT 计算低估了 E g 值，33 – 36 但未经筛选的混合函数和 Perdew – Burke – Ernzerhof – Hartree – Fock 交换 (PBE0) 函数会高估化合物相对于其实验对应物的带隙能量。37 – 39 在这方面，使用混合交换关联 (XC) 函数，例如 Heyd – Scuseria – Ernzerhof (HSE)、Becke-3 参数-Lee-Yang-Parr (B3LYP) 和 B3PW91，通过单次 GW (G 0 W 0 ) 近似完成的 DFT 计算可以预测接近实验结果的化合物的 E g 值。 14,33,40 – 48 此类计算的主要缺陷在于它们对计算要求高并且需要高端服务器来运行它们。在这种情况下，机器学习（ML）现在被认为是一种有效的替代途径，可以避免与 DFT 计算相关的固有计算成本，并有助于在材料特性和目标变量（此处为 Eg）之间建立一个简单的模型。49 – 60 尽管最近已成功实施 ML 方法预测氧化物、卤化物钙钛矿和双钙钛矿化合物的带隙，61 – 66 但在预测氮化物钙钛矿的带隙方面尚未发现此类报道。考虑到上述问题，本文旨在从 ML 模型中预测 ABN 3 钙钛矿的带隙。已经进行了 DFT 研究以估计两种新型氮化物钙钛矿 CeBN 3（B = Mo，W）的电子能带结构、Eg 值和光电特性。本文的结构如下：第2节讨论了计算方法，包括ML方法和第一性原理DFT计算。第3.1节分享了ABN 3钙钛矿数据的清理和预处理。第3.2节讨论了ML模型的训练和验证。第3.3节致力于理解两种新发现的氮化物钙钛矿化合物CeBN 3 (B = Mo, W)的结构性质和稳定性。第3节。图4以CeBN 3 化合物的电子能带结构和带隙计算为框架，采用不同层次的DFT理论进行计算。相应的光电特性已在第3.5节中重点介绍。本研究的总体结论已在第4节中讨论。
Paul Egan，博士。 Div> Damar L. Lopez-Aredondo Zemfira N. Karamysheva，博士 Wen Chen 生物技术学生手册 有天赋/才华横溢的计划指南德克萨斯理工学院K-12 开放师职位 课程和教学系... 参与高科技市场的无编织研究 b'' 供应链管理专业 tingting yan 硕士学位计划和候选人资格 在AI中揭示隐私风险：数据，模型和系统 Amanda Csipak 数字农业将农艺学推向下一个绿色革命 高电阻超速带隙半导体的光电流和金属接触的特性
[*]表示我是相应的作者[a]表明与第一作者[1]的同等贡献表示，我建议作为委员会主席[2]的研究生[3]指出了我所指导的研究生[3] [3]表示我在实验室期刊上建议的博士后研究员：Q Indices中的Q Indices，基于Scimago Journal和国家级等级。归类为Q1，Q2，Q3和Q4的期刊分别属于特定学科下的期刊的前25、25-50、50-75和75-100％。
基于宽带隙光电导半导体的参数可调高功率光子微波产生新进展
利用宽带隙SiC光电导半导体制备的射频/微波定向能量源由于其高功率输出和多参数可调的独特优势而受到广泛关注。过去几年中，受益于激光技术的持续创新和材料技术的重大进步，利用光电导半导体器件已经在P和L微波波段实现了兆瓦级输出功率、频率灵活的电脉冲。本文主要总结和评述了近年来基于SiC光电导半导体器件在线性调制模式下产生高功率光子微波的最新进展，包括所提出的高功率光子微波源的机理、系统架构、关键技术和实验演示，并讨论了未来利用宽带隙光电导体进行更高功率光子微波多通道功率合成发展的前景与挑战。
通过紫外可见光谱进行带隙分析
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利用三角碳化硅结构中的光子带隙实现高效的量子纳米光子硬件
碳化硅因其色心缺陷的长自旋相干性和单光子发射特性而成为领先的量子信息材料平台之一。碳化硅在量子网络、计算和传感中的应用依赖于将色心发射有效收集到单一光学模式中。该平台的最新硬件开发专注于角度蚀刻工艺，以保留发射器特性并产生三角形设备。然而，人们对这种几何结构中的光传播知之甚少。我们探索了三角形横截面结构中光子带隙的形成，这可以作为开发碳化硅中高效量子纳米光子硬件的指导原则。此外，我们提出了三个领域的应用：TE 通滤波器、TM 通滤波器和高反射光子晶体镜，可用于高效收集和传播光发射模式选择。