肝细胞癌(HCC)是严重威胁人类健康的癌症之一。免疫疗法通过靶向编程的细胞死亡蛋白1/程序性细胞死亡1配体1(PD-1/PD-L1)轴,是HCC患者治疗的主要治疗方法。但是,当HCC变得耐药时,抗PD-1/PD-L1治疗的有效性受到限制。与肿瘤相关的巨噬细胞(TAM)是肿瘤微环境(TME)靶向PD-1抗体靶向治疗的负调控的重要因素。因此,作为癌症免疫疗法研究的新兴方向,对HCC的治疗进行了研究,对于阐明TAMS与PD-1/PD-L1介导的免疫耐受性之间的相关性和机制至关重要。本文总结了TAM对HCC的发病机理和进展的影响及其对HCC抗PD-1/PD-1/PD-L1免疫疗法的影响,并进一步探讨了针对HCC中TAM的当前潜在治疗策略M1-TAMS(抗肿瘤类型)。
腐蚀会损坏所有材料,因此必须更换和检查相关费用。因此,对新型腐蚀抑制剂材料的需求增加。不同材料的腐蚀抑制率不同,但有机化合物对各种合金和金属的水腐蚀抑制效率很高。在 O、N 和 S 存在的情况下,这种效率会提高。当同一化合物中同时存在 S 和 N 原子时,分子会产生很强的抑制作用。本文研究了 1,3,4-噻二唑分子和几种由不同取代基组成的有机化合物(如 R 1 和 R 2 )的电子结构。它们与 1,3,4-噻二唑环结合在一起,得到九种不同的衍生物。使用高斯程序在 6-311G++(d,p)基组和 Becke 三参数混合(B3LYP)水平上进行量子计算(密度泛函理论,DFT)。本研究的目的是确定几种杂环有机化合物的化学行为并了解腐蚀抑制过程。
抗精神病药品对正性症状的改善是有效果的,(5,6](6] ;传统抗精神病药品(即第一代药品)(6] ;传统抗精神病药品(即第一代药品)被认为是被认为是被认为是被认为是d2接受器,多巴胺能神经转移),包括氯丙氨酸perphenzine、氯丙嗪fluphenazine、 fluphenazine fluphenazine fluphenazine fluphenazine fluphenazine fluphenazine floperidol phaloperidol pimozide pimozide fimozide,ZuciClopEntentEntectentEndeclopEntentectEns、zuclopEntentEntectEntEns、 ((EPS)(EPS)反而困扰病人,parkinsonian症状)(甲状腺肿)(甲状腺肿)(tardive dardive Edkinesia)(Akathisia)[4] [4] ;非)atripiprazole,氨基酸氨基唑,丙二氮,
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Farr和Elisa Techniques进行的抗DSDNA抗体测试是不相等的。 j风湿病。 2006年9月; 33(9):1785-1788。2002; 61(5):474-476。10。Neogi T,Gladman DD,Ibanez D,Urowitz M. Farr和Elisa Techniques进行的抗DSDNA抗体测试是不相等的。j风湿病。2006年9月; 33(9):1785-1788。
引言目前,光刻是多种半导体器件和集成电路一般生产周期中的主要工艺之一。重氮喹诺酮酚醛 (DQN) 光刻胶广泛用作亚微米和纳米光刻的掩模 [1–4]。现代电子学中形成掺杂区的主要方法之一是离子注入 (II)。该方法可以精确控制掺杂剂浓度,且具有工艺多功能性和灵活性的特点。DQN 光刻胶与紫外线、X 射线和可见辐射的相互作用已得到充分详细研究,而离子辐照引起的过程仍然知之甚少,尽管它们会显著影响所创建器件的质量 [4–6]。在聚合物的 II 期间,辐射诱导过程先前已被证明会发生在离子路径区域内及其外部 [5, 7–9]。例如,在 [5] 中发现了 DQN 抗蚀剂膜在锑离子注入层后面的辐射硬化。然而,导致 II 层后面的 DQN 抗蚀剂的物理机械性能发生变化的辐射诱导过程的机制尚未确定。对于薄膜研究,受抑全内反射 (TIR) 的 FTIR 光谱可以定性和定量地获取固体中复杂有机化合物及其混合物的成分和结构
系统性红斑狼疮(SLE)是代表性的胶原病之一,是一种自身免疫机制参与程度较高的免疫性疾病,以多种类型的抗核抗体,特别是抗DNA抗体的参与为特征。因此,抗DNA抗体定性检测对于诊断SLE、疑似SLE以及了解SLE的病理(活动性)极其有用。
如今,微电子技术需要寻找新材料,包括用于创建结构的掩模。中间硬掩模策略是实现微电子制造中光刻和蚀刻之间良好平衡的关键问题之一。微电子和光伏技术中一个有趣的挑战是在 Si 衬底上创建间距垂直取向的硅阵列,用于多功能半导体器件。制造这种结构仍然是一个严重的技术问题,需要寻找新的方法和材料。在这项工作中,我们建议使用钪作为硅上的新硬掩模材料,因为它具有高抗等离子化学蚀刻性和低溅射系数。我们已经证明,对厚度为几纳米的钪层进行湿法蚀刻可用于在硅上获得分辨率高达 4 微米的图案结构,这对于湿法蚀刻方法来说是一个很好的结果。在选定的等离子蚀刻条件下,与其他金属掩模相比,钪是一种具有极佳抗性的硅掩模,蚀刻速率最低。因此,钪硬掩模可以为形成不同的微尺度地形图案开辟新的可能性。