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摘要 — 传统的降压调节器提供高效率和低功耗的稳定输出电压。通过放置双栅极 (DG) MOSFET，可以改善该调节器的各种参数。双栅极 MOSFET 提供两倍的漏极电流，这改善了降压调节器结构的各种参数，并不可避免地提高了器件的性能和效率。在本研究工作中，已经通过实施的 DG MOSFET 降压调节器分析了这些参数，并实现了总损耗 42.676 mW 和效率 74.208%。本研究设计了一种基于 DG MOSFET 的降压调节器，其规格为输入电压 12 V、输出电压 3.3 V、最大输出电流 40 mA、开关频率 100 kHz、纹波电流 10% 和纹波电压 1%。
基于双栅极MOSFET的降压调节器的制作与实现
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