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World File Search System成像器
TC210K-01A423-A6手持锂离子电池
■RFID标签的移动读写和编写■使用NFC手持式手持，可通过UHF进行扩展■2D成像器，相机■可以升级到Android 14■。TURCK RFID应用程序用于阅读和写入标签■使用USB-C，蓝牙5.0 BLE和Wi-Fi 802.11ac■保护类IP67■在整个操作温度范围内，它在MIL-STD-810G的混凝土上的高度下降了1.2 m
半导体工程和微电子设计
rf ic Design（4）：X.Aragonés。UPC+UB+UAB ASIC设计技术用于高度安全的系统（4）：S.Manich。UPC+UAB高级IP核心设计（4）：D。Castells。UAB+UAB的集成传感器和成像器和辐射探测器的电路（4）：D。Gascón。UB+UPC+UAB混合信号IP设计（4）：F。Serra。UAB+UB+UAB电源管理电路（4）：P.Miribel UB+UPC
可自主可部署的塔楼基础设施，用于探索和通信的探索和通信
NASA有兴趣在Artemis Crewed Landings之前，在ArtemiS船员之前探索和机器人探索月球永久遮蔽区域（PSR）。这些地区的挑战地形意味着登陆器只能访问PSR的边缘，限制视线通信并感知PSR。自主部署的月球塔基础设施可以在这些PSR周围和周围提供有价值的视线。已开发出可部署的复合动臂用于微重力，我们通过在月球重力场垂直部署复合动臂来扩展这些功能。由高架平台在繁荣的顶部托管的服务，例如电力梁，无线电中继器或成像器，可以支持多个分布式，移动，机器人资产以及勘探人员的长期区域运营的近期运营。
异质结双层作为电荷传输中间层降低有机短波中的暗电流并增强光电倍增
光电倍增探测器有望克服有机短波红外光电探测器的低响应度。然而，最近的光电倍增探测器通常会同时增加响应度和暗电流，从而抵消对探测率的影响。为了抑制光电倍增装置中的暗电流，我们提出了一种新的夹层结构，即一种克服信号和噪声之间权衡的 pn 结组合。与使用典型单极电荷传输材料的设备相比，我们的双层设计具有降低暗电流和出色外部量子效率的优势。我们将这种新的夹层设计融入上转换成像器中，使上转换效率和图像对比度翻倍。这种夹层可推广到不同的有机半导体，这尤其有用，因为这里的设计将适用于尚未发现的未来红外材料。
雷达场：FMCW雷达的频率空间神经场景表示
为主动和被动的光学感官技术提供了互补的方式。此外，现有的雷达传感器具有很高的成本效益，并且在运行在户外操作的机器人和车辆中。我们介绍了雷达场 - 一种为活动雷达成像器设计的神经场景重建方法。我们的方法将具有隐式神经几何形状和反射模型的显式，物理知识的传感器模型团结起来，以直接合成原始雷达测量并提取场景占用率。所提出的方法不依赖卷渲染。相反，我们在傅立叶频率空间中学习字段，并通过原始雷达数据监督。我们验证了我们在各种室外场景中的有效性，包括带有密集车辆和基础设施的城市场景以及MM波长感应的恶劣天气情况。
热成像技术的审查
1。热成像[56]，2。热成像相机[57]，3。热摄像机[58]，4。flir [59]。热成像部分开始时，一开始就提到一词是本书中使用的“热成像”一词的同义词。进一步，本节还将红外热力计（IRT）定义为一个过程，在该过程中，热摄像机通过在过程中使用从对象发出的红外辐射捕获对象的图像并创建对象的图像。此定义清楚地表明，根据它，所有红外成像系统（包括NIR摄像机或SWIR成像器）都可以视为热力计/热成像。这是没有意义的，因为NIR摄像机看不到典型目标发出的热辐射。此结论通常对SWIR成像仪有效。进一步，此定义的一些碎片仅适用于当热成像覆盖范围还需要监视/军事应用时，仅适用于工业应用中使用的热成像仪。
掺杂通道 SOI pMOS TCAD 描述包括浮体效应
几十年来，人们对 SOI 器件进行了广泛的研究，并将其应用于多种应用：具有厚硅膜（>60nm）的部分耗尽 SOI 器件用于 RF-SOI 应用 [1]，而具有薄 SOI 膜（<10nm）的全耗尽 SOI 器件用于 RF、数字和更多 Moore 应用 [2-4]。已知 PD-SOI 器件中会发生浮体 (FB) 效应 [5-6]，可以通过体接触消除 [7-8]，而 FD-SOI 器件由于具有薄 SOI 膜，因此不受 FB 效应的影响。最近，已经提出了在薄 BOX 上具有相对较薄的薄膜（22nm）的 SOI 器件，以满足 3D 顺序积分的成像器应用要求 [9]，其中 SOI 膜掺杂可用于 Vt 居中。本文的目的是确定这种 SOI 器件的操作，并提出相应的 TCAD 描述，考虑 SOI 膜掺杂。
Jeremy Muldavin博士
杰里米·穆尔达文（Jeremy Muldavin）博士目前是2020年开始全球基金会航空航天技术人员的杰出成员。在加入GlobalFoundries之前，Muldavin博士在MIT Lincoln实验室工作了19年，并担任员工，研究小组负责人，研究微电子，成像器，嵌入式计算，开放建筑和自治，并获得了IEEE Microwave Microwave理论和技术社会杰出的年轻工程师奖。他获得了密歇根大学的工程物理学，MSE和博士学位的BSE。从2016年至2019年，Muldavin博士担任IPA受让人，担任国防软件和微电子保证和微型电子学助理主任，国防部研究与工程助理部长，在那里他确立了针对国民安全和经济竞争力（Minsec）的Semist Subcce的Semist Subcce，并确定了SEMCCC的SEMISICT SEMISICT a DOD SECICTIONT。
![[审查]红外光电子的HGTE胶体量子点的兴起](/simg/f\f35e5d7a912eb6e42810f280cabd771e176be27e.webp)
[审查]红外光电子的HGTE胶体量子点的兴起
在作为胶体量子点（CQD）产生的材料中，HGTE具有特殊的状态，是覆盖从可见光到THZ的整个红外范围的唯一材料（0.7-100μm）。这种独特的特性是由其电子结构产生的，结合了空气稳定性和电荷传导能力，在过去的二十年中产生了一致且庞大的效果，以产生和改善HGTE CQD。同时，HGTE CQD与中波红外的任何其他胶体替代品更先进，内容涉及其整合到高级光子和光电应用中。在这里，HGTE CQD相对于材料的生长，电子结构建模，其整合到光子结构中的最新发展及其作为从单个元素设备向复杂传感器和红外成像器的活动材料传递的传递。最后，还包括有关该材料对行业的潜力的讨论，还包括相对于材料和设备设计，在低技术准备水平的经济和生产方面增加了新的挑战。