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SU-8 2000 永久负性环氧光刻胶
SU-8 2000 是一种高对比度、环氧基光刻胶，专为微加工和其他微电子应用而设计，这些应用需要厚实、化学和热稳定的图像。SU-8 2000 是 SU-8 的改良配方，多年来已被 MEMS 生产商广泛使用。使用干燥速度更快、极性更强的溶剂系统可提高涂层质量并提高工艺产量。SU-8 2000 有 12 种标准粘度。单次涂覆工艺即可实现 0.5 至 >200 微米的薄膜厚度。薄膜的暴露部分和随后的热交联部分不溶于液体显影剂。SU-8 2000 具有出色的成像特性，能够产生非常高的纵横比结构。SU-8 2000 在 360 nm 以上具有非常高的光透射率，这使其非常适合在非常厚的薄膜中对近垂直侧壁进行成像。 SU-8 2000 最适合于在设备上成像、固化并保留的永久性应用。
e-Flower：用于脑球体电生理学的水凝胶驱动 3D MEA
传统微电极阵列 (MEA) 仅限于测量二维电生理活动，无法捕捉三维 (3D) 组织（如神经类器官和球体）的复杂性。在这里，我们介绍了一种花形 MEA（e-Flower），它只需添加细胞培养基即可驱动，包裹亚毫米级的脑球体。受软微夹钳的启发，它的驱动机制利用了嫁接到承载电互连的聚酰亚胺基板上的聚丙烯酸水凝胶的溶胀特性。e-Flower 与标准电生理记录系统兼容，不需要额外的设备或溶剂，可与预先形成的 3D 组织一起使用。我们设计了一种 e-Flower，可在几分钟内实现低至 300 微米的曲率，该值可通过选择溶胀介质和水凝胶交联剂浓度进行调整。此外，我们展示了 e-Flower 检测整个球体表面自发神经活动的能力，证明了其全面记录神经信号的潜力。
25微米表单光子敏感动力电感检测器
我们报告的测量值表征了动力学电感检测器阵列的性能，该阵列设计为25微米的波长和非常低的光学背景水平，适用于诸如低温冷却的空间望远镜上的远红外仪器。在低光通量下的脉冲计数模式下，检测器可以解析单个25微米光子。在集成模式下，检测器在70 ZW至200 fw的吸收功率中保持光子噪声有限，在6个以上的数量级上，限制了噪声等效功率为4。6×10 - 20 W Hz -1在1 Hz时。 此外，检测器在光载荷下至1 MHz的平坦功率光谱高度稳定。 确定检测器的操作参数，包括在铝吸收元件和准粒子自我重组常数中转化为准粒子的转化效率。6×10 - 20 W Hz -1在1 Hz时。此外，检测器在光载荷下至1 MHz的平坦功率光谱高度稳定。操作参数，包括在铝吸收元件和准粒子自我重组常数中转化为准粒子的转化效率。
无标记的非电源癌细胞...
基于CMOS的微电极阵列（CMOS MEAS）包含数千个密集的传感器位点，并且通常用于生物技术应用中，以记录高空间（几乎没有……几十µm）和高时间分辨率的神经元活性和高度分辨率（高达20 kHz带翼）。CMOS MEAs能够以几毫秒数的时间精度和数十微米的空间精度刺激活性[1-3]。未开发的CMOS MEA的应用是它们通过记录和分析由电阻粘附裂隙引起的电压噪声来检测粘附细胞的能力[4-6]。这可能归因于该方法，该方法需要考虑传感器位点的规模，粘附单元的大小，连接电容和相应的采样频率。在这里，我们采用两种不同类型的CMOS MEA和相应的记录系统来评估其可靠的无标签检测能力检测粘附细胞培养的能力（癌细胞系HT-29）。细胞粘附电压噪声通过光谱功率密度（S V）分析。
SU-8 2000 永久负性环氧光刻胶
SU-8 2000 是一种高对比度、环氧基光刻胶，专为微加工和其他微电子应用而设计，这些应用需要厚实、化学和热稳定的图像。SU-8 2000 是 SU-8 的改进配方，多年来已被 MEMS 生产商广泛使用。使用干燥速度更快、极性更强的溶剂系统可提高涂层质量并提高工艺产量。SU-8 2000 有 12 种标准粘度。单次涂覆工艺即可实现 0.5 至 >200 微米的薄膜厚度。薄膜的暴露部分和随后的热交联部分不溶于液体显影剂。SU-8 2000 具有出色的成像特性，能够产生非常高的纵横比结构。SU-8 2000 在 360 nm 以上具有非常高的光透射率，这使其非常适合在非常厚的薄膜中对近垂直侧壁进行成像。 SU-8 2000 最适合于在设备上成像、固化并保留的永久应用。
SU-8 2000 永久负性环氧光刻胶
SU-8 2000 是一种高对比度、环氧基光刻胶，专为微加工和其他微电子应用而设计，这些应用需要厚实、化学和热稳定的图像。SU-8 2000 是 SU-8 的改进配方，多年来已被 MEMS 生产商广泛使用。使用干燥速度更快、极性更强的溶剂系统可提高涂层质量并提高工艺产量。SU-8 2000 有 12 种标准粘度。单次涂覆工艺即可实现 0.5 至 >200 微米的薄膜厚度。薄膜的暴露部分和随后的热交联部分不溶于液体显影剂。SU-8 2000 具有出色的成像特性，能够产生非常高的纵横比结构。SU-8 2000 在 360 nm 以上具有非常高的光透射率，这使其非常适合在非常厚的薄膜中对近垂直侧壁进行成像。 SU-8 2000 最适合于在设备上成像、固化并保留的永久应用。
强磁场中激光加速电子的能量增益 A. Arefiev, 1, 2 Z. Gong, 3, 4 和 APL Robinson 5
本文讨论了在具有静态均匀磁场 B ∗ 的等离子体中用激光脉冲加速电子。激光脉冲垂直于磁场线传播，其极化选择为 (E 激光 · B ∗ ) = 0。本文重点研究具有可观初始横向动量的电子，这些电子由于强烈的失相，在没有磁场的情况下无法从激光中获得大量能量。结果表明，磁场可以通过旋转这样的电子来引起能量增加，从而使其动量变为向前。能量增益在这个转折点之后仍会持续，在此转折点处失相会降至一个非常小的值。与纯真空加速的情况相反，电子会经历快速的能量增加，通过分析得出的最大能量增益取决于磁场强度和波的相速度。磁场增强的能量在高激光振幅（a 0 ≫ 1）下非常有用，此时与真空中的加速度类似的加速度无法在数十微米的范围内产生高能电子。强磁场有助于在不显著增加相互作用长度的情况下增加 a 0。
强激光加速电子的能量增益...
本文讨论了在具有静态均匀磁场 B ∗ 的等离子体中用激光脉冲加速电子。激光脉冲垂直于磁场线传播，其极化选择为 (E 激光 · B ∗ ) = 0。本文重点研究具有可观初始横向动量的电子，这些电子由于强烈的失相，在没有磁场的情况下无法从激光中获得大量能量。结果表明，磁场可以通过旋转这样的电子来引起能量增加，从而使其动量变为向前。能量增益在这个转折点之后仍会持续，在此转折点处失相会降至一个非常小的值。与纯真空加速的情况相反，电子会经历快速的能量增加，通过分析得出的最大能量增益取决于磁场强度和波的相速度。磁场增强的能量在高激光振幅（a 0 ≫ 1）下非常有用，此时与真空中的加速度类似的加速度无法在数十微米的范围内产生高能电子。强磁场有助于在不显著增加相互作用长度的情况下增加 a 0。
在在线耦合校正中应用加固学习的存储环
在现代同步加速器的光源中，保持光束稳定性对于确保高质量合成子辐射性能至关重要。光源稳定性受电流，梁位置和光束尺寸的稳定性的控制。梁的尺寸稳定性在几微米的顺序上需要改进，以进行将来的实验。增强学习（RL）为实时梁大小反馈系统提供了有希望的方法。RL框架由一个智能代理组成，该智能代理与环境相互作用，以最大程度地基于状态观察和行动来最大化累积重组。在一个点上的梁尺寸测量和垂直分散是RL环境的观察，可以沿存储环呈现光束尺寸分布。通过模拟和实际实验设置，我们证明了PPO算法的功效，该算法适应了控制光束稳定性和校正耦合方面的离散作用空间。在实际操作中应用了模拟环境中的超参数的进一步优化。该方法可在在线，实时校正耦合错误方面有了显着改进，与传统方法相比，提供了更快，更适应性的解决方案。
采用湿法钪蚀刻在硅基板上形成硬掩模
如今，微电子技术需要寻找新材料，包括用于创建结构的掩模。中间硬掩模策略是实现微电子制造中光刻和蚀刻之间良好平衡的关键问题之一。微电子和光伏技术中一个有趣的挑战是在 Si 衬底上创建间距垂直取向的硅阵列，用于多功能半导体器件。制造这种结构仍然是一个严重的技术问题，需要寻找新的方法和材料。在这项工作中，我们建议使用钪作为硅上的新硬掩模材料，因为它具有高抗等离子化学蚀刻性和低溅射系数。我们已经证明，对厚度为几纳米的钪层进行湿法蚀刻可用于在硅上获得分辨率高达 4 微米的图案结构，这对于湿法蚀刻方法来说是一个很好的结果。在选定的等离子蚀刻条件下，与其他金属掩模相比，钪是一种具有极佳抗性的硅掩模，蚀刻速率最低。因此，钪硬掩模可以为形成不同的微尺度地形图案开辟新的可能性。