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宽带隙半导体市场的氧化镓技术经济分析：预印本
目前，超过 30% 的电能经过电力电子设备，据推测未来十年这一比例可能会增长到 80%。宽带隙半导体市场在 2019 年已经接近 10 亿美元，预计到 2028 年将达到近 70 亿美元。尽管成本高昂，但由于尺寸更小、效率更高，SiC 在某些应用（如混合动力汽车和电动汽车）中开始取代现有的 Si 技术。我们回顾并报告了 IHS Markit 对宽带隙半导体技术的市场预测，并重点介绍了 Ga 2 O 3 晶片制造成本的技术经济分析结果。具体而言，我们关注使用当前的制造方法 Ga 2 O 3 比 SiC 更具经济优势的潜力，然后确定可以进一步降低 Ga 2 O 3 晶片批量成本的研究机会。
用于生物医学应用的宽带隙半导体可拉伸 3D 微结构的工程路线 (Adv. Funct. Mater. 34/2023)
宽带隙 (WBG) 半导体引起了广泛的研究兴趣，用于开发广泛的柔性电子应用，包括可穿戴传感器、软逻辑电路和长期植入式神经调节器。传统上，这些材料在标准硅基板上生长，然后使用机械冲压工艺转移到软聚合物上。该技术可以在转移后保留宽带隙材料的优异电学性能并实现柔性；然而，与三维生物系统相比，大多数设备受到二维配置的限制，其机械拉伸性和形态有限。本文提出了一种无冲压微加工工艺，首次实现了三维柔性可拉伸宽带隙电子器件。该方法在独立纳米膜的两侧都应用光刻技术，可以直接在标准硅晶片上形成柔性结构，以调整材料的光学透明度和机械性能。随后，柔性器件从支撑基板上分离，并进行受控机械屈曲，将宽带隙半导体的二维前体转变为复杂的三维中尺度结构。制造具有三维架构的宽带隙材料的能力，这些材料具有器件级可拉伸性，并具有多模传感能力，将极大地促进先进三维生物电子界面的建立。
GAA：使用光子带隙结构
MMIC的微波包装的主要目标之一是保存所需的RF属性。在放大器MMIC的情况下，相对于包装的最关键属性是向前增益，输入匹配，反向隔离，增益平坦和稳定性。基于LTCC的方法是包装MMIC的有趣选择。陶瓷载体形成了用于电线粘合和翻转芯片的粘合基板，可用于整合高质量的被动剂。集成的阻止电容器可以降低组装成本，并以低额外的成本来实施诸如RF过滤和防止静电放电之类的其他功能[4]。对于模具附着，Flip-Chip由于flip-Chip跃迁的良好发电性和低寄生电感而引起了人们的注意。但是，在实践中可以看出，Flip-Chip还需要处理特定的寄生效应，这些寄生效应将芯片倒挂在金属表面上时，例如在大多数丝网键入方法中完成的金属表面[3] [5]。
光子带隙磁盘激光器 - 电子字母
自1992年引入以来，[l]微型遇到激光吸引了Sigmfkant的注意，因为高Q光源具有非常强烈的光学限制。他们的激光模式近似窃窃私语模式，这些模式取决于半导体磁盘弯曲边界处的总内部反射。在这封信中，我们描述了基于光子带隙晶体的Bragg反射，而不是半导体层之间的大介电介质不连续性和半导体层和Sur-Rounder-Rounder-Rounder-Rounder-Rounder-Rounder-Rounding低索引介质。[2]低语画廊模式的约束在很大程度上取决于磁盘边界的曲率。使用光子带隙允许横向填充和设备尺寸解耦。
曲率校正低压带隙基准
稿件于 1992 年 9 月 8 日收到；修订于 1993 年 2 月 17 日。M. Gunawan 曾就职于荷兰代尔夫特理工大学电气工程系，邮编 2628 CD 代尔夫特。他目前就职于印度尼西亚政府。GCM Meijer 就职于荷兰代尔夫特理工大学电气工程系电子实验室，邮编 2628 CD 代尔夫特。J. Fonderie 曾就职于荷兰代尔夫特理工大学电气工程系电子仪器实验室，邮编 2628 CD 代尔夫特。他目前就职于 Phihps Semiconductors，邮编 94088，加利福尼亚州桑尼维尔。JH Huijsing 就职于荷兰代尔夫特理工大学电气工程系电子仪器实验室，邮编 2628 CD 代尔夫特。IEEE 日志号 9209023。