XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System应力
银纳米粒子修饰的还原氧化石墨烯纳米材料产生膜应力并诱导免疫反应以抑制 HIV-1 感染的早期阶段
过去二十年来，氧化石墨烯 (GO) 一直处于碳纳米材料研究的前沿。由于其独特的性能，例如表面积大、抗拉强度高、存在可修饰的表面基团以及良好的生物相容性，石墨烯衍生物已用于扩展多个研究领域，包括电子学、材料科学、非线性光学和生物技术。[1–8] GO 正式衍生自石墨烯，石墨烯是单层碳原子以二维六边形晶格键合而成。[9,10] 石墨的化学氧化和剥离会产生 GO 表面基团，例如羧基、羟基、环氧基和羰基，为共价结合生物分子、药物或荧光团提供了绝佳的机会。这些基团的确切组成和数量是可变的，取决于合成途径。[2,11] 化学
功率SIC MOSFET设备的失败降解相似性提交到短路应力和加速开关条件
2.2。方法论和实验结果，在每个脉冲之间，将重复的短路测试应用于DUT。测试条件为V ds = 600 V，V缓冲区= -5V/+18V和t情况=室温。已经进行了先前的研究[1，3]，以估计平均T SCWT（短路承受时间），约5 µs。找到了这段时间，设置了脉冲宽度的70％T SCWT（3.5 µs）的百分比。因此，防止热失控，然后防止了灾难性的排水量故障模式。SC中的所有测试设备仅显示栅极源降解。图2，第一个短电路事件（＃Cycle1，蓝线）和最后一个（＃Cycle400，红线）中的波形显示。在栅极电流（I G）上观察到的异常效应（电流凸起）可能是由于PCB（印刷板电路）寄生元件引起的电磁干扰以及相关的共同模式电流。
剪切应力调节促进猪心内膜的促炎反应
。cc-by-nc-nd 4.0国际许可证（未经同行评审证明）获得的是作者/资助者，他授予Biorxiv授予Biorxiv的许可，以永久显示预印本。它是制作
UHPC和Hybrid预制中的预应力损失，...
桥梁扩展关节在关节的两侧都有抵消（www.toledoblade.com/local/2011/07/08/defective-bridge-bridge-bridge-expansion
重复短路应力下 SiC MOSFET 栅极老化规律预测
b IRT Saint-Exupéry，图卢兹，法国 摘要 本文提出了 SiC MOSFET 栅极在重复短路应力下的老化规律。基于分析研究、物理形式和预处理数据，提出了基于应力变量 T j、T 脉冲栅极损伤 % 和 E sc 的数值拟合。对老化规律的准确性和预测能力进行了评估和比较。结果提出了一种基于 T Al_Top 金属源的新老化规律。该规律的拟合精度最高。最后，直接基于短路能量 E sc 的老化规律似乎具有最佳的预测能力。 1. 简介 SiC MOSFET 提高了功率转换器效率 [1]。如今，必须保证意外极端操作中的可靠性和稳健性。然而，由于平面结构中的电流密度更高和通道更短，SiC MOSFET 的短路 (SC) 耐受时间 (T SCWT @2/3 x V DSmax ) 低于硅器件，t SCWT = 2μs，而 Si IGBT 的 t SCWT = 10μs。最近，人们投入了大量精力来研究短路测试下的专用 SiC MOSFET 故障机制 [2,3]。高温变化导致栅极区域和 Al 源金属周围产生累积热机械应力。这些通常导致 SiC MOSFET 无法超过源自硅标准的 1000 次重复短路循环阈值。在 SiC MOSFET 栅极损坏之前，对其允许的短路循环次数的预测目前尚不为人所知，但这却是运行阶段主要关注的问题。在 [4] 中，提出了威布尔分布和直接 T j Coffin-Manson 老化定律，但漏源电压偏置降低至 200V，并使用栅极沟槽器件。在 [5] 中，作者通过实验证实了栅极老化与 T j 应力的依赖关系，但未拟合 Coffin-Manson 参数，因此未提出预测能力。在本文中，进行了重复的 SC 研究，以建模并提出一组 SiC MOSFET 上的预测分析栅极老化定律
有效性和应力量表可靠性的证据
在整个Covid-19，大流行大学都必须将其班级改编成虚拟环境。 div>这对年轻大学生的心理健康产生了影响。 div>这项研究的重点是分析利马公立大学的学生在虚拟环境（EEAEV）中学术压力量表的有效性和可靠性。 div>来自心理学学院的160名学生参加了18至25年。 div>方法学设计具有工具性，以EEAEV的心理测量分析为导向。 div>使用的工具是社会人口统计学记录，EEAEV（30个项目）和应力量表（DASS-21）。 div>调查后，EEAEV的内部一致性和同时有效性脱颖而出，支持其在虚拟环境中的应用。 div>比例模型比具有三个维度的模型表现出更大的一致性。 div>尽管有一些判别能力较低的项目，EEAEV仍将其定位为衡量学术压力的精神法法学上扎实的工具。 div>结论：这些发现表明它们在虚拟环境中的评估和学术压力方法中的有用性，支持其在未来的研究中的应用和多样化的教育环境
在参考心脏应力测试的患者中，糖尿病与其他预后预测因子的比较：来自精炼镜头注册表的当代分析
方法和结果：从19,658例患者接受了SPECT-MPI，我们确定了3,122名没有已知冠状动脉疾病（CAD）（DM+/CAD-）的糖尿病患者（DM+/CAD-）和3,564个无糖尿病患者，具有已知CAD（DM-/CAD+）。倾向得分匹配用于控制DM+/CAD-和DM-/CAD+组之间特性的差异。在匹配的DM+/CAD-和DM-/CAD+组中有可比的MACE（HR：1.15，95％CI：0.97–1.37）。通过Chi-Square分析，压力类型（运动或药物），总灌注不足（TPD）和左心室功能是MACE的最有效预测指标，其次是CAD和糖尿病状态。对压力，TPD和糖尿病模式的综合考虑提供了协同分层，在药理学压力的糖尿病患者中增加了8.87倍（HR：8.87，95％CI：7.27–10.82）的增加，糖尿病患者的MACE和TPD> 10％> 10％的患者（相对于无疾病的患者，均无疾病的患者）。
亚洲水稻亚种的冷应力机制和osubc7的过表达，以增强水稻冷耐受性
到2050年，预计全球97亿人口将增加粮食需求，特别是对于主食作物。气候变化，随着温度的极大波动，严重影响了在热带和亚热带地区生长的冷敏感亚洲大米（Oryza sativa L.）。因此，了解对冷应激具有独特耐受性的两个亚洲水稻亚种的响应机制对于提高作物的冷耐受而言很重要。因此，这项研究检验了我们的假设，以解决Japonica如何比Indica更好地忍受冷暴露：（1）Japonica有选择地调整抗氧化活性以相反的活性氧（ROS），而Indica迅速提高了抗氧化活性； （2）Japonica增加了抗氧化剂，以防止长时间暴露后的损害，而Indica未能这样做； （3）japonica减慢了吸水，以维持寒冷期间最少的光合作用，而Indica的摄取机制则被损害； （4）泛素化蛋白Osubc7的过表达可提高冷敏感剂的冷耐受性。要检验这些假设，本研究研究了两种不同冷处理下两种亚种采用的酶促抗氧化活性和水吸收策略。结果揭示了管理ROS和抗氧化活性的独特策略，Japonica表现出波动的抗氧化活性，以潜在地激活防御途径，而Indica表现出快速但可能过度且昂贵的ROS清除反应。此外，这项研究探讨了冷候选基因OSUBC7在冷应激反应和生产力中的作用。此外，观察到对比的水吸收模式，与japonica中度下降相比，Indica饰品在寒冷下显着降低，表明相对结果。在冷敏感康复中的OSUBC7过表达通过提高生长速率，糖代谢和叶绿素含量来增强植物对冷应激的韧性，最终有助于更有效的恢复和更高的生存能力。此外，Osubc7显示出潜在的开花和产量参与，这表明在生产力中起着有希望的作用。总而言之，这项工作证明了亚洲水稻亚种对冷压力的复杂反应机制，强调了ROS感知和管理的重要性，吸水策略以及改善冷应激耐受性的遗传因素。这些发现提供了对这两种亚种的自适应策略的见解，并有助于制定有效的策略，以提高波动环境中的作物冷耐受性。
在不同电压应力下在空气中实现阴极定向流光模型。
¹Univ. Grenoble Alpes，CNRS，Grenoble INP*，G2Elab，Grenoble，38031，法国 *francis.boakye-mensah@g2elab.grenoble-inp.fr 摘要 - 为了在气候变化法规日益严格的情况下找到 SF 6 的可行替代品，应该对压缩空气等替代品进行适当的评估。对于中压应用，耐受电压被用作尺寸标准，这取决于流光的引发和传播，而流光是电击穿的前兆。为了优化设计，应该通过预测模型从实验和数值上彻底研究在不同应力、压力等条件下此类放电的引发和传播机制。到目前为止，大多数数值研究都是通过自制代码完成的，因为由于此类计算的复杂性和非线性，商业软件中不易获得流光模型。最近，随着商业有限元软件COMSOL™Multiphysics 等离子体模块稳健性的增强，可以开发具有合理精度的流光放电模型。
多层 CdHgTe 基红外探测器：2D/3D 微断层扫描、同步辐射和室温及 100 K 下应力分布的有限元建模
在几种温度下加工后，对基于 CdHgTe 的红外探测器的机械行为进行了评估，以确定热机械负荷对残余应力和可靠性的影响。首先，依靠 SEM、X 射线微层析成像和衍射分析，对探测器的结构进行了全面表征，以便了解所有组成层（特别是铟焊料凸块）的性质、形态和晶体取向。结果特别显示了铟凸块的意外单晶外观，具有可重复的截锥形几何形状。为了获得加工后结构在工作温度范围内（从 430 K 到 100 K）的热机械响应，随后开发了一个 3D 有限元模型。正如预期的那样，数值结果显示，从高温到低温，结构中的应力梯度发生了变化，在 100 K 时，CdHgTe 中的局部高应力约为 30 MPa，这主要是由于不同层之间的热膨胀系数不匹配。它们强调了凸块的几何形状和单晶性质以及不同材料的行为规律的重大影响。