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针对 SWaP 优化空间电源系统的 MOSFET 封装创新
在这种设计中，基座有两层：连接陶瓷体的层是铜基合金，其 CTE 与陶瓷 CTE 相匹配；连接电路板的层是另一种铜基合金，其 CTE 值介于第一层和电路板之间。这样，CTE 从陶瓷逐渐变为 PCB，从而减少了因 CTE 失配较大而产生的应力。此外，新的 SupIR-SMD 采用了宽而平的引线应力释放和弯曲结构，以及通过安装芯片的封装底部更直接的热路径。
PQFN GAN设备可靠组装的焊料模具设计指南
转移和回光后，沉积的焊球合金量是孔径k，孔是焊接开口的总面积，T是其厚度，k是焊料粘贴系数。用于脚趾土地图案a脚趾，焊接量大约为脚趾的焊料。焊接连接组件以外的脚趾除以基于剩余的沉积焊料量确定焊料对峙高度。通过此逻辑，可以计算每个引线的焊料对峙高度（SOH），如等式5所示。
显示鉴定的抗TIM3和抗试剂新抗体
抗体发现是一个漫长而劳动密集型的过程，需要大量的实验室工作，以确保抗体证明其在人类患者中用作治疗剂所必需的适当效率，生产和安全特征。传统上，此过程始于噬菌体显示或B细胞隔离运动，在该活动中，该活动是主要的选择标准。然而，通过这种方法识别的初始引线在开发性和表位定义方面缺乏足够的表征，通常在后期进行。在这项研究中，我们提出了一条管道，该管道将早期噬菌体展示筛选与基于AI的表征相结合，从而在整个选择过程中实现了更明智的决策。使用免疫检查点Tim3和Tigit作为目标，我们识别出具有相似结合特性的五个初始铅。由于表面物理化学特性不利，这些引线中的两个被预测具有较差的开发性纤维。生成了2：T4（反对Tigit）和6E9（针对TIM3），生成了及其各自目标的复合物的结构模型。预测的表位使我们能够预期与Tim3和Tigit结合伙伴进行竞争，并推断这些抗体预期的拮抗功能。这项研究奠定了从高吞吐量分析中得出的多维AI驱动的铅候选者的基础。
数字设计师的线性稳压器和热管理 (LDO) 指南
1 线性稳压器的电位器模型 3 ......................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。..2 功率耗散表 来自 TPS763xx 数据表 (2000 年 4 月) 6 ..........................3 功率耗散表 来自 TPS768xx 数据表 (99 年 7 月) 7 .............................4 5 引线 SOT223 的热阻与 PCB 面积 7 ......。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.......5 封装的热和面积比较 8 ..............。。。。。。。。。。........................6 稳态热当量模型 9 .。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。7 100 µ A l Q PMOS 和 PNP LDO 的比较 15 ．。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。8 电压降示例 16 ......................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 功率耗散表 来自 TPS76318 数据表 (5 月 1 日) 17 ..........................10 来自 REG101 数据表 (07 月 01 日) 18 ...............。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
“薄型超小外形封装 TVSOP 应用报告”
采用 TVSOP 7 的印刷电路板制造 ......................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.....测试站点结果概述 7 ................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。来自 TI 定制制造服务的 TVSOP 结果 7 .。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。焊盘几何形状要求 7 .。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。........模板几何要求 8 ..............。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。....组件放置 8 ..................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...... div>...TVSOP 器件的放置（间距 0.40 毫米、引线位于主体两侧的器件）9 。。。。。。。。 < /div>.....。。。。。四方扁平封装 (QFP) 器件 9 .。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。........Raw-PCB 和 Stencil-Image 属性 10 .............。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。PCB 图像重合失调 10 .。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。模板处理 11 ．。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。组件放置过程 11 ．。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。...红外回流特性 11 ..< div> 。。。。。。。。。。。。。。。 < /div>.....。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
双数字隔离器数据表 (Rev. D) - 德州仪器
安全限制约束是绝对最大额定值表中指定的绝对最大结温。安装在应用硬件中的设备的功耗和结到空气热阻决定了结温。热特性表中假定的结到空气热阻是安装在 JESD51-3、引线表面贴装封装低有效热导率测试板中的设备的结到空气热阻，是保守的。功率是建议的最大输入电压乘以电流。结温是环境温度加上功率乘以结到空气热阻。
tlc548c、tlc548i、tlc549c、tlc549i 8 位模拟数字转换器
电源电压，V CC （见注释 1） 6.5 V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .输出电压范围 –0.3 V 至 V CC + 0.3 V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 峰值输入电流范围（任何输入） ± 10 mA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .峰值总输入电流范围（所有输入）± 30 mA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 工作自然通风温度范围，TA（见注释 2）：TLC548C、TLC549C 0 ° C 至 70 ° C . . . . . . . . . . . . . . TLC548I、TLC549I –40 ° C 至 85 ° C . . . . . . . . . . . . . 存储温度范围，T stg –65 ° C 至 150 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 距外壳 1,6 毫米 (1/16 英寸) 处的引线温度 10 秒内 260 ° C . . . . . . . . . . . . . . . . .
基于 MEMS 的微离子阱阵列用于量子模拟缩放
桑迪亚国家实验室的线性离子阱芯片采用金属 MEMS 工艺进行微加工。平面金属阱电极（W 表面涂有 Au）和穿过 Si 基板的孔定义了捕获区域，并允许激光以 3D 光学方式访问在孔上纵向延伸的 RF 引线之间捕获的离子。孔边缘的控制电极定义了七个捕获段。空气桥接金属引线减少了电容和 RF 耗散到基板。捕获离子图像来自上面显示的 ITC。
引线键合技术大辩论：球形键合与楔形键合
图 2：典型球/月牙互连的简化表示 自动引线键合机于 20 世纪 80 年代初推出。当时，大多数互连都是使用铝线制作的。随着对高可靠性需求的增加，金线变得更加普遍。随着封装密度的增加，引线互连键合间距减小。细间距的初始解决方案是楔形键合，因为楔形工具设计允许将引线紧密键合（并排）。 细间距互连 在更小的空间内封装更多元件的需求导致 ASIC 设计变得更加密集。人们曾认为，互连细间距封装的最佳方法是通过楔形键合。在 20 世纪 90 年代后期，典型的键合间距从约 110µm 减小到约 90µm。在此期间，平均楔形工具尖端大约是球键合毛细管工具尖端宽度的三分之一。毛细管材料缺乏支持细间距工艺的稳健性。从那时起，改进的材料使细间距设计成为可能，其中尖端尺寸小于 70µm 的情况并不罕见。更小的特征、更高的密度和更多的 I/O 需要细间距。在当今的细间距环境中，任何使用楔形键合机键合的设备都可以使用球焊设备更快地键合。图 3 和图 4 描绘了使用 1.0 mil 导线通过球焊互连的 55µm 细间距架构。