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基于宽带隙 (WBG) 半导体材料（如碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN) 和金刚石）的 PE 设备可以提高下一代电网的可靠性和效率。这些材料能够实现更高的开关频率 (kHz) 和阻断电压（高达数十至数百 kV），同时提供更低的开关损耗、更好的热导率以及承受更高工作温度的能力。充分利用 WBG PE 设备存在许多障碍和挑战，包括确定用于高功率电网应用的新设备拓扑、开发持续提供坚固设备的能力以及创建具有成本效益的大批量制造工艺。特定于材料的障碍包括：
电力电子研究与开发计划计划
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