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化学机械平坦化 (CMP) 工艺已广泛用于平坦化硅基半导体器件中的各种材料，包括电介质、金属和半导体。它是实现纳米级晶圆和芯片级平坦度的最关键步骤之一。然而，在 CMP 工艺之后，晶圆表面上会观察到各种污染物，并且由于它们对器件性能和可靠性具有最直接的影响，因此它们成为许多代快速减小的特征尺寸中最关键的良率降低因素。本书章节提供了 (1) CMP 耗材引起的污染物，例如残留颗粒、表面残留物、有机残留物、焊盘碎片和金属杂质、焊盘污染、水印等，(2) CMP 后清洁过程中刷子引起的交叉污染，(3) 去除这些污染物的 CMP 后清洁。对各种类型的 CMP 污染物的形成及其特性的基本了解将极大地有利于下一代 CMP 浆料和 CMP 后清洁解决方案的开发。
与污染物相关的化学机械平坦化
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