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电力电子研究与开发计划计划
基于宽带隙 (WBG) 半导体材料（如碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN) 和金刚石）的 PE 设备可以提高下一代电网的可靠性和效率。这些材料能够实现更高的开关频率 (kHz) 和阻断电压（高达数十至数百 kV），同时提供更低的开关损耗、更好的热导率以及承受更高工作温度的能力。充分利用 WBG PE 设备存在许多障碍和挑战，包括确定用于高功率电网应用的新设备拓扑、开发持续提供坚固设备的能力以及创建具有成本效益的大批量制造工艺。特定于材料的障碍包括：
数字 PWM 系统控制器 - UCD9248 数据表 (Rev. A)
2 • 完全可配置的多输出和多相位非隔离式 DC/DC PWM 控制器 • 网络设备 • 控制多达 4 个电压轨和多达 8 个相位 • 电信设备 • 服务器 • 支持高达 2MHz 的开关频率 • 具有 250 ps 占空比分辨率的存储系统 • FPGA、DSP 和内存电源 • 高达 1mV 的闭环分辨率 • 硬件加速的 3 极点/3 零点描述具有非线性增益的补偿器 UCD9248 是一款多轨、多相改进的瞬态性能同步降压数字 PWM 控制器，专为非隔离式 DC/DC 电源应用而设计。此设备 • 支持多个软启动和软停止
储能准系统模型预测直接功率控制...
摘要：针对传统有限控制集模型预测控制（FCS-MPC）算法因开关频率变化而导致开关损耗大的缺点，提出了一种储能准Z源逆变器（ES-qZSI）的模型预测直接功率控制（MP-DPC）。首先，基于瞬时功率理论建立ES-qZSI的功率预测模型；然后通过功率代价函数优化𝛼𝛽坐标系下的平均电压矢量；最后以平均电压矢量作为调制信号，采用直通段空间矢量脉冲宽度调制（SVPWM）技术产生相应的固定频率的开关信号。仿真结果表明，ES-qZSI每个控制周期实现六次直通动作，实现了系统的恒频率控制，验证了所提控制策略的正确性。
通过基于双门MOSFET的制造质量调节器
摘要 - 传统的降压调节器为高效率和低功率耗散提供稳定的输出电压。可以通过放置双门（DG）MOSFET来改善此调节剂的各种参数。双门MOSFET提供了两倍的排水流流量，从而改善了Buck调节器结构的各种参数，并不可避免地提高了设备的性能和效率。在这项研究工作中，已通过实施的DG MOSFET雄鹿调节器对这些参数进行了分析，并意识到总损失为42.676 MW，效率为74.208％。这项研究工作设计了一个基于DG MOSFET的雄鹿调节器，其规格为12 V，输出电压3.3 V，最大输出电流40 mA，开关频率100 kHz，波纹电流为10％，纹波电压为1％。
基于双栅极MOSFET的降压调节器的制作与实现
摘要 — 传统的降压调节器提供高效率和低功耗的稳定输出电压。通过放置双栅极 (DG) MOSFET，可以改善该调节器的各种参数。双栅极 MOSFET 提供两倍的漏极电流，这改善了降压调节器结构的各种参数，并不可避免地提高了器件的性能和效率。在本研究工作中，已经通过实施的 DG MOSFET 降压调节器分析了这些参数，并实现了总损耗 42.676 mW 和效率 74.208%。本研究设计了一种基于 DG MOSFET 的降压调节器，其规格为输入电压 12 V、输出电压 3.3 V、最大输出电流 40 mA、开关频率 100 kHz、纹波电流 10% 和纹波电压 1%。
- TLE系列UPS 40–150KVA/kW 480VAC高度...
功能和优势•无变形设计在277/480VAC上，可降低足迹和重量，但可提高可靠性。•高输入功率因数和IGBT整流器的使用消除了超大输入馈线的使用，并最大程度地提高了待机生成器的兼容性。•高开关频率IGBT逆变器提供一流的瞬态响应和低输出电压失真。一个非常类似于实用程序功率的输出电压波形！•紧凑的足迹和低听觉设计，可用于大多数商业和工业建筑。•通过ABB的RPA设计对UPS模块的可靠并行，这消除了所有和所有常见的模式故障点。•可接受的交流输入电压和频率宽带，可以消除滋扰向电池厂的转移，从而最大化电池罐的寿命。
澳大利亚标准协会 (AS9700)
-4.0V 至 -6.5V（100mV/Step）驱动能力高达 120mA ±1.5% 输出电压精度 出色的线路调整率 轻载时具有 PFM 模式的开关电容 适用于轻载的高级省电模式 可编程有源放电 支持 I2C 兼容接口 集成补偿和反馈电路 1uA 关断电源电流 升压电流模式操作 逐周期电流限制 内部软启动可防止浪涌电流 欠压锁定 过温保护 1.4MHz 固定开关频率 专有的开关损耗降低技术 小解决方案尺寸 符合 RoHS 和绿色标准 节省空间的 15 球 WLCSP（1.17mm x 1.97mm）封装 -40 ℃ 至 +85 ℃ 温度范围
低功率多路复用器结构靶向有效的QCA纳米技术电路设计
摘要：量子点蜂窝自动机（QCA）技术被认为是电路实现的可能替代方法，其效率，集成密度和开关频率。多路复用器（MUX）可以被认为是设计QCA电路的合适候选者。在本文中，提出了两个不同的能量效能2×1 Mux设计的结构。这些Muxes在功耗方面的表现优于最佳现有设计，大约降低了26％和35％。此外，与可用设计相比，还可以实现类似或更好的性能因素，例如面积和潜伏期。这些MUX结构可以用作基本能量良好的构建块，以替换QCA中多数的结构。所提出的Muxes的可伸缩性非常出色，可用于能量良好的复合QCA电路设计。
新的低温T型三旋转高压高 -
图1b显示了提出的三切口T型（3S-TT）桥腿，其开关节点SW 1可以与正，中或负轨道绑定，即中间或负轨，即𝑉in，p = in，p =𝑉in，n =𝑉n = in = in n = the，在相同的双极和/或三级输出电压能力中，与fb相同。与常规的TT桥腿[13]，[14]不同，中点开关S F，1用标准的GAN晶体管实现，而不是通过两个这样的晶体管的抗序列连接或单一的双向交换机[15] - [17]。由于通常是非常低的直流电压，通常是p≤2v和/或𝑉in，n≤2v：1c，只要gan hemt的基本（功能）对称性可以支撑负耗压电压𝑉ds <0，只要栅极少量电压𝑉gd gd t - ds> - ds> ds> - （𝑉ds> ds> ds> ds> ds> ds> - 𝑉t-t- t- t- gs）。因此，可以使用负栅极源电压𝑉gs在一定程度上增加反向阻塞能力。1，2有利地，在任何给定时间，在载荷电流路径（即与负载串联）中只有一个开关，而不是在FB的情况下而不是两个开关。因此，考虑到每个位置的相同数量的晶体管，提出的3S-TT将传导损失减少至少两个。3图进一步注意到，在3S-TT中，从S HS，1到中点开关S F的换向，1涉及低侧开关的反行二极管，如缩放波形所示。即，2进一步显示了FB的关键波形和提议的3S-TT相模块（即，在以下内容中考虑了𝑁pH = 1），在下面考虑了相同的输出电压以及（总数）串联电感器和输出滤波器套管器的相同需求和应力（请注意3S-TT的设备开关频率是3S-TT的设备开关频率是FB，但）。