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World File Search System异质结
可轻松合成糖化共轭聚合物-TIO2-X X-X的有机无机杂化杂交，用于有效的光催化氢进化
有机无机杂交光催化剂用于水分割的利用引起了显着的关注，因为它们能够结合两种材料的优势并产生协同效应。但是，由于对这两个组成部分之间的相互作用以及其准备过程的复杂性的相互作用有限，它们仍然远非实际应用。在此，通过将糖化的共轭聚合物与TIO 2-x介孔球相结合，以制备高效率杂种杂种光催化剂。与亲水性寡醇（乙二醇）侧链的共轭聚合物的功能不仅可以促进结合聚合物在水中的分散体，而且还可以促进与TIO 2 -X形成稳定的异质结纳米颗粒的相互作用。在35.7 mmol H-1 g-1的365 nm时，在PT共同催化剂存在下，氢的量子产率为53.3％，氢的演化速率为35.7 mmol H-1 g-1。基于飞秒瞬态吸收光谱和原位分析的高级光物理研究，XPS分析揭示了II型异质结接口处的电荷转移机制。这项工作表明了糖化聚合物在构建用于光催化氢生产的杂交异质结中的前景，并深入了解了这种异质结光催化剂的高光催化性能。
通过在离子注入掺杂的 4H-SiC 上脉冲激光沉积 MoS2 制备高度均匀的 2D/3D 异质结二极管
诸如厚度相关的带隙，这对于硅以外的超大规模数字电子学、光电子学和能源应用具有吸引力。 [1] TMD 的无悬挂键结构为实现高质量范德华异质结构与块体半导体提供了独特的可能性，从而实现利用界面电流传输的先进异质结器件。 [2–5] 特别是，单层或几层 MoS 2 与宽带隙半导体（如 III 族氮化物（GaN、AlN 和 AlGaN 合金）和 4H-SiC）的集成，目前在光电子学（例如，用于实现覆盖可见光和紫外光谱范围的高响应度双波段光电探测器）[6–11] 和电子学（例如，用于实现异质结二极管，包括带间隧道二极管）中越来越受到关注。 [12–17]
无金属TE/C3N4 P-N异质结的氛围，用于将近100％光催化转化为CO
氮化碳（CN）基于二氧化碳二氧化碳（CO 2）还原有望。但是，CO 2转换中的次优产生产量和有限的选择性构成了实现有效的CO 2转换的显着障碍。在这里，我们使用一种新型的串联热钙化合成策略介绍了超质TE NP和CN纳米片之间P-N异孔的构建。通过氨辅助钙化，在CN纳米片的表面上生长了超质Te NP，从而产生了强大的P-N异质结。合成的异质结表现出增加的特定表面积，增强的可见光吸收，密集的CO 2吸附能力和有效的电荷转移。最佳TE/CN-NH 3显示出优质的光催化CO 2降低活性和耐用性，CO的选择性接近100％，产率高达92.0μmolG 1 H 1，与纯CN相比增加了四倍。实验和理论计算揭示了TE/CN-NH 3 P-N异质结的强内置电场加速了在CN纳米片上从TE NPS到N个位点的光生电子的迁移，从而促进CO 2减少。这项研究为建造高性能P-N异质结光催化剂提供了一种有希望的材料设计方法。
Somayyeh Rakhshani 物理学和纳米技术......
我的实验论文是关于晶体硅异质结太阳能电池中选择性接触的新材料。我参与了通过透射率和反射率、电导率和活化能测量对薄膜进行材料表征，以及通过 IV 特性和量子效率测量对硅基异质结太阳能电池进行光电表征。我在硅晶片的清洗、洁净室中的湿化学处理和钝化过程中工作，然后沉积不同的薄膜。我证明了使用 NiLiO 作为空穴选择层的 a-SHJ 的可行性。
Somayyeh Rakhshani 物理学和纳米技术......
我的实验论文是关于晶体硅异质结太阳能电池中选择性接触的新材料。我参与了通过透射率和反射率、电导率和活化能测量对薄膜进行材料表征，以及通过 IV 特性和量子效率测量对硅基异质结太阳能电池进行光电表征。我在硅晶片的清洗、洁净室中的湿化学处理和钝化过程中工作，然后沉积不同的薄膜。我证明了使用 NiLiO 作为空穴选择层的 a-SHJ 的可行性。
S INTEKHAB AMIN 手机：+91-9927886502
基于源的无异质结纳米线 TFET 在低功耗应用中的设计与仿真”，IEEE 社会创新技术与管理跨学科方法国际会议 (IATMSI)，2024 年 3 月 14 日至 16 日，瓜廖尔，DOI：10.1109/IATMSI60426.2024.10502440 2. Aadil Anam；S. Intekhab Amin；Dinesh Prasad “用于生物传感应用的基于源的无异质结纳米线隧道 FET：设计与分析”，IEEE 社会创新技术与管理跨学科方法国际会议 (IATMSI)，2024 年 3 月 14 日至 16 日，瓜廖尔，DOI：10.1109/IATMSI60426.2024.10502440 2. Aadil Anam；S. Intekhab Amin；Dinesh Prasad “用于生物传感应用的基于 InSb 源的无异质结纳米线隧道 FET：设计与分析”，IEEE 社会创新技术与管理跨学科方法国际会议
Al/InAs/Al 异质结的自洽准粒子引力波和混合函数计算：能带偏移和自旋轨道耦合效应
表面和界面的电子结构对量子器件的特性起着关键作用。在这里，我们结合密度泛函理论与混合泛函以及最先进的准粒子引力波 (QSGW) 计算，研究了实际的 Al / InAs / Al 异质结的电子结构。我们发现 QSGW 计算和混合泛函计算之间具有良好的一致性，而后者本身与角分辨光电子能谱实验相比也非常出色。我们的论文证实，需要对界面质量进行良好的控制，才能获得 InAs / Al 异质结所需的特性。对自旋轨道耦合对电子态自旋分裂的影响的详细分析表明，k 空间中存在线性缩放，这与某些界面态的二维性质有关。QSGW 和混合泛函计算的良好一致性为可靠地使用 QSGW 的有效近似来研究非常大的异质结打开了大门。
用于非制冷红外成像的高速量子点/石墨烯红外探测器的开发 Judy Wu, 1,2 * Maogang Gong, 1,2 Russell C. Schmitz
胶体半导体量子点/石墨烯范德华 (vdW) 异质结利用量子点 (QDs) 增强的光物质相互作用和光谱稳定性以及石墨烯中卓越的电荷迁移率，为增益或外部量子效率高达 10 10 的非制冷红外光电探测器提供了一种有前途的替代方案。在这些 QD/石墨烯范德华异质结构中，QD/石墨烯界面在控制光电过程（包括激子解离、电荷注入和传输）方面起着关键作用。具体而言，范德华界面处的电荷陷阱会增加噪声、降低响应度和响应速度。本文重点介绍了我们在设计范德华异质结界面以实现更高效的电荷转移、从而获得更高的光响应度、D* 和响应速度方面的最新进展。这些结果表明范德华异质结界面工程在 QD/石墨烯光电探测器中的重要性，这可能为低成本、可印刷和灵活的红外探测器和成像系统提供有前途的途径。
Sana Munir博士（博士化学）Sana Munir博士（博士化学）
Arshad，J.，F.M。A. Alzahrani，S。Munir，U。Younis，M。Al-Buriahi，Z。Alrowaili和M. F. Warsi（2023）。 “将2D石墨烯氧化物片与MGFE2O4/ZnO异质结的整合，以改善有机染料和苯甲酸的光催化降解。” 陶瓷国际49（11）：18988-19002。Arshad，J.，F.M。A. Alzahrani，S。Munir，U。Younis，M。Al-Buriahi，Z。Alrowaili和M. F. Warsi（2023）。“将2D石墨烯氧化物片与MGFE2O4/ZnO异质结的整合，以改善有机染料和苯甲酸的光催化降解。”陶瓷国际49（11）：18988-19002。
Cr2O3:Mg/β-Ga2O3 p–n 的可靠运行...
基于β-氧化镓（b-Ga2O3）的半导体异质结最近已展示出在高压和高温下的改进性能，因此有望应用于电力电子设备和恶劣环境传感器。然而，这些超宽带隙（UWBG）半导体器件的长期可靠性问题仍未得到解决，并且可能受到 p – n 异质结界面化学反应的强烈影响。在这里，我们通过实验演示了操作并评估了 Cr2O3:Mg/b-Ga2O3 p – n 异质结二极管在 600C 下长期运行期间以及在 25 至 550C 之间重复 30 次循环后的可靠性。计算出的 Ga-Cr-O 材料系统的 pO2 -温度相稳定性图预测 Ga2O3 和 Cr2O3 在很宽的氧气压力和工作温度范围内在相互接触时应该保持热力学稳定。制备的 Cr 2 O 3 :Mg/b-Ga 2 O 3 p-n 异质结二极管在 6 5 V 时显示室温开/关比 > 10 4 ，击穿电压 (V Br ) 为 390 V 。漏电流随温度升高而增大，直至 600 C，这归因于 Poole-Frenkel 发射，其陷阱势垒高度为 0.19 eV。在 600 C 下进行 140 小时的热浸泡后，器件的开启电压和导通电阻分别从 1.08 V 和 5.34 m X cm 2 增加到 1.59 V 和 7.1 m X cm 2 。从飞行时间二次离子质谱分析观察到，这种增加归因于 Mg 和 MgO 在 Cr 2 O 3 /Ga 2 O 3 界面处的积累。这些发现为未来适用于恶劣环境的 UWBG 半导体器件的设计策略提供了指导，并强调了对 b -Ga 2 O 3 基器件进行进一步可靠性评估的必要性。