[1] 赵学历 , 金尚忠 , 王乐 , 等 . 基于结构函数的 LED 热特 性测试方法 [J]. 光电工程 , 2011, 38(9): 115-118. [2] 张立 , 汪新刚 , 崔福利 . 使用 T3Ster 对宇航电子元器件 内部热特性的测量 [J]. 空间电子技术 , 2011(2): 59-64. [3] MEY G, VERMEERSCH B, BANASZCYK J, et al. Thermal Impedances of Thin Plates[J]. International Journal of Heat and Mass Transfer, 2007, 50: 4457-4460. [4] VASILIS C, PANAGIOTIS C, IONNANIS P, et al. Dy- namic Thermal Analysis of Underground Medium Power Cables Using Thermal Impedance, Time Constant Distri- bution and Structure Function[J]. Applied Thermal Engi- neering, 2013, 60: 256-260. [5] MARCIN J, JEDRZEJ B, BJORN V, et al. Generation of Reduced Dynamic Thermal Models of Electronic Systems from Time Constant Spectra of Transient Temperature Responses[J] Microelectronics Reliability, 2011, 51: 1351-1355. [6] MARCIN J, ZOLTAN S, ANDRZEJ N. Impact of
1低碳技术和设备跨学科研究中心,机械与车辆工程学院,荷兰大学,长沙大学410082,中华人民共和国2 Moe动力机械和工程学的主要实验室,机械工程学院,上海jiao jiao tong University,上海何亚大学100094,中华人民共和国4座苏和纳米热流体流动流动技术和能源应用,环境科学与工程学院,苏州科学技术大学,苏州苏州大学,江苏,江苏215009 215009科学学院生物启发材料与界面科学的主要实验室,中国科学院技术与化学技术研究所,中国人民共和国100190
特别通知前言9-14第1部分。IBM Adapters Introduction 15-17 Listings by Category Audio/Voice/Phone Communication: High-Speed Connection 19 Integrated Services Digital Network (ISDN) Modem 19 Multiprotocol 20 Network 20-24 SNA/SDLC/BSC Terminal Emulation X.25 25 Diskette Drive Attachment Facsimile 26 Fixed Disk Attachment : Graphics Interface Image Capture : Memory: 16-Bit 32-Bit Multimedia Printer Attachment Scanner Attachment SCSI附件串行端口34-39磁带驱动附件未分类40-41第2部分。IOV适配器43-201简介43芯片集45-46按类别按47替代通用总线总线主音/语音/电话/电话48-51通信:综合服务数字网络(ISDN)Modem 52-62 Modeem 52-62 Multiprotocol 63-69网络:Arcnet*
摘要 —本文介绍了一种使用低全球变暖潜能值制冷剂 R1234yf 的两相流微通道热管理系统 (MTMS)。热测试载体 (TTV) 由嵌入基板的单个或多个热测试芯片制成,然后将其附着到 MTMS 上。该系统包括两个相同的铝制微通道散热器 (MHS),它们串联在冷却回路中,冷却回路还包括一个气体流量计、一个微型压缩机、一个冷凝器、一个节流装置和辅助测量组件。实验结果表明,热管理系统可以耗散 526 W/cm 2 的热通量,同时将结温保持在 120 °C 以下。对于具有更高结温(例如 175 °C)的 SiC MOSFET,预计当前系统耗散的热通量高达约 750 W/cm 2。详细分析了压缩机转速、节流装置开度、MHS 上的 TTV 布置、下游加热器对系统冷却性能的影响。研究表明,目前的
摘要:提出一种新型交叉肋条微通道(MC-CR)热沉,使流体自旋转。针对100 w/cm 2 的热测试芯片(TTC),将交叉肋条微通道与矩形(MC-R)和水平肋条微通道(MC-HR)热沉进行了比较。结果表明:采用交叉肋条微通道后,热测试芯片的结温为336.49 K,压降为22 kPa。与矩形和水平肋条热沉相比,交叉肋条微通道的冷却能力分别提高了28.6%和14.3%,但压降增加了10.7倍和5.5倍。然后,研究了不同流速下微通道长宽比(λ)的影响,发现长宽比与冷却性能呈非线性关系。为降低压降,对横肋的倾角(α)和间距(S)进行了优化,当α=30°、S=0.1mm、λ=4时,压降由22kPa降至4.5kPa。另外,在相同压降条件下,分析了矩形、交错翅片(MC-SF)、交错肋片(MC-SR)及横肋微通道的散热性能,MC-CR仍具有优越的散热性能。
随着电子设备对冷却系统的需求不断增长,纳米流体-微通道散热器(MCHS)已成为热门话题。然而,解决纳米颗粒沉积问题是将该技术推向工业规模的关键。传统研究侧重于静态纳米流体的化学特性。然而,热物理因素也会影响流动流体的沉积。为了分析直微通道中 Al 2 O 3 -水纳米流体的热物理特性,使用离散相模型(DPM)模拟布朗力。结果表明,布朗运动对颗粒沉积有很大影响。然而,对于 MCHS 中的纳米流体,温度对平均自由程的影响可以忽略不计。沉积速率随颗粒直径的增加而降低,但随速度的增加而降低。这些结果在设计新的微通道结构时具有指导意义,并能提供减少沉积的最佳条件。关键词:纳米流体、MCHS、DPM、沉积非参数
微通道冷却具有出色的传热特性和最佳整合特性。微通道冷却系统通常由许多微米大小的平行通道组成,冷却液通过。这项技术在过去十年中为电子设备的热管理提出了相当大的影响[1]。从近年来微型制动技术的令人难以置信的进步中受益,微通道冷却板可以制造出来,以非常薄且光线底物的微观平行通道。由于这些原因,在高能量物理实验中的粒子探测器的热管理中,微通道冷却已开始考虑[2]。在高能物理实验中,微通道冷却的首次应用是在Na62实验[3]的GigAtracker(GTK)中进行的,其中硅微通道冷却板用于消除60×40 mm 2 GTK模块的电子设备在局部耗散的热量,同时维持40 mm 2 GTK模块,同时在5下进行了0 cy [4] Sensor Dever in Sensor Dever in Sensor Devers [4]。这项技术后来被用于大型强子对撞机美容实验(LHCB)顶点定位器(VELO)升级[6]。也已对爱丽丝内部跟踪系统(ITS)[7,8]的LS2升级进行了广泛的研究。在这项研究中,我们描述了微通道原型的制造过程和压力测试。对爱丽丝的物质预算贡献和高温均匀性的严格要求[9]需要一项深入的研究,而爱丽丝的社区与CERN,Suranaree Technology(SUT),Thai Microelectronics Center(TMEC)(TMEC)和EpletechniquiquefédéraleDeLausanne(Epfl deSanne(Epfl)进行了密切合作。
3 • 通过对 0.15 LPM 发酵衍生乙醇进行 500 小时的运行来证明可扩展性。 • 评估使用 TEA 实现 3.0 美元/GGE 喷气混合原料的潜力,并通过 LCA 实现与传统技术相比减少 60% 的二氧化碳排放量。 • 使用制造成本模型来评估增材制造方法的潜在优势 • 执行技术到市场分析以评估对 LanzaTech 乙醇商业平台的适用性和市场可行性
1物理学系,科学学院阿巴(Abha),国王哈利德大学(Khalid University),阿巴61421,沙特阿拉伯; amabedei@kku.edu.sa 2计量与能源系统研究实验室,能源工程系,国家工程学系,莫纳斯蒂尔大学,莫纳斯蒂尔5000,突尼斯3号,突尼斯3号3号高中生学院,哈马姆·索斯(Hammam Sousse),索斯大学(Sousse University of Hammam Sesse),Sousse University,Hammam Souse 4011,Hamammam Souse 4011,Tunisia 4 Mechanak Branching,Arak Braffice,Arak Braffice,Arak 33 33 33 33.伊朗amir.ahmadi7192@yahoo.com(a.a.); mojtabaenayati@yahoo.com(M.E.)5营养系,伊拉克埃尔比尔44001的库尔德斯坦欧比尔大学 - 欧比尔市; smohammad.sajadi@gmail.com 6 SRC植物化学系,索兰大学,KRG,SORAN 44008,伊拉克7机械工程系,马来西亚马来亚大学马来亚大学工程学院,马来西亚50603; HOOMAS_YARMAND@UM.EDU.MY 8 8号可持续设计工程系,代尔夫特技术大学工业设计学院,荷兰公元2628 CE DELFT,荷兰9号机械工程系,萨希瓦尔校园,萨希瓦尔校园,伊斯兰教伊斯兰教大学,伊斯兰堡57000,巴基斯坦伊斯兰堡57000; Arslanahmad@cuisahiwal.edu.pk 10独立研究员,38106 Braunschweig,德国 *通信:goshtasbc@gmail.com5营养系,伊拉克埃尔比尔44001的库尔德斯坦欧比尔大学 - 欧比尔市; smohammad.sajadi@gmail.com 6 SRC植物化学系,索兰大学,KRG,SORAN 44008,伊拉克7机械工程系,马来西亚马来亚大学马来亚大学工程学院,马来西亚50603; HOOMAS_YARMAND@UM.EDU.MY 8 8号可持续设计工程系,代尔夫特技术大学工业设计学院,荷兰公元2628 CE DELFT,荷兰9号机械工程系,萨希瓦尔校园,萨希瓦尔校园,伊斯兰教伊斯兰教大学,伊斯兰堡57000,巴基斯坦伊斯兰堡57000; Arslanahmad@cuisahiwal.edu.pk 10独立研究员,38106 Braunschweig,德国 *通信:goshtasbc@gmail.com
摘要:微通道热沉在从不同电子设备的小表面积上去除大量热流方面起着至关重要的作用。近年来,电子设备的快速发展要求这些热沉得到更大程度的改进。在这方面,选择合适的热沉基板材料至关重要。本文采用数值方法比较了三种硼基超高温陶瓷材料(ZrB 2 、TiB 2 和 HfB 2 )作为微通道热沉基板材料的效果。利用有限体积法分析了流体流动和传热。结果表明,对于任何材料,在 3.6MWm -2 时热源的最高温度不超过 355K。结果还表明,HfB 2 和 TiB 2 比 ZrB 2 更适合用作基板材料。通过在热源处施加 3.6 MWm -2 热通量,在具有基底材料 HfB 2 的散热器中获得的最大表面传热系数为 175.2 KWm -2 K -1。