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石墨烯中的室温量子厅效应
当电子在二维材料中汇总时，可以观察到量子力学增强的传输现象，例如量子厅效应。石墨烯，由孤立的单个石墨层组成，是这种二维系统的理想实现。然而，预期其行为与常规半导体界面中量子井的量子井的情况有明显不同。这种差异来自石墨烯的独特电子特性，该特性在电荷中立性中性1,2附近表现出电子 - 孔变性和消失的载流子质量。的确，从理论上预测了一个独特的半量量子霍尔效应，并且存在电子波功能的非零浆果相（几何量子相），这也是石墨烯带结构的Excep topiation拓扑的结果。石墨结构的微机械提取和制造技术的最新进展8-12现在可以通过实验对这种外来的二维电子系统进行实验探测。在这里，我们报告了在高素质单层石墨烯中对磁通轨道的实验研究。通过使用电场效应来调节化学电位，我们观察到了石墨烯中电子和孔载体的异常半整数量子霍尔效应。通过磁振荡证实了贝瑞阶段与这些实验的相关性。除了它们纯粹的科学兴趣外，这些不寻常的量子传输现象还可能导致基于碳的电子和磁电机设备的新应用。1a，左插图）。石墨烯的低能带结构可以近似为位于两个不相等的布里渊区角（图在这些锥体中，二维（2D）的能量分解关系是线性的，可以将电子动力学视为“相对论”，其中石墨烯基属性的Fermi速度V f表示光速。尤其是在锥形的顶点（称为狄拉克点），电子和孔（颗粒和抗颗粒）是退化的。使用类似于2 saul的1维电动力学2,3，在理论上研究了Landau水平的能量，
基于黄素酶单胺氧化酶（MAO）的微悬臂作为生物探针
伊朗德黑兰马列卡什塔尔理工大学生物科学与生物技术系 *通讯作者：电子邮件地址：molaeirad@gmail.com (A. Molaei rad) 摘要 微悬臂 (MCL) 是一种经济高效、灵敏度高的生物检测装置。特定分析物在微悬臂表面的吸附会通过改变表面特性导致 MCL 弯曲。这些新型生物探针的设计方式是，微悬臂表面的一侧涂有可吸收特定分子的选择性受体。表面吸收目标后，微悬臂在纳牛顿力的作用下偏转，导致微悬臂弯曲。在以下工作中，我们提出了一种改进的微悬臂，通过将单胺氧化酶 (MAO) 固定为含黄素腺苷二核苷酸 (FAD) 的酶。该酶催化胺基的氧化脱氨，因此具有胺基官能团的化合物与酶之间的相互作用基于用单胺氧化酶修饰的微悬臂进行生物检测。在本研究中，MAO 通过交联剂固定在微悬臂表面的金表面单层上。随后，以犬尿胺溶液为底物。比较结果表明，该酶在固定状态下被激活以氧化胺基，而在甲基苯丙胺作为酶抑制剂存在下被抑制。由于所有过程都在室温下进行，因此基于修饰的微悬臂的生物探针设计对于生物检测具有重要意义。关键词：单胺氧化酶；微悬臂；固定化；生物检测；甲基苯丙胺。引言生物传感器是监测分子与固体表面上固定的生物受体之间分子相互作用的强大装置 [1]。随着微机电系统 (MEMS) 的发展，人们一直对设计低成本分析方法很感兴趣 [2]。其中，微悬臂是最简单的 MEMS，广泛应用于生物检测 [3]。基于微机械悬臂 (MC) 的传感器已被研究用于检测化学和生物物种 [4,5]。用于化学或生物传感的 MC 通常通过在悬臂的一侧涂覆对目标配体具有高亲和力的响应相来修改。由于配体在敏感表面上的结合而引起的表面应力变化被解析以进行检测。悬臂换能器在生物传感器、生物微机电系统 (Bio-MEMS)、蛋白质组学和基因组学中的潜在用途包括
用于大面积光电器件的免费 In2Se3 薄片
B为VI族元素，例如Bi 2 Se 3 、Bi 2 Te 3 、Sb 2 Te 3 和In 2 Se 3 ，由于其独特的电子性质而受到越来越多的关注。 [2] 例如，半导体In 2 Se 3 表现出厚度相关的带隙（从块状晶体的1.3 eV到单层的2.8 eV）。 [3] 与无间隙石墨烯和过渡金属二硫属化合物相比，In 2 Se 3 的电子性质显示出明显的优势，后两者仅在单层中表现出相对较大的带隙（1.5–2.5 eV）。 [4] 当用作光学材料时，In 2 Se 3 表现出高吸收系数、宽范围响应度（从紫外线（325 nm）到短波长红外（1800 nm））和高灵敏度。 [5] 与其他对空气敏感的直接带隙二维材料（如黑磷（BP）[1c]）不同，完整的 In 2 Se 3 薄片在空气中非常稳定。最近，基于单个 In 2 Se 3 纳米片的光电探测器具有高光敏性（10 5 AW − 1 ）和快速、可逆和稳定的光响应特性。[5] In 2 Se 3 的优异性能优于许多其他二维材料（如石墨烯、BP 和 MoS 2 ），为大面积光电探测器提供了重要的基础。[6] 尽管如此，具有大晶畴的无缺陷 In 2 Se 3 薄片的可扩展生产仍然是其实际应用的障碍。微机械剥离是生产高质量薄 In 2 Se 3 纳米片的最著名方法。[5,7] 然而，它的剥离产率极低，仅适用于基础研究。 [8] 克服这一限制的潜在方案包括化学气相沉积、[2c] 液相剥离 [9] 和湿化学合成。[10] 然而，这些方法制备的 In 2 Se 3 薄片通常具有大量缺陷和较差的光电性能。[9,11] 例如，通过气相沉积获得的 In 2 Se 3 纳米片的光响应度（3.95 × 10 2 AW − 1）明显低于透明胶带剥离薄片（10 5 AW − 1）。[8] 从基本角度来看，In 2 Se 3 是一种由弱范德华力连接的层状材料，层间距离为 0.98 nm，比许多其他层状化合物（0.3–0.7 nm；图 1 a、b；图 S1，支持信息）大得多。因此，插入客体分子或离子，特别是在溶液中电流的驱动下，可以成为将二维晶体分层成单个薄片的合理策略。[12]
范德华固体的机器人四维像素组装
通过组装层状二维材料 1、2，可以设计出具有原子级精确垂直组成的范德华 (vdW) 固体。然而，由微机械剥离的薄片 3、4 手工组装结构与可扩展和快速制造不兼容。进一步设计 vdW 固体需要精确设计和控制所有三个空间维度上的组成以及层间旋转。本文，我们报告了一种机器人四维像素组装方法，用于以前所未有的速度、精心设计、大面积和角度控制制造 vdW 固体。我们使用机器人组装由原子级薄的二维组件制成的预图案化“像素”。晶圆级二维材料薄膜的生长和图案化采用清洁、非接触式工艺，并使用由高真空机器人驱动的工程粘合剂印章进行组装。我们制备了多达 80 个独立层的范德华固体，由 100 × 100 μ m 2 的区域组成，这些区域具有预先设计的图案形状、横向/垂直编程的成分和可控的层间角度。这使得对范德华固体进行有效的光学光谱分析成为可能，揭示了 MoS 2 中新的激子和吸光度层依赖性。此外，我们制备了扭曲的 N 层组件，其中我们观察到了扭曲的四层 WS 2 在≥ 4° 的大层间扭曲角下的原子重构。我们的方法能够快速制造原子级分辨的量子材料，这有助于充分发挥范德华异质结构作为新物理 2、5、6 和先进电子技术 7、8 平台的潜力。对硅等无机晶体材料的结构和化学成分进行精确的三维 (3D) 空间控制（x、y、z）是集成电路的基础。通过堆叠二维材料 (2DM) 形成的范德华 (vdW) 固体不受晶格可公度性或层间键合的限制，因此与传统的顺序沉积晶体 1、2 相比具有两个优势。首先，相邻层之间的晶格和化学灵活性意味着可以生产具有层可调电学 4、5、9、磁性 9、10 和光电 11-14 特性的任意垂直晶体组合物序列。其次，这种层间灵活性引入了一个额外的维度 θ，即层间晶格旋转或扭曲，作为控制 vdW 固体性质的新自由度。这已在
低功率传感器的射频能量收集
摘要：无线传感器网络和物联网受益于近年来功耗方面的进步，以实现智能控制实体。电池技术的类似进步使这些系统变得自主。然而，这种方法不足以满足现代应用的需求。为这些传感器供电的另一种解决方案是使用其环境中可用的能量，例如热能、机械振动、光能或无线电频率。然而，传感器通常放置在功率密度较低的环境中。本研究调查了与其他来源相比的无线电频率能量收集。在展示了在宽频带上收集能量的潜力后，进行了一项统计研究，以确定城市环境和农村地区的射频功率密度。多频带射频收集器系统旨在收集多个频带中的能量，以显示何时有多个射频源可用。当系统设计为在宽频带上运行时，可以增加收集的能量量。在本研究中，使用高级设计软件 (ADS) 制作了为无线传感器供电的多频带射频能量收集器。根据设计结果，所提出的能源收集方案在 GSM900 和 GSM1800 频段上效果更好。 关键词：能源收集器；无线网络；无线电源 1 引言 如今，监控我们所处环境的需求越来越重要，这使我们能够管理自己的行为；一个典型的例子就是天气预报。 现代传感器是小型、独立的设备，可对其周围环境进行简单的测量。 它们用于观察许多物理现象，如温度、压力、亮度等，这对于许多工业和科学应用至关重要。 传感器的作用是将物理量转换为可利用的电量，例如计算机可用的数字信号。 接口可以通过有线链路或无线方式进行，多年来一直如此。 同时，微电子和微机械领域的最新进展使得能够以合理的成本生产体积为几立方毫米的组件，同时功耗要求不断降低。微型传感器可以制成一个完整的嵌入式系统，部署多个微型传感器以自主方式收集环境数据并将其传输到一个或多个收集点，从而形成无线传感器网络 (WSN)。为这些传感器供电的传统方式是使用电池，但电池的能量有限，耗尽时需要更换。更换电池的维护成本可能很高，尤其是对于位于难以接近位置的传感器。在这种情况下，另一种自供电方式将是有利的，而能量收集则提供了这一潜力。1.1 能量收集 用于为传感器供电的能量收集系统由五个不同的模块组成，如图 1 所示。系统的第一级是能量传感器。它提供物理量作为输出，可用作能量转换级的输入。传感器的工作原理基于物理或化学效应。主要有六类：热、机械、光学、磁、电和化学 [1]。
石墨烯生产或电气计量 - NIST 的 TSAPPS
自 1990 年以来，电阻尼特的表示一直基于二维电子态中发生的 QHE 的整数量化电阻平台。这些量化的电阻值为 RHU) = R'(.,JO/i，其中 R H 是量化的霍尔平台电阻 RK。!lQ 是 1990 年推荐的冯·克利青常数值，i 是整数量子数 [1]。在 1980 年发现 QHE 后的最初几年里，Si-MOSFET 和半导体异质结构（最常见的是 GaAs/Al,Ga(1)As）被用于计量表征和比较 [2-4]，最近，几家国家计量研究所已经开发和改进了生长半导体 QHE 器件的配方，适用于在相对较高的电流和弱磁场下进行精确的电阻计量 [5, 6]，因此该标准更容易获得并且在计量上更有用。11 不是一个简单的过程来生产在量子水平上经过良好量化的器件在源漏（-D）电流为 20 μJ 至 100 μJ 且温度为 T2:14 μJ 时，i = 2 平台在相对较低的磁通量（8 < 9 T）下工作。这要求 GaAs/AlxGa(I-x)As 异质结构中的材料成分难以复制，从而通过杂质故意降低电子迁移率以增加平台宽度，同时保持相对较高的载流子浓度 ['1]。此外，金属触点必须扩散到异质结构的器件层中，并且通常很难使用现代光刻技术获得多个高导电触点。自从使用微机械解理技术 [7] 发现石墨烯以来，已经开发出几种其他相对简单的方法来生产表现出 QHE 平台的碳基 2DEG（二维电子气）器件。单层石墨烯中独特的电子态产生了一些对基础物理来说最重要的特性，其中单粒子能带结构使电子和π都具有相对论狄拉克费米子的特性，例如，最低的Landa能级之间的间隔非常大。对于一些单层石墨烯器件，这有助于扩大i = 2 QHE平台的o（钉扎）[8, 9]，并可能导致器件在比传统半导体QHE器件高得多的温度、更高的电流或更低的场下实现良好的量化，以进行精密计量。此外，在暴露表面上直接制造电极允许在各种配置中进行电子传输测量。与异质结构器件（其中2DEG埋在半导体内部）不同，石墨烯器件中的导电通道可以位于衬底的表面上，因此可以使用表面科学技术对其进行微观扫描和表征。通过使用原子力显微镜（AFM）、低能电子显微镜（LEEM）[10]、扫描隧道显微镜/光谱（STM/STS）[11J和拉曼光谱，石墨烯器件可以收集石墨烯中异常QHE状态下详细形态和微观电子结构之间关系的数据。
石墨烯生产或电气计量 - NIST 的 TSAPPS
自 1990 年以来，电阻尼特的表示一直基于二维电子态中发生的 QHE 的整数量化电阻平台。这些量化的电阻值为 RHU) = R'(.,JO/i，其中 R H 是量化的霍尔平台电阻 RK。!lQ 是 1990 年推荐的冯·克利青常数值，i 是整数量子数 [1]。在 1980 年发现 QHE 后的最初几年里，Si-MOSFET 和半导体异质结构（最常见的是 GaAs/Al,Ga(1)As）被用于计量表征和比较 [2-4]，最近，几家国家计量研究所已经开发和改进了生长半导体 QHE 器件的配方，适用于在相对较高的电流和弱磁场下进行精确的电阻计量 [5, 6]，因此该标准更容易获得并且在计量上更有用。11 不是一个简单的过程来生产在量子水平上经过良好量化的器件在源漏（-D）电流为 20 μJ 至 100 μJ 且温度为 T2:14 μJ 时，i = 2 平台在相对较低的磁通量（8 < 9 T）下工作。这要求 GaAs/AlxGa(I-x)As 异质结构中的材料成分难以复制，从而通过杂质故意降低电子迁移率以增加平台宽度，同时保持相对较高的载流子浓度 ['1]。此外，金属触点必须扩散到异质结构的器件层中，并且通常很难使用现代光刻技术获得多个高导电触点。自从使用微机械解理技术 [7] 发现石墨烯以来，已经开发出几种其他相对简单的方法来生产表现出 QHE 平台的碳基 2DEG（二维电子气）器件。单层石墨烯中独特的电子态产生了一些对基础物理来说最重要的特性，其中单粒子能带结构使电子和π都具有相对论狄拉克费米子的特性，例如，最低的Landa能级之间的间隔非常大。对于一些单层石墨烯器件，这有助于扩大i = 2 QHE平台的o（钉扎）[8, 9]，并可能导致器件在比传统半导体QHE器件高得多的温度、更高的电流或更低的场下实现良好的量化，以进行精密计量。此外，在暴露表面上直接制造电极允许在各种配置中进行电子传输测量。与异质结构器件（其中2DEG埋在半导体内部）不同，石墨烯器件中的导电通道可以位于衬底的表面上，因此可以使用表面科学技术对其进行微观扫描和表征。通过使用原子力显微镜（AFM）、低能电子显微镜（LEEM）[10]、扫描隧道显微镜/光谱（STM/STS）[11J和拉曼光谱，石墨烯器件可以收集石墨烯中异常QHE状态下详细形态和微观电子结构之间关系的数据。
1 新闻稿 完成对 ... 100% 股权的收购
完成对德国公司 FMB Feinwerk- und Meßtechnik GmbH 100% 股权的收购 SAES Getters SpA . （SAES）今天宣布完成对 FMB Feinwerk- und Meßtechnik GmbH（FMB Berlin）100% 股权的收购，该公司至今仍由大股东 Uwe Schneck、小股东 Ingmar Lehmann 和 Jens Rekow 以及 Mardi Beteiligungs GmbH & Co. 公司全资拥有。之前由 FMB Berlin 拥有的英国子公司 FMB Oxford Limited（FMB Oxford）不在收购范围内，因为其业务对 SAES 来说不具有战略意义。FMB Berlin 总部位于柏林，自 1990 年以来一直活跃于同步加速器和粒子加速器组件和科学仪器领域，是综合性的国际参与者。此次收购旨在巩固 SAES 集团在先进科研市场的国际地位和领导地位，扩大欧洲和全球粒子加速器和同步加速器中使用的真空系统的供应。收购价格为 800 万欧元，由 SAES 使用自有资源以现金支付。如果交割日的债务金额超过预定义的阈值，则该价格可能会进行调整。FMB 的现金金额在交割日接近于零。FMB Berlin 在 2023 年实现的收入约为 1340 万欧元，EBITDA 利润率为 13%。截至 2023 年 12 月 31 日，该公司的净资产为 480 万欧元。该公司目前拥有约 60 名员工。SAES 集团 SAES Getters SpA 公司是吸气剂技术开发的先驱，连同其子公司在需要高真空条件的各种科学和工业应用领域处于世界领先地位。在 80 多年的经营中，集团的吸气剂解决方案一直支持信息显示和灯具行业、复杂的高真空系统和真空隔热领域的技术创新，支持从大型真空功率管到微型设备（如硅基微电子和微机械系统 (MEMS)）等技术的创新。自 2004 年以来，SAES 集团利用其在特殊冶金和材料科学方面的核心竞争力，将业务扩展到先进材料市场，特别是形状记忆合金市场，这种材料具有超弹性，并且在热处理时具有预定义形状的特性。这些特殊合金目前主要应用于生物医学领域，也非常适合实现工业领域（家庭自动化、白色家电行业、消费电子产品、医疗保健、汽车和奢侈品行业）的执行器设备。最近，SAES 通过开发将吸气材料集成到聚合物基质中的技术平台扩大了业务范围。这些产品最初是为 OLED 显示器开发的，目前用于新的应用领域，其中最重要的是光电子、先进光子学、电信（5G）和移动电话。SAES 还为消费电子市场提供功能性声学复合材料，并且正在验证从两个主要技术平台开发的新型功能材料：特殊沸石和微胶囊。这些新开发成果可以应用于从化妆品到油漆和涂料领域以及天然聚合物的各个领域。在最新的应用中，先进包装具有重要的战略意义，SAES 正在为食品可持续包装提供一系列新产品，并与可回收和可堆肥的解决方案展开竞争。
经批准的“系内”技术选修课
BME 5267 生物流体力学 MAP 2302, EML 3701, EML 4703 √ FA 3(3,0) EAS 5123 中级空气动力学 EAS 4143, (EML 5060) √ 偶尔 3(3,0) EAS 5211 气动弹性学 EAS 3101/EML 3701, EAS 4210/EML 4220 √ 偶尔 3(3,0) EAS 5315 火箭推进 EAS 4134/ EML 4703 √ 偶尔 3(3,0) EEE 5332C 薄膜技术 EEE 3350/ 同等学历 √ 偶尔 3(2,1) EEE 5352C 半导体材料与器件特性 EEE 3350/ CI √奇数 FA 3(2,3) EEE 5356C 固态器件制造 EEE 3350 √ FA/ SP 4(3,3) EEE 5378 CMOS 模拟和数字电路设计 EEE 4309C √ FA 3(3,0) EEE 5513 数字信号处理应用 EEL 4750 √ SP 3(3,0) EEE 5542 随机过程 I EEL 3552C, STA 3032 √ FA/ SP 3(3,0) EEE 5557 雷达系统简介 EEL 3552C √ SP 3(3,0) EEL 5173 线性系统理论 EEL 3657 √ SP 3(3,0) EEL 5245C 电力电子学 EEE 4309C √ FA 3(3,0) EEL 5437C 微波工程EEL 3470/ CI √ FA 4(3,3) EEL 5462C 天线分析与设计 EEL 3470/ 等效 √ 奇数 FA 3(3,1) EEL 5630 数字控制系统 EEL 3657 √ FA 3(3,0) EEL 5669 自主机器人系统 EEL 5173/ CI √ 奇数 FA 3(3,0) EEL 5722C 现场可编程门阵列 (FPGA) 设计 EEE 3342C √ 偶数 FA 3(3,3) EIN 5108 技术组织环境 研究生身份/ CI √ FA 3(3,0) EIN 5117 管理信息系统 I CI √ SP 3(3,0) EIN 5140 项目工程 研究生身份/ CI √ FA/SP 3(3,0) EIN 5248C人体工程学 CI √ FA 3(2,2) EIN 5251 可用性工程 STA 3032/ 同等 √ SP 3(3,0) EIN 5346 工程物流 ESI 5306/ ESI 4312 √ 偶尔 3(3,0) EMA 5060 高分子科学与工程 EGN 3365 √ 偶尔 3(3,0) EMA 5104 中间结构与材料属性 EGN 3365 √ FA 3(3,0) EMA 5106 冶金热力学 EGN 3365 √ 偶尔 3(3,0) EMA 5140 陶瓷材料概论 EGN 3365 √ 偶尔 3(3,0) EMA 5317 材料动力学 CI √ 偶尔3(3,0) 指数移动平均线5584 生物材料 EGN 3365 √ 偶数 SP 3(3,0) EMA 5610 激光材料加工 EGN 3343/ EMA 5106 / CI √ 偶尔 3(3,0) EML 5060 MAE 中的数学方法 MAP 2302 √ FA 3(3,0) EML 5152 中级传热 EML 4142, EML 5060 √ 偶尔 3(3,0) EML5228C 模态分析 EML 3303C, EML 5060 √ 偶尔 3(3,0) EML 5237 中级材料力学 EML 3500/ EAS 4200, EML 5060 √ FA 3(3,0) EML 5271 中级动力学 EGN 3321/ EML 3217 √ 偶尔 3(3,0) EML 5290 MEMS 与微机械加工简介 研究生身份/CI √ 零星 FA 3(3,0) EML 5311 系统控制 EML 4225C，(EML 5060) √ 偶尔 3(3,0) EML 5402 涡轮机械 EML3101，EML 4703/EAS 4134 √ 偶尔 3(3,0) EML 5456 可持续电力涡轮机 EML 5237 √ FA 3(3,0) EML 5546 复合材料工程设计 EML 5237 √ 偶尔 3(3,0) EML 5713 中级流体力学 EML 4703，(EML 5060) √ 偶尔 3(3,0)需缴纳研究生学费和费用（GPA ≥ 3。0 必修）本科生需要 Override 才能注册这些课程。未在此列表中列出的课程必须获得系副主任的批准。于 2022 年 8 月 22 日更新
机电一体化工程
研究出版物（2020-22） 1. Karthik Rao MC、Rashmi L Malghan、Arun Kumar Shettigar、Shrikantha S Rao 和 Mervin A Herbert（2022）反向传播算法在基于神经网络的 AISI 316 面铣削低温加工技术识别响应中的应用，澳大利亚机械工程杂志，20:3，698-705，DOI：10.1080/14484846.2020.1740022 2. B. Mukherjee、KBM Swamy 和 S. Sen，“对静电梳状驱动 MEMS 执行器中减少不良梁弯曲的新分析”，IEEE 仪器和测量学报，第 69 卷，第 1 期。 2，第 488-500 页，2020 年 2 月 3. M Manvi、KBM Swamy，“基于微电子材料、微加工工艺、微机械结构配置的 MEMS 刚度评估：综述”，微电子工程，第 263 卷，2022 年，111854 4. Yashas M；Do Rosario Carvalho AD；Navin Karanth P，“Desai V. 气动肌肉执行器性能分析测试台的设计和制造”，机械工程讲义，DOI：10.1007/978-981-15-4739-3_3，第 23 卷，第 33-45 页，2021 年。 5. Mohith S；Upadhya AR；Navin KP；Kulkarni SM；和 Rao M，“精密运动压电执行器及其应用的最新趋势：综述”，智能材料与结构，DOI：10.1088/1361-665X/abc6b9，第 30 卷，第 13002 号，2021 年。6. S. Kumawat、S. Bhaktha 和 KV Gangadharan，“通过双齿开关磁阻电机提高扭矩性能：一种新方法”，2021 年。doi：10.1109/IPRECON52453.2021.9640842。7. UR Poojary 和 KV Gangadharan，“磁流变弹性体的频率、磁场和应变相关响应的材料建模”，材料科学杂志，第 56 卷，第 13002 号。 28，第 15752 15766 页，2021 年，doi：10.1007/s10853-021-06307-0。8. S. Mohith、N. Karanth P、SM Kulkarni、V. Desai 和 SS Patil，“用于生物医学应用的具有中心激励和环形激励的压电驱动无阀微泵性能比较”，智能材料与结构，第 30 卷，第 10 期，2021 年，doi：10.1088/1361-665X/ac1dbe。 9. KN Ravikumar、CK Madhusudana、H. Kumar 和 KV Gangadharan，“使用离散小波变换特征和 K 星算法对内燃机 (IC) 变速箱中的齿轮故障进行分类”，《工程科学与技术》，国际期刊，第 30 卷，2022 年，doi：10.1016/j.jestch.2021.08.005。10. M. S、NK P 和 SM Kulkarni，“环形激励凸起隔膜的分析以提高机械微泵的性能”，《传感器和执行器 A：物理》，第 335 卷，2022 年，doi：10.1016/j.sna.2022.113381。 11. Subramanya R Prabhu、Arun Shettigar、Mervin A Herbert 和 Shrikantha S Rao (2022) 机器变量对 AA6061/TiO2 摩擦搅拌焊缝微观结构和力学性能的影响，材料与加工技术进展，DOI：10.1080/2374068X.2022.2094072。12. H. Nejkar 和 KBM Swamy，“天然增强复合材料弹性特性的理论估计——比较分析”，IOP Conf. Ser. Mater. Sci. Eng.，第 1248 卷，第 012083 页，2022 年，doi：10.1088/1757-899X/1248/1/012083。13. Allien V；Kumar H；和 Desai V，“使用多属性决策进行自由振动分析和高强度和刚度复合材料的选择”，国际材料研究杂志，DOI：10.3139/146.111879，第 112 卷，第 189-197 页，2021 年。14. Rao M；Malghan RL；Shettigar AK；以及 Herbert MA，“Rao SS，低温加工技术相对于 SS316 无冷却液和有冷却液加工的优势”，《工程研究快报》，DOI：10.1088/2631-8695/abecd6，第 3 卷，第 15040 号，2021 年。