设计酶具有基础和技术意义。实验定向进化仍然有很大的局限性,计算方法是一条补充途径。设计的酶应满足多个标准:稳定性、底物结合、过渡态结合。这种多目标设计在计算上具有挑战性。最近的两项研究使用自适应重要性抽样蒙特卡罗重新设计蛋白质以进行配体结合。通过首先平坦化载脂蛋白的能量景观,他们获得了结合状态的正设计和非结合状态的负设计。我们现在已将该方法扩展到设计一种酶以进行特定的过渡态结合,即其催化能力。我们考虑了甲硫氨酰-tRNA 合成酶 (MetRS),它将甲硫氨酸 (Met) 附着到其同源 tRNA 上,从而建立密码子身份。此前,MetRS 和其他合成酶已通过实验定向进化重新设计,以接受非规范氨基酸作为底物,从而导致遗传密码扩展。在这里,我们通过计算重新设计了 MetRS,使其能够结合多种配体:Met 类似物叠氮亮氨酸、甲硫氨酰腺苷酸 (MetAMP) 以及形成 MetAMP 生成过渡态的活化配体。通过设计计算恢复了已知具有叠氮亮氨酸活性的酶突变体,并对预测结合 MetAMP 的 17 种突变体进行了实验表征,发现它们均具有活性。预测具有低活化自由能的突变体在 MetAMP 生成中被发现具有活性,并且预测的反应速率与实验值非常吻合。我们建议本方法应成为计算酶设计的范例。
在这项研究中,检查了构建方向对聚乳酸或PLA聚合物拉伸强度的影响。利用直径为1.70mm的PLA丝,根据塑料的ASTM D638规格,使用SolidWorks软件设计拉伸测试样品。然后,样品以45度的方向打印3D,使用FDL 3D打印机直立。最终的样品使用痛风通用测试机进行了应力测试,发现平坦的方向样品由于整个层上更有效的负载分布而导致的紧张应力最大。另一方面,垂直印刷的样品显示出最小的拉伸应力,表明有效的负载传输较低。光学显微镜用于观察材料的打印层方向。
摘要:本文重点介绍一种应用于交通系统的原始控制方法,该系统包括聚合物电解质膜燃料电池 (PEMFC) 作为主要能源,超级电容器 (SC) 作为储能备用。为了将超级电容器与嵌入式网络的直流总线连接起来,使用了双端口双向 DC-DC 转换器。为了控制系统并确保其稳定性,通过采用微分平坦算法的非线性控制方法开发了网络的降阶数学模型,这是一种有吸引力且有效的解决方案,通过克服交通系统电力电子网络中普遍遇到的动态问题来使系统稳定。系统控制的设计和调整与平衡点无关,在该平衡点上,所提出的控制律考虑了 PEMFC 主电源、超级电容器储能装置和负载之间的相互作用。除此之外,还实现了负载功率抑制的高动态性,这是本文的主要贡献。为了验证所开发控制律的有效性,在实验室中实现了小型实验测试台,并在 dSPACE 1103 控制器板上实现了控制律。实验测试使用 1 kW PEMFC 源和 250 F 32 V SC 模块作为储能备份进行。最后,根据在驾驶循环中测量的实际实验结果验证了所提出的控制策略的性能,包括电动模式、骑行和再生制动模式。
利用 MCNP 计算非均匀体模内电子束的剂量分布并通过实验测量进行验证。 Hassan Ali Nedaie,伊朗德黑兰医科大学癌症研究所 使用 NPL 网格上的 DOSRZnrc 计算英国主要标准治疗级电子束热量计的间隙校正 Mark Bailey,英国泰丁顿国家物理实验室 辐照小组建模工作组 - 蒙特卡罗代码审查 Mark Bailey(辐照小组秘书),英国泰丁顿国家物理实验室 使用 BEAMnrc 设计 50kVp 接触式 X 射线治疗装置的平坦滤波器 Gareth M. Baugh,英国考文垂大学医院阿登癌症中心 验证 PENELOPE 蒙特卡罗代码以计算异质体模中的吸收剂量 Léone Blazy,CEA-Saclay,法国亨利贝克勒尔国家实验室 使用不同版本 MC 代码对低能锗探测器进行蒙特卡罗校准的结果 PENELOPE Robert Brettner-Messler,FJ Maringer,奥地利维也纳联邦计量测量局 Geant4 作为质子束中 Al2O3:C 发光响应的轨迹相互作用模型的传输代码 S. Greilich,Risø 国家实验室,DK-4000 罗斯基勒,丹麦 探测器死层厚度对探测器效率的影响 Mario Kedhi,阿尔巴尼亚地拉那核物理研究所 探测器效率和巧合求和 c 的计算
扭曲的双层石墨烯(TBG)中的平坦带超导性和量子几何形状平坦带中的非富特液体正常状态平面频带超导体中的非平衡转运dc在平坦带中的直流电导率。
将几何效率的平坦带固定在费米水平上,量子材料中的电子相关拓扑平面带代表了凝结物理物理学中的一个引人入胜的受试者,通常与许多外来现象相关,包括超导性,磁性,磁性和电荷密度波浪级。平面带通常在量子材料中发现,其中库仑相互作用与电子动能相当或大。在这种状态下,电子被显着减慢,以使它们彼此相互作用,因此形成了可能改变宏观材料特性的新兴电子订单。与降低电子速度的电子库仑相互作用产生的狭窄带相反,拓扑平面带源于由于电子波函数的量子破坏性干扰引起的动能的淬灭。在真实材料中寻找平坦带,并揭示相关的有趣现象以及基础的显微镜机制,被共同称为平坦带物理。
摘要:随着集成电路技术的发展,特别是进入亚微米工艺之后,关键尺寸的缩小和高密度器件的实现,集成电路材料层之间的平整度变得越来越关键。因为传统的机械抛光方法不可避免地会在金属甚至电介质层中产生与器件相同尺寸的划痕,导致光刻中的景深和聚焦问题。第一个实现应用的平坦化技术是旋涂玻璃(SOG)技术。但是该技术不仅会引入新的材料层,而且无法达到VLSI和ULSI技术所要求的整体平坦化。而且旋涂过程中的工艺不稳定性和均匀性无法满足晶圆表面的高平坦度要求。而一些技术如反向刻蚀和玻璃回流虽然可以实现亚微米级的区域平坦化。当临界尺寸达到0.35微米(亚微米工艺)后,上述方法已不能满足光刻和互连制造的要求.20世纪80年代,IBM首次将用于制造精密光学仪器的化学机械抛光(CMP)技术引入到DRAM制造中[1].随着CMP技术的发展,DRAM的制造工艺也发生了巨大的变化.