机构名称：
¥ 1.0
自1992年引入以来，[l]微型遇到激光吸引了Sigmfkant的注意，因为高Q光源具有非常强烈的光学限制。他们的激光模式近似窃窃私语模式，这些模式取决于半导体磁盘弯曲边界处的总内部反射。在这封信中，我们描述了基于光子带隙晶体的Bragg反射，而不是半导体层之间的大介电介质不连续性和半导体层和Sur-Rounder-Rounder-Rounder-Rounder-Rounder-Rounder-Rounding低索引介质。[2]低语画廊模式的约束在很大程度上取决于磁盘边界的曲率。使用光子带隙允许横向填充和设备尺寸解耦。
光子带隙磁盘激光器 - 电子字母
主要关键词
相关文件推荐
